CDSEM 与SEM 有什么区别吗？还是两者表示一样，只是在不同领域中的说法不同。

对于快速地检测电子束曝光制造出的小纳米结构的尺寸和缺陷并保证其不受到损伤是纳米加工进入10nm尺度面临的另一重大技术问题。同时,在集成电路制造中,多层制造需要对标记进行极高精度的检测"显然,光学的无损伤检测方式己无法应用于10nm尺度范围,因此基于能量束的检测方法是必须采取的方式"。

目前工业界采用CD一SEM对小特征尺寸进行测量。

SEM是

扫描电子显微镜

，主要用于电子显微成像，接配电子显微分析附件，可做相应的特征分析，

最常用的是聚焦

电子束

和样品相互作用区发射出的元素特征

X-射线

，可用EDS或者WDS进行探测分析，获得微区（作用区）元素成分信息，而EDS或者WDS这类电子显微分析附件却来源于EPMA。

SEM就是一个电子显微分析平台，分析附件可根据用户需要来选配，有需要这个的，有需要那个的，因此

扫描电镜

结构种类具有多样性，从tiny、small、little

style，to

middle、large、huge

style.

就EDS或WDS分析技术来讲，在SEM上使用，基本上使用无

标样

分析，获得很粗糙的

半定量

结果。

而EPMA在SEM商品化10年前，就已经开始实用了，其主要目的，就是要精确获得微米尺度晶粒或颗粒的成分信息.

主要分析手段是WDS，一般配置4个WDS，基于此，EPMA结构比较单一，各品牌型号结构差距不大。EMPA追求电子显微分析结果精准，因此

电子光学

设计不追求高分辨，电子显微分析对汇聚束的要求相匹配即可。

早期EPMA成像手段主要采用同轴

光学显微镜

，然后移动样品台或移动汇聚电子束，找到感兴趣区，当前依然保留同轴光镜，用来校准WD。EMPA对电子光学系统工作条件的稳定性要求超过SEM很多很多，控制系统增加了一些

负反馈

机制，确保分析条件和标样分析保持很小的误差。

SEM作为显微镜，可以放大微观物体形态，一般允许误差在放大倍数±5%。在相同工作条件下，放大倍数一般不会漂移，精度可靠。但随着温湿度变化，随着电磁环境变化，可能会有漂移。因为SEM放大和光学显微镜放大完全不同，完全靠扫描线圈和电器元件控制，电器元件的老化，可能会引起放大倍数漂移，因此过两年需要校准放大倍数。另外SEM图像尺寸测量精度问题，这个情况和方舟子质疑韩2身高有些类似，许多人用图像测量得出的结果误差很大。但相同的测量方法精度很高！还有SEM作为材料分析平台，做化学成分分析，晶体结构分析。偏差可以保证2%以内。最后总结：精度靠方法和条件保证！前提是方法一致，条件不要变化！！

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