如何检测传感器的好坏？

1、观察传感器外观是否有变形，裂纹等情况，若出现这些情况，需要联系厂家更换新的传感器。

2、在称重控制器（称重仪表）中找到传感器连接端，测定传感器连接电路。

正常情况下，激励电压（EXC+到EXC-之间）是5-10V，输出电压（SIG+到SIG-之间）在设备空载时接近于0，小于传感器最大输出量。超出此范围则联系服务商申请更换传感器。

3、测量传感器阻值，通过阻值判定传感器好坏：输入电阻_输出电阻＞桥阻；一般情况下桥阻之间相等或者两两相等。

第一种方法:指针式万用表测量。

1.将万用表设置在欧姆档；

2.根据电容选择档位:10pF以下电容，万用表R×10k档位可选；10F~0.01μF的电容，可选万用表R×1k块；

3.用万用表红色表笔对应电容器负极，黑色表笔对应电容器正极，通过指针的变化判断电容器是否正常。

一般情况下，如果万用表指针向右倾斜到某一值，然后回到最左边的无穷大，则电容器状态良好；电容的容量也可以根据指针的摆动幅度来估算:电容越大，充电时间越长，指针的摆动幅度越大/越慢。

如果万用表的指针一直向右摆动，甚至摆动到“0”的位置，说明电容漏电损坏或者已经击穿。

第二种方法:用数字万用表测量。

一、非极性电容的测量

1.如果是无极性电容，将万用表调至“二极管”位置，测量通断比；

2.万用表显示“1”为正常；如果万用表显示“0”或其他数字，则电容器损坏。

二。极性电容的测量

1.对于极性电解电容器，外壳出现“鼓包”、“变形”或“漏液”现象，可直接判断电容器已损坏；

2.数字万用表的电容档也可以用来测量电容的质量:

(1)根据电容所标注的额定电容，将万用表打到合适的量程；

(2)将电容器插入万用表的电容器孔中，测量电容器的容量。

如果电容在额定值范围内，说明电容状况良好；否则会损坏电容。

第三，用数字万用表测量电阻。

1.一般情况下，1μF以下的电容要用万用表R×10k阻断；1μf~100μf电容，带万用表R×2k块；容量大于100μF的电容应用万用表R×200检测；

2.将探针接在电容的两极，根据万用表的读数和变化来判断电容的好坏(原理与指针式万用表相同)。https://iknow-pic.cdn.bcebos.com/622762d0f703918f229395925e3d269759eec42c?x-bce-process=image%2Fresize%2Cm_lfit%2Cw_600%2Ch_800%2Climit_1%2Fquality%2Cq_85%2Fformat%2Cf_auto

用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例。

一、先确定MOS管的引脚：

1、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；

1、首先找出场效应管的D极（漏极）。对于TO-252、TO-220这类封装的带有散热片的场效应管，它们的散热片在内部是与管子的D极相连的，故我们可用数字万用表的二极管档测量管子的各个引脚，哪个引脚与散热片相连，哪个引脚就是D极。

2、找到D极后，将万用表调至二极管档；

3、用黑表笔接触管子的D极，用红表笔分别接触管子的另外两个引脚。若接触到某个引脚时，万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降，那么该引脚即为S极（源极），剩下的那个引脚即为G极（栅极）。

二、MOS管好坏的测量：

1、当把红表笔放在S极上，黑表笔放在D极上，可以测出来这个导通压降，一般在0.5 V左右为正常；

2、G脚测量，需要先对G极充下电，把红表笔放在G极，黑表笔放在S极；

3、再次把红表笔放在S极上，黑表笔放在D极上，可以测出来这个放大压降，一般在0.3 V左右为正常；

扩展资料

MOS管的主要参数

1、开启电压VT

开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；

标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2、 直流输入电阻RGS

即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

这一特性有时以流过栅极的栅流表示

MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3.、漏源击穿电压BVDS

在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；

（2）漏源极间的穿通击穿；

有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID。

4、栅源击穿电压BVGS

在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

5、低频跨导gm

在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导；

gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数

一般在十分之几至几mA/V的范围内

6、导通电阻RON

导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间

由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7、极间电容

三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

CGS和CGD约为1～3pF，CDS约在0.1～1pF之间

8、低频噪声系数NF

噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化

噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）。这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小

低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

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