阴极呈圆筒状 其上涂覆有能发射电子的氧化层 筒内装有灯丝 灯丝点亮后加热阴极顶部的氧化层使其发射电子
控制栅极能够改变发射电子束流的大小
加速阳极能够把自由电子从阴极表面拉出来使其加速到一定速度轰击荧光屏
聚焦阳极类似于一个凸透镜的功能 使电子束汇聚成一个亮点 提高图像清晰度
高压阳极其上加有万伏以上的高压 进一步加速电子束流 提高速度轰击屏幕 使电子束能够激发屏幕上的荧光粉发出荧光.
从而完成了一次阴极电子发射的过程.
1. 深紫外发光光谱技术简介
深紫外发光光谱是研究半导体材料物理性质的一种重要手段。通常所说的半导体发光是半导体中电子从高能态跃迁至低能态时,伴之以发射光子的辐射复合。我们利用深紫外激光器产生的激光或电子枪发出的电子束到达样品室并入射到样品表面,样品发出的荧光信号被收集进入单色仪,该信号经单色仪分光后由探测系统探测,计算机对探测信号进行采集并形成最终的深紫外发光光谱。
2. 供测量的光谱类型及其应用范围
光致发光(PL):使用飞秒激光激发样品,波长:(1)177nm;(2)210nm-330nm可调;(3)345nm-495nm可调;(4)690nm-990nm可调。PL光谱可以实现稳态光谱和瞬态(时间分辨)光谱的测量。稳态光谱可用于研究半导体材料的基本物理性质,如晶体结构、电子态、声子结构、杂质、缺陷、激子复合机制等。瞬态光谱采用条纹相机探测,既可以得到不同时刻的时间分辨光谱,也可以得到某一波长处的荧光衰退曲线,时间分辨率为2ps。可以用来研究半导体材料载流子动力学性质。
阴极荧光(CL):使用电子束激发样品,最大能量30keV。可用于表征宽禁带半导体材料性质。波长扫描范围:170nm-800nm。
3、深紫外发光光谱测试设备介绍:
1. PL光谱
技术参数与能力:
波长:690nm-990nm,345nm-495nm和210nm-330nm三个波段内可调,最小激光波长可达177nm
波长扫描范围:170nm-800nm
温度范围:8K-350K
时间分辨率(瞬态光谱):2ps
狭缝、步长及激光功率视具体情况而定
2. CL光谱
技术参数与能力:
电子束能量:最高可达30keV
波长扫描范围:170nm-800nm
温度范围:8K-350K
狭缝和步长视具体情况而定
-------------米格实验室
阴极荧光可以分析物质表面形貌吗利用阴极荧光谱,可以在进行表面形貌分析的同时,研究半导体材料的发光特性,尤其适合...光致发光光谱(PL谱)的激发源是能量较大的光子,可以反映测试物质的内部结构
欢迎分享,转载请注明来源:夏雨云
评论列表(0条)