采用化学气相沉积法可以制备出大尺寸,高质量的石墨烯单晶,且单晶迁移率接近从高定向热解石墨上剥离的石墨烯,因而成为了微纳电子器件领域最具有前景的石墨烯制备方法,目前,制约化学气相沉积法石墨烯的大批量应用的关键是石墨烯的商性能转移方法。石墨烯的常规转移技术分为铜衬底湿法刻蚀转移技术和电化学剥离技术
铜衬底刻蚀法的转移过程为首先在生总有石墨烯的钢基底表面旋涂一层pMMA/石墨烯转移到目标府邸表面,最後溶解掉PMMA完成转移,常用的刻蚀剂为气化铁 硝酸铁 过硫酸钾,过硫酸铵等,铜刻蚀转移法中,铜的刻蚀过程较缓慢,均在5小时以上,容易引起缺陷产生,并且还容易带来金属铁和铜的残馀,石墨烯的掺杂等不可避免的缺陷产生,衬底铜的刻蚀也较浪费,针对惰性贵金属衬底,如P七衬底,刻蚀法显然也无能为力
1、首先要看你氧化石墨烯的质量怎么样,要是插层不够充分,石墨烯层数较多,怎么拍效果都不好,跟石墨一样。2、氧化石墨烯导电性一般较差,扫描之前可以镀金处理。
3、选点很重要,选一些片状石墨烯边缘位置,可以看清层状结构,又能看到薄膜片状结构。
4、如果你是问扫描电镜的操作问题,请自动忽略以上问题
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