场效应管的主要参数

场效应管的主要参数,第1张

饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。

夹断电压UP它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。

开启电压UT它可定义为:当UDS一定时,使ID到达某一个数值时所需的UGS。 交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内,特殊的可达100mS,甚至更高。

低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。

极间电容场效应管三个电极之间的电容,它的值越小表示管子的性能越好。 ①最大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值,

②最大耗散功率是指在管子中的功率,受到管子最高工作温度的限制,

③最大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压,

④最大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。

除以上参数外,还有极间电容、高频参数等其他参数。

漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时,产生雪崩击穿时的UDS。

栅极击穿电压结型场效应管正常工作时,栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态,若电流过高,则产生击穿现象。

使用时主要关注的参数有:

1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。

2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 。

编辑-Z

7N60极限参数 :

(1)IDSM,最大漏源电流,是指场效应管7N60正常工作时,漏源之间允许通过的最大电流。 场效应管的工作电流不应超过ID。该参数会随着结温的升高而降额;

(2)IDM,最大脉冲漏源电流,7N60这个参数会随着结温的升高而降额;

(3)PDSM,最大耗散功率,是指7N60性能不恶化时允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管的实际功耗应小于PDSM,并有一定的余量。该参数通常会随着结温的升高而降低;

(4)VGS,最大栅源电压,当栅源之间的反向电流开始急剧增加时的电压值。结型MOS管正常工作时,栅极和源极之间的PN结处于反偏状态,电流过大,会发生击穿;

(5)Tj,最高工作结温,通常为150℃或175℃,在器件设计的工作条件下,必须避免超过此温度,并应保留一定的余量;

(6)TSTG,储存温度范围。

7N60除上述参数外,还有电极间电容(MOS管三个电极之间的电容,数值越小管子的性能越好)、高频参数等参数。

7N60静态参数 :

(1)V(BR)DSS,漏源击穿电压,是指当栅源电压VGS为0时,场效应管7N60所能承受的最大漏源电压。这是一个极限参数,工作电压施加到FET必须小于V(BR) DSS。它具有正温度特性。因此,该参数在低温下的值应作为安全考虑。

(2)RDS(on),在特定的VGS(通常为10V)、结温和漏极电流的条件下,MOS管7N60导通时漏极和源极之间的最大电阻。这是一个非常重要的参数,决定了MOS管7N60开启时的功耗。该参数通常随着结温的增加而增加。因此,该参数在最高工作结温下的值应作为损耗和压降计算;

(3)VGS(th),开启电压(阈值电压)。当施加的栅极控制电压VGS超过VGS(th)时,漏极区和源极区的表面反型层形成连通沟道。在应用中,在漏极短接的情况下,ID等于1mA时的栅极电压通常称为导通电压。这个参数一般会随着结温的升高而降低;

(4)IDSS,饱和漏源电流,栅极电压VGS=0且VDS为一定值时的漏源电流,一般为微安级。由于MOS管的输入阻抗较大,IGSS一般在纳安级。

VDSS----最大-耐压

VDGR----栅漏耐压

VGS(th)------控制栅门限电压(或叫最低栅控制电压)

VGSM---控制栅最大电压

ID---------漏极最大电流

tr----------最大工作频率(或叫响应速度)

RDS(on)--D/S导通电阻

使用者注意以上参数便行。


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