1. 定点切割(Precisional Cutting)-利用离子的物理碰撞来达到切割之目的。 广泛应用于集成电路(IC)和LCD的Cross Section加工和分析。
2. 选择性的材料蒸镀(Selective Deposition)-以离子束的能量分解有机金属蒸气或气相绝缘材料,在局部区域作导体或非导体的沉积,可提供金属和氧化层的沉积(Metal and TEOS Deposition),常见的金属沉积有铂(Platinum,Pt)和钨(Tungstun,W)二种。
3. 强化性蚀刻或选择性蚀刻(Enhanced Etching-Iodine/Selective Etching-XeF2)-辅以腐蚀性气体,加速切割的效率或作选择性的材料去除。
4. 蚀刻终点侦测(End Point Detection)-侦测二次离子的讯号,藉以了解切割或蚀刻的进行状况。
在实际的应用上,为了有效的搜寻故障的区域或外来掉落的材料碎屑、尘埃、污染粒子(Particles)等位置,离子束显微镜在外围的控制系统上,可配备自动定位导航系统或影像重叠定位装置,当生产线的缺陷检视系统(Defect Inspection System),例如:KLA或Tencor,发现制程异常时,可将芯片上缺陷的计算机档案传送到自动定位导航系统,离子束显微镜即可迅速找寻缺陷的位置,并进行切割动作,确认缺陷发生的层次,如此可避免芯片送出无尘室后与外界的灰尘混淆,达到 Off-line 找到的就是In-line 看到的 精准度,这种功能免除了工程师在试片制备上极大的困扰,同时节省了传统机械研磨法中大量的人力与工时,加之也大大的提升了成功率。
在新型的聚焦离子束显微镜,目前已有双束(Dual Beam)的机型(离子束+电子束),在以离子束切割时,用电子束观察影像,除了可避免离子束继续 破坏现场 外,尚可有效的提高影像分辨率,同时也可配备X-光能谱分析仪或二次离子质谱仪,作元素分析之用,多样化的分析功能使得聚焦离子束显微镜的便利性及使用率大幅提升。
至于离子束显微镜在IC工业上的应用,主要可分为五大类:1.线路修补和布局验证;2.组件故障分析;3.生产线制程异常分析;4.IC 制程监控-例如光阻切割;5.穿透式电子显微镜试片制作。
在各类应用中,以线路修补和布局验证这一类的工作具有最大经济效益,局部的线路修改可省略重作光罩和初次试作的研发成本,这样的运作模式对缩短研发到量产的时程绝对有效,同时节省大量研发费用。
当我们欲进行产品侦错或故障分析时,在没有KLA或TENCOR等数据档案(例如:GDSII file)数据的情况下,对于小尺寸的晶粒或已经封装后的产品,亦可利用附属的影像重叠系统(Image Overlay System),在光学显微镜下依据参考点定出欲分析位置的相对横向和纵向距离,而在离子束显微镜内迅速找到该位置,不需以人力费时的去寻找。假若当欲分析处为前层次或是为平坦化制程,离子束显微镜的影像无法从上视(Top-View)的观察推断出确切的分析位置时,也可藉影像对准(Align Image)将离子束显微镜影像与光学显微镜影像重叠,再由光学显微镜影像定出欲切割位置,同样可达成定点位置的分析。
关于穿透式电子显微镜试片制作,离子束显微镜提供了另一种选择,在合理的工作时数(2-6小时)与成功率(>90 %)的掌握度下,离子束显微镜不失为良好的试片制作工具。
由于离子束显微镜在辅以不同的化学气体时可具有材料沉积与蚀刻的功能,因此在5-10年前即引起人们对In-Situ Processing(在单一Chamber内连续完成所有制程) 的研究兴趣,许多先进的组件制作,例如:雷射二极管(Laser Diode),量子井组件(Quantum Well Devices)等,都曾利用离子束显微镜的工作原理示范过组件的制作。加之,因为离子束显微镜的离子源为镓离子,对硅晶材料而言,镓离子植入亦可作为P-Type接面的离子源,在过去的浅接面(Shallow Junction Formation)中,由于镓离子的扩散系数和穿隧效应比硼(Boron,B)来得小,因此也曾掀起研究的热潮。
此外在免光罩式的离子植入(Maskless Ion Implantation)应用上,由于离子束显微镜的离子束能量可随意调变,所以相较于传统式的光阻罩幕后单一能量离子布植,离子束显微镜不但可以作极小面积的离子布植(0.1埃0.1 um2 以下),而且最特别的是布植区域的离子植入深度 (亦即 P/N 接面的深度)可依组件设计而调变,这将使得组件设计的空间更广更有趣;在IC工业的应用上,离子束显微镜在光罩修补(Mask Repair)上亦有取代雷射光的趋势,尤其是对相位转换光罩(Phase Shift Mask, PSM)的制作中,离子束显微镜的分辨率和修补的精准度(Repair Edge Placement Accuracy)都优于雷射光,在0.25 um以下的制程中,可预期的是离子束显微镜也将会在这个领域中活络起来。
扫描电镜和透射电镜的区别在于。1、结构差异:主要体现在样品在电子束光路中的位置不同。透射电镜的样品在电子束中间,电子源在样品上方发射电子,经过聚光镜,然后穿透样品后,有后续的电磁透镜继续放大电子光束,最后投影在荧光屏幕上;扫描电镜的样品在电子束末端,电子源在样品上方发射的电子束,经过几级电磁透镜缩小,到达样品。当然后续的信号探测处理系统的结构也会不同,但从基本物理原理上讲没什么实质性差别。
相同之处:都是电真空设备,使用绝大部分部件原理相同,例如电子枪,磁透镜,各种控制原理,消象散,合轴等等。
2、基本工作原理:透射电镜:电子束在穿过样品时,会和样品中的原子发生散射,样品上某一点同时穿过的电子方向是不同,这样品上的这一点在物镜1-2倍焦距之间,这些电子通过过物镜放大后重新汇聚,形成该点一个放大的实像,这个和凸透镜成像原理相同。这里边有个反差形成机制理论比较深就不讲,但可以这么想象,如果样品内部是绝对均匀的物质,没有晶界,没有原子晶格结构,那么放大的图像也不会有任何反差,事实上这种物质不存在,所以才会有这种牛逼仪器存在的理由。经过物镜放大的像进一步经过几级中间磁透镜的放大(具体需要几级基本上是由电子束亮度决定的,如果亮度无限大,最终由阿贝瑞利的光学仪器分辨率公式决定),最后投影在荧光屏上成像。由于透射电镜物镜焦距很短,也因此具有很小的像差系数,所以透射电镜具有非常高的空间分辨率,0.1-0.2nm,但景深比较小,对样品表面形貌不敏感,主要观察样品内部结构。
扫描电镜:电子束到达样品,激发样品中的二次电子,二次电子被探测器接收,通过信号处理并调制显示器上一个像素发光,由于电子束斑直径是纳米级别,而显示器的像素是100微米以上,这个100微米以上像素所发出的光,就代表样品上被电子束激发的区域所发出的光。实现样品上这个物点的放大。如果让电子束在样品的一定区域做光栅扫描,并且从几何排列上一一对应调制显示器的像素的亮度,便实现这个样品区域的放大成像。具体图像反差形成机制不讲。由于扫描电镜所观察的样品表面很粗糙,一般要求较大工作距离,这就要求扫描电镜物镜的焦距比较长,相应的相差系数较大,造成最小束斑尺寸下的亮度限制,系统的空间分辨率一般比透射电镜低得多1-3纳米。但因为物镜焦距较长,图像景深比透射电镜高的多,主要用于样品表面形貌的观察,无法从表面揭示内部结构,除非破坏样品,例如聚焦离子束电子束扫描电镜FIB-SEM,可以层层观察内部结构。
透射电镜和扫描电镜二者成像原理上根本不同。透射电镜成像轰击在荧光屏上的电子是那些穿过样品的电子束中的电子,而扫描电镜成像的二次电子信号脉冲只作为传统CTR显示器上调制CRT三极电子枪栅极的信号而已。透射电镜我们可以说是看到了电子光成像,而扫描电镜根本无法用电子光路成像来想象。
3、样品制备:TEM:电子的穿透能力很弱,透射电镜往往使用几百千伏的高能量电子束,但依然需要把样品磨制或者离子减薄或者超薄切片到微纳米量级厚度,这是最基本要求。透射制样是学问,制样好坏很多情况要靠运气,北京大学物理学院电子显微镜实验室,制样室都贴着制样过程规范,结语是祝你好运。
SEM:几乎不用制样,直接观察。大多数非导体需要制作导电膜,绝大多数几分钟的搞定, 含水的生物样品需要固定脱水干燥,又要求不变形,比较麻烦,自然干燥还要晒几天吧。
二者对样品共同要求:固体,尽量干燥,尽量没有油污染,外形尺寸符合样品室大小要求。
聚焦离子束(FIB)与扫描电子显微镜(SEM)耦合成为FIB-SEM双束系统后,通过结合相应的气体沉积装置,纳米操纵仪,各种探测器及可控的样品台等附件成为一个集微区成像、加工、分析、操纵于一体的分析仪器。其应用范围也已经从半导体行业拓展至材料科学、生命科学和地质学等众多领域。聚焦离子束技术(FIB)注意事项:
1、样品大小5×5×1cm,当样品过大需切割取样。
2、样品需导电,不导电样品必须能喷金增加导电性。
3、切割深度必须小于10微米。
电镜制备制样离子束研磨系统要属徕卡家比较好。当材料样品表面为SEM或入射光显微镜做好准备时,样品通常经过多次处理,直到被分析的层或表面被精密加工好。徕卡显微系统固态技术的工作流程解决方案涵盖了样品制备所需的所有步骤。
当徕卡EM TXP将预先准备的所有步骤都整合在一台仪器时,徕卡EM TIC 3X 对几乎任何材料进行最终的高质量表面处理。与徕卡EM VCT对接配置后,在适宜的环境中样本就北转移到(cryo)SEM中。
同时,徕卡显微系统所提供的产品完全匹配用户在TEM、SEM和AFM研究对中精确样品制备的所有需求。每一个徕卡解决方案都由几个设备组成,它们相互良好地结合在一起,为客户的样品形成无缝的制样工作流程。
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