你的另一个提问，因为给出了XRD谱，已经回答：
http://zhidao.baidu.com/question/1301835207292159659.html?sort=6&old=1&afterAnswer=1#here。
接下去的工作，你先把每个峰的d值都计算出来、或者利用读谱软件、如同你们现在读到的那两个峰的那样把全部峰都读出来d值，再去X衍射实验室，查找你的样品的标准XRD谱 或依据你的XRD谱的d值、按照d值索引或其它索引去查找DPF数据库粉末衍射卡片所对应的标准晶型物质。
比较你们的XRD谱和标准物质的XRD数据资料，如果一样或较接近，那么标准物质数据库中粉末衍射卡片上已经罗列的数据、资料，你都可以利用。
PDF（或JCPDS或ASTM）卡片各栏的内容：
1区：晶面间距d值区——1a,1b,1c是2θ<90°角区的三条最强谱线的d值（Å），1d是该物相的最大d值。
2区：谱线相对强度I/I1区——最强线定义为100，相对强度值对应于1区的谱线。
3区：衍射实验条件区——射线源（Rad），滤波片(Filler)，园筒相机内径(dia.)，所能测的最大面间距(cut off)，相对强度测量方法(I/I1)——G. C. Diffractometer(盖革计数器衍射仪法)；Calibrated Strip(强度标定法)Visual(目测法)等；d corr. Abs?(d值经法吸收校正否？)；Ref (参考文献)。
4区：晶体学参数区——晶系（Sys.）,空间群(S. G. ,前面是国际符号，后面是熊夫利符号)，晶胞数据（a0，b0，c0），轴率（A= a0/b0，C= c0/b0），轴角α、β、γ。单位晶胞内分子数（Z），单位晶胞体积(V)，Ref (该区数据参考文献)。
5区：光学及其它物性区——折射率（ε或ω分别为四方、三方、六方晶系平行于或垂直于光轴的折射率，α、β、γ分别是三斜、单斜、正交晶系的三个主折射率），光学符号（Sign），光轴角(zV)，D密度，Dx基于XRD谱法测试的密度，熔点（mp），颜色(color)等。
6区：样品来源、制备方法，化学成分相关资料区——S. P. (升华点)，D. P.(分解温度)，T. P. (转变点)。
7区：物相的化学式或英文名称区——
（1）对于含金及金属的氢化物、硼化物、碳化物、氮化物、氧化物等，在其化学式(常放括号内)后也给出单位晶胞的“化学式分子”数目的数字和代表布拉维空间格子类型的字母。其字母代表的14种布拉维格子为：
B 体心立方 cI， C 简单立方 cP， F 面心立方 cF， H 简单六方 hP，
M 简单单斜 mP，N 底心单斜 mC，O 简单正交 oP， P 体心正交 oI，
Q 底心正交 oC， R 简单菱方 hR，S 面心正交 oF， T 简单四方 tP，
U 体心四方 tI， Z 简单三斜 aP
如，（ZrO2 12M，表示ZrO2属简单单斜（缩写为mP）格子，晶胞中12个ZrO2。
如果两个相仅结构不同而其它特征均同，则在字母前加小写字母以资区分，如（Se）32aM，（Se）32bM。
（2）对于层状结构的物相，在其化学式或化学名称后也给出表示多型的符号。其中的数字部分代表单位晶胞内结构单元层的数目，字母代表晶系：
c立方晶系，H六方晶系，M单斜晶系，O正交晶系，R三方晶系(菱面体)，T三方晶系（六方体），Tr三斜晶系，Tt四方晶系。
如果两个多型体的物相、重复层数和晶系均相同，则在字母后用脚标1,2区分。如白云母的2M1物相和2M2物相。
8区：物相的化学式和矿物名或俗名区——
（1）此处显示点式化学式或结构式化学式。点式常乘上适当倍数以便与左边7区的化学式一致。矿物名时加括号表示是人造矿石。矿物名后也可附加如7区所用的表示多层的符号。
（2）右上角用星号等注解所列数据的可靠程度（精度标签QM）：
★ 和*——较高可靠性数据；
i ——数据可靠性稍差、已指标化的数据，强度是估计的，准确性不如星号的；
（空白无符号）——数据一般性可靠；
O ——数据取自多相混合物，精度不高；
C ——由结构参数出发计算所得的数据。
这些符号也标注在检索手册中每行索引的最左边，含义相同。
9区：物相所有的衍射数据区——面间距d（Å ）、相对强度I/I1和衍射指数hkl。
本区有时出现的注解字母及其含义是：
α1 ——由α1辐射产生的衍射线；
β——由于β线的出现或与β线重迭而强度不确定的线；
b ——宽的、弥散或模糊的衍射线；
d ——双线；
nc ——不能被所归属晶胞解释的线；
ni ——不能用所给晶胞参数指标化的线；
np ——不能被所给空间群允许的线；
tr ——痕迹衍射线；
+ ——可能的外加指数。
10区（表头）：卡片号码——（卡片组号）-（同组中卡片序号），如8-625。若衍射数据多，占用2张卡片，则第2张同样的号码后续“a”，如8-625a。有的物相给出两张卡片，第一张给出的衍射数据是峰值相对强度，第二张给出的是积分强度，这时第二张卡号码后会缀以“A”，如8-625A。
现在，有更新的仪器解析辅助软件可利用。
祝你顺利！进步！成功！
氧化锌纳米材料的制备、性能、表征及应用综述杨波
（专业：无机非金属材料工程 班级：化材1101 学号201144049） 摘要：纳米材料以其独特的结构与性能受到世人广泛的关注；本文简要介绍了纳米氧化锌材料的最新制备方法、分析表征方法、主要性质、应用、生物毒性、未来研究方向及展望。
关键词：纳米材料；氧化锌；制备；生物毒性；研究方向
1、前言
纳米Zn0 是一种新型高功能精细无机产品，与普通 ZnO 相比，因其特有的表面效应、体积效应、量子效应和介电限域效应等，在催化、光学、磁性和力学等方面展现出许多特异功能，特别是它的防紫外辐射及其在紫外区对有机物的催化降解作用，使其在陶瓷、化工、电子、光学、生物、医药等很多领域具有重要的应用ZnO 有纳米管、纳米棒、纳米丝和纳米同轴电缆、纳米带、纳米环、纳米笼、纳米螺旋及其超晶格结构等多种纳米形态，是纳米材料家族中结构最多样的成员之一。
本文主要评述了近年来氧化锌纳米材料制备的一些新方法，比较了各种方法的优缺点；介绍了氧化锌纳米材料的性质及其可能的应用领域，并对氧化锌纳米材料的发展前景进行了展望。
2、氧化锌纳米材料制备的新方法
对纳米材料的研究首先是侧重于制备方法的研究，随着研究的不断深入，近年来, 人们已开发了一系列制备氧化锌纳米材料的新方法, 如微波法、静电纺丝法、离子液体法、脉冲激光烧蚀沉积法、频磁控溅射法、等，下面将对其一一介绍。
2.1、静电纺丝法
静电纺丝是一种制备纳米纤维的技术, 这种方法可以十分经济地制得直径为纳米级的连续不断的纤维。近年来，由于对纳米科技研究的迅速升温，静电纺丝这种可大规模制备纳米尺寸纤维的纺丝技术激起了人们的广泛兴趣。
典型的静电纺丝装置见图 1，装置一般由三个部分组成：高压直流或交流电源、电纺丝喷嘴、接收电极。聚合物溶液或熔体与高压电源通过导线相连, 接收板接地，当高压电施加于聚合物溶液或熔体时，位于针头顶端的液滴表面强电场作用下，将带有大量的诱导电荷，液滴在其表面电荷的排斥力和外部电场的库仑作用力下，变形成泰勒锥状，当电场强度达到某一临界值时，静电力将克服溶液的表面张力，液体流将从泰勒锥顶端喷射而出，在射流运动一段距离后，裂分为许多小的聚合物流。在此过程中，由于受到连续的电场拉伸作用力和溶剂挥发的影响，从而在接收板上得到无纺布状纳米纤维。
静电纺丝技术对溶液粘度的要求非常严格，所以过去仅被限制于用有机高聚物来制备纳米纤维。最近，人们发现溶胶-凝胶法配制成的溶液作为前驱体也能很
好地满足静电纺丝所要求的粘度，因而电纺丝制备无机氧化物纳米纤维也就成了可能。
制备 ZnO 纳米纤维的过程主要包括三个步骤:
(1)配制合适浓度的聚合物/锌盐的前驱溶液；
(2)通过静电纺制备出聚合物/锌盐的复合纳米纤维；
（3）对复合纤维进行煅烧, 最终得到 ZnO 纳米纤维。
目前，我校（大连理工大学）王刚老师及其团队成功运用此技术合成了一系列复合纳米材料纤维。
同其他方法相比，静电纺丝技术是能够制备长尺寸的、直径分布均匀的、成分多样化的氧化锌纳米纤维的最简单的方法，且具有设备简单、操作容易以及高效等优点，因此激起了人们的广泛兴趣。
但静电纺丝法制备氧化锌纳米纤维的文献较少，其主要的不足之处表现在溶剂的挥发性不好，纤维之间有粘连现象等方面，故有待于进一步研究改进。
2.2、微波法
微波是频率 300MHz ～300GHz 、波长 1mm ～1m 的电磁波。
1986 年，Gedye R 等在微波炉内进行了酯化、水解等化学反应。此后，微波技术便逐渐渗透应用于化学的各个领域。近年来，微波技术大量应用于材料化学和催化化学领域[18]，日益显示其独特优势。利用微波制备纳米材料，起步虽晚但进展迅速，国内外已有不少这方面的文献报道。
例如Hu H x 等应用微波液相合成连接型 ZnO 晶体棒产率大于 90％，合成过程不需要晶种、表面活性剂和模板剂等。该方法具有快速简单、成本低廉、节能高效等特点，适合规模化生产。李轶等用微波加热水解法制得花形结构的 ZnO 纳米粒子；余磊等以硫酸锌和碳酸钠为原料，采用微波诱导固相化学反应首先合成前驱体碳酸锌，再经热分解后纯化制得平均粒径 5.6nm 的 ZnO 。该法具有原料来源广、成本低廉、实验设备简单、工艺流程短、反应时间短、操作方便和易于分散等优点，具有实用价值。
微波法具有常规方法无法比拟的快速、节能和环保等优点，所制备的材料具有某些特殊的结构和性能。微波作为特殊的电磁复合能量场，在制备 ZnO 材料的过程中除了均匀、迅速的热效应外，非热效应的作用机理有待于进一步研究和探
讨。另外，微波制备 ZnO 要用于工业化生产还有许多技术问题需要解决。
2.3离子液体法
离子液体法是采用离子液体作为反应溶剂来制备纳米材料。
此法也表现出许多其他方法不具备的优点。Wang W W 等应用离子液体法在离子液体BF4中通过控制适当的条件，成功合成形状可控的针状和花状的 ZnO 材料。合成快速(5～20)min ，也不需要晶种、表面活性剂和模板剂等。
但这种方法还是一个比较新的方法，尚待进一步完善，如：离子液体制备纳米材料时，离子液体的制备时间较长且易受到杂质的污染；此外，离子液体的获得不如水或常用的有机溶剂方便，这也限制了它的广泛使用。
2.4脉冲激光烧蚀沉积法
日本的 Okada 等运用脉冲激光烧蚀沉积法成功合成了 ZnO 的纳米棒。
他们将纯度为 99.99％ZnO 目标物在 KrF 激光下消融，然后在载气 (O2/He) 气氛下保持一定的温度进行反应，最终在A12O3底物上成功获得了尺寸为 120nm 的 ZnO 纳米棒。
该法制备纳米粒子无需经过干燥的过程、工艺简单、团聚少，不需其他处理即可获得干燥粉体。但由于反应温度较高，需要装置具有承受高温或高压的能力，所以设备比较昂贵。
2.5频磁控溅射法
Kim 等使用 Si 作为衬底，Zn 作为靶材料在一定条件下溅射，首先得到了 Zn 的纳米线，经过氧化进一步得到了形貌规整、分布均匀的 ZnO 纳米线。
使用该制备方法获得的 ZnO 无论是结晶质量还是光学性能都很突出。与目前广泛采用的气液固催化机制制备 ZnO 低维纳米材料相比，射频磁控溅射法的设备更为简单，还可克服气液固催化生长所固有的杂质污染产物的缺点。
但射频磁控溅射法需在高温下进行，对于设备的要求较高，过程难以控制。 除了以上五个相对前沿的方法之外，合成氧化锌纳米材料的方法还包括真空蒸汽冷凝法、球磨法、热爆法、微/乳液法、脉冲激光沉积法（PLD ）、喷雾热解法、模板法等，这几种方法均可以得到纯度高，粒径和形貌可控的氧化锌纳米材料，但是制备工艺复杂，抑或是设备比较昂贵。因此，无论是哪一种合成方法都还需要进一步的摸索和完善。
3、纳米材料的表征
详尽的分析表征对于研制纳米材料极其重要，关系到制备材料是否具备设定的性质，是否适合相关应用等。同时，分析表征对进行纳米材料生物效应和毒性研究也非常重要，只有掌控完全细致的表征，才能对最后的实验结果进行合理的分析。
对纳米材料的分析表征并不是一种技术就可以完成的，需要多种分析表征技术综合运用，才能对材料的性质等给出一个完整的结论。常用的分析表征方法如下：
3.1 扫描电子显微镜
扫描电子显微镜（SEM ）是研究材料最常用的仪器设备。功能包括固体材料的断口，表面形貌的观察研究，材料的物相分析、成分分析以及材料表面微区成分
的定性与定量分析等，目前已经成为不可或缺的表征手段。
所以利用SEM 我们可以获得ZnO 纳米材料颗粒的形貌，尺寸，微区元素分析等信息。
3.2 透射电子显微镜
透射电子显微镜（TEM ）的成像与透射光学显微镜的十分相似，只是以电子束代替了可见光，以电磁透镜代替了光学透镜。通过TEM 我们可以对样品进行一般形貌观察，获得纳米材料的粒度分布，也可利用电子衍射，选区电子衍射、会聚束电子衍射等技术对样品进行分析，从而获得材料的物相、晶系等，还可以利用衍射和高分辨率电子显微技术，观察晶体中存在的结构缺陷，确定缺陷的种类，估算缺陷密度。
聚焦离子束扫描电镜双束系统（FIB-SEM）是在SEM的基础上增加了聚焦离子束镜筒的双束系统，同时具备微纳加工和成像的功能，广泛应用于科学研究和半导体芯片研发等多个领域。本文记录一下FIB-SEM在材料研究中的应用。
以目前实验室配有的FIB-SEM的型号是蔡司的Crossbeam 540为例进行如下分析，离子束最高成像分辨率为3nm，电子束最高分辨率为0.9nm。该系统的主要部件及功能如下：
1.离子束： 溅射（切割、抛光、刻蚀）；刻蚀最小线宽10nm，切片最薄3nm。
2.电子束 ： 成像和实时观察
3.GIS(气体注入系统)： 沉积和辅助刻蚀；五种气体：Pt、W、SiO2、Au、XeF2(增强刻蚀SiO2)
4.纳米机械手： 转移样品
5.EDS： 成分定量和分布
6.EBSD ： 微区晶向及晶粒分布
7.Loadlock（样品预抽室）： 快速进样，进样时间只需~1min
由上述FIB-SEM的一个部件或多个部件联合使用，可以实现在材料研究中的多种应用，具体应用实例如下：
图2a和b分别是梳子形状的CdS微米线的光学显微镜和扫描电镜照片，从光学显微镜照片可以看出在CdS微米线节点处内部含有其他物质，但无法确定是什么材料和内部形貌。利用FIB-SEM在节点处定点切割截面，然后对截面成像和做EDS mapping，如图2c、d、e和f所示，可以很直观的得到在CdS微米线的节点处内部含有Sn球。
FIB-SEM制备TEM样品的常规步骤如图3所示，主要有以下几步：
1）在样品感兴趣位置沉积pt保护层
2）在感兴趣区域的两侧挖大坑，得到只有约1微米厚的薄片
3）对薄片进行U-cut，将薄片底部和一侧完全切断
4）缓慢移下纳米机械手，轻轻接触薄片悬空的一端后，沉积pt将薄片和纳米机械手焊接牢固，然后切断薄片另一侧，缓慢升起纳米机械手即可提出薄片
5）移动样品台和纳米机械手，使薄片与铜网（放置TEM样品用）轻轻接触，然后沉积pt将薄片和铜网焊接牢固，将薄片和纳米机械手连接的一端切断，移开纳米机械手，转移完成
6）最后一步为减薄和清洗，先用大加速电压离子束将薄片减薄至150nm左右，再利用低电压离子束将其减薄至最终厚度（普通TEM样品<100nm，高分辨TEM样品50nm左右，球差TEM样品<50nm）
一种如图4a所示的MoS2场效应管，需要确定实际器件中MoS2的层数及栅极（Ag纳米线）和MoS2之间的距离。利用FIB-SEM可以准确的在MoS2场效应管的沟道位置，垂直于Ag纳米线方向，提出一个薄片，并对其进行减薄，制备成截面透射样。在TEM下即可得到MoS2的层数为14层（图4c）， Ag纳米线和MoS2之间的距离为30nm（图4b）。
图5是一种锰酸锂材料的STEM像，该样品是由FIB-SEM制备，图中可以看到清晰的原子像。这表明FIB-SEM制备的该球差透射样非常薄并且有很少的损伤层。
FIB-SEM还可以进行微纳图形的加工。
图6a 是FIB-SEM在Au/SiO2上制备的光栅，光栅周期为150nm，光栅开口为75nm。
图6b 是利用FIB-SEM在Mo/石英上做的切仑科夫辐射源针尖，针尖曲率半径为17nm。
图6c 是在Au膜上加工的三维对称结构蜘蛛网。
图6d 是FIB-SEM在硅上刻蚀的贺新年图案，图中最小细节尺寸仅有25nm。
FIB-SEM可以对材料进行切片式的形貌和成分三维重构，揭示材料的内部三维结构。大概过程如图7a所示， FIB切掉一定厚度的样品，SEM拍一张照片，重复此过程，连续拍上百张照片，然后将上百张切片照片重构出三维形貌。图7b是一种多孔材料内部3×5×2um范围的三维重构结果，其实验数据是利用FIB-SEM采集，三维重构是利用Avizo软件得到，其分辩率可达纳米级，展示了内部孔隙的三维空间分布，并可以计算出孔隙的半径大小、体积及曲率等参数。
利用FIB-SEM配有的纳米机械手及配合使用离子束沉积Pt，可以实现微米材料的转移，即把某种材料从一个位置（衬底）转移到特定位置（衬底），并固定牢固。图8是把四针氧化锌微米线从硅片转移到两电极的沟道之间，从而制备成两个微米线间距只有1um的特殊器件。
最后，FIB-SEM还有很多其他的应用，例如三维原子探针样品制备，芯片线路修改等。总之FIB-SEM是材料研究中一个非常重要的手段。
不积珪步，无以至千里；不积细流，无以成江海。做好每一份工作，都需要坚持不懈的学习。
欢迎分享，转载请注明来源：夏雨云
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表（0条）