1、打开冷却水开关、空压机开关(空压机红色按钮向上拔为打开,向下按为关闭)和镀膜机总电源开关。
2、将玻璃基板至于样品托中,导电一面向下,刻蚀带一侧靠近样品托蓝色线条一侧。
3、预处理室放气,待放好气后拧紧放气阀,打开预处理室仓门,将样品托放在推拉杆上,关闭仓门。
4、打开机械A、机械B泵及四个真空计。
5、基片预处理:打开角阀,当预处理室真空度达到2.0E1 ~5.0E1 (2.0×10~5.0×10)Pa时,关闭角阀、打开真空蒸镀室角阀。打开直流溅射电源、再按下启动按钮,调节电流0.020-0.025A,轰击10分钟,将电流调节至0A,按下停止按钮,关闭电源。
6、打开A泵,角阀,待度达4.0E0以下时,即当两边真空气压基本相当的的时候(约十分钟),关闭角阀,A阀,打开蒸镀室与预处理室之间的闸板阀(顺时针方向开,逆时针方向关),检查旋转台下的挡板,一定要将挡板放在恰当位置。样品传送至蒸镀室,用机械手抓取样品托,并保持在机械手上;然后将推拉杆拉回至预处理中,关闭闸板阀;降低蒸镀台与机械手平齐,将样品托轻轻推入蒸镀台下方的样品托导引槽(上方导引槽)。
7、当蒸镀室真空度达到1.2E1(1.2×10) Pa以下时,关闭角阀、机械A泵。打开闸板阀,将蒸镀室抽高真空至7.0E-4Pa(约2个小时)。
8、插入掩模板:将样品升降电源调到手动,将蒸镀台旋转180度(用皮带精确定位),用升降盒使蒸镀台最下方的掩模板导引槽与掩膜版库轨道,至于同一水平线上,用机械手将掩膜版轻轻推至蒸镀台的掩模板导引槽。(注意机械手用完一定要挂起)
9、蒸镀过程:打开快门总开关,膜厚测试仪(F1是清零,F5是开始或停止)放样品托的架子升最高,且旋转。打开PID(束源炉)开关,调节温度,依次蒸镀相关材料,制备OLED器件。
10、若继续实验,打开机械A泵、预处理室角阀,至预处理室真空度达到4.0E0(4.0×1) Pa以下,同时将掩膜版归位,用机械手将样品托取下。打开闸板阀,将推拉杆推至蒸镀室中,将样品托放到推拉杆上,抽回至预处理室,关闭闸板阀,将预处理室放气至大气压,将样品托取出,真空室保持在高真空条件下。
11、若不再实验,则关闭闸板阀,放气(真空室顶部放气按钮)。打开真空室,取出样品。打开快门控制电源,打开快门1,更换钨丝(每做一次实验更换一次),将铝丝挂在钨丝上(5个,挂于弯折处),检查蒸镀所需材料。关闭真空室,待分子泵数字为零时关闭分子泵后关闭机械泵B。打开机械泵A,真空室角阀,对真空室抽低真空至12Pa以下,关闭角阀,机械泵A,关闭电源。
如果长时间不用时一定要关闭循环水冰柜电源,以防冻裂。
1、高真空环境是分子流,湿的样品不断释放水蒸气,使高真空情况下,真空度很难上升,往往达不到比较优越的条件。2、水蒸气和2000多度高温的钨丝反应,会加速电子枪灯丝挥发,极大降低灯丝寿命。
3、对电子束的散射,会造成信号损失
4、污染样品
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