SEM 实验

烧结试样的 SEM 分析采用日本日立公司生产的 S-520 扫描电子显微镜完成。首先将试样的新鲜断裂面在 IB-3 离子溅射渡膜仪中喷渡厚度约为 10 ～20 nm 的金，对结构致密的部分试样断裂面采用 40%浓度的氢氟酸 ( HF) 侵蚀 20min 后进行镀金，然后放入 SEM样品室内进行观察，电子枪电压采用 20kV，电子束流为 150 mA，并用照相方式记录样品的二次电子图像 ( 或称之为形貌像) 。

具体选择的电压需要根据具体样品来选择的，一般来讲金属和半导体可能中压10KV和5KV都可以，高分子最好选择5KV的低压，这样可以得到更好的图片效果。

以为高分子的导电性能很差，且容易被电压击穿，所以要选择低电压和快速照相模式的组合。

而金属和半导体，导电性能都还好，可以根据调试的效果自行选择电压来操作。

并没有硬性的规定金属，半导体，高分子具体要多少电压。这些都是需要根据具体的图像质量来不断调整的

SEM通过电子来使样本放大50万倍，相当于将1毫米放大到500米。同时，SEM也可以分析样品的组成元素。SEM产生电子束撞击样品原子的电子层，产生X射线，释放不同程度的能力，从而判断原子的种类。这项技术也被称为X射线微探技术，对于分析枪击痕迹非常有用。

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