2.电阻率过大说明硅片掺杂偏少,或者硅片基体含有补偿性杂质,如磷、氧等施主元素偏多。前者导致开压Voc低,短路电流Isc高,转换效率Eta不好说;后者不仅开压低而且短路电流低,转换效率一定低。
3.电阻率过小说明硅片掺杂B偏多,或者硅片基体含有金属杂质偏多,如铁、铝等。前者导致开压Voc高,短路电流Isc低,转换效率Eta不好说;后者形成深能级杂质,导致不仅开压低且短路电流低且填充因子低,转换效率一定低。
单从硅片
的使用来说,
电阻率
越大越好,因为这时硅片纯度较高(排除反型掺杂)。
从
制造成本
来说,硅片纯度越高,则
工艺过程
成本越高。
所以用硅片制造不同的
器件
,用相应电阻率的硅片即可。(过小会影响器件性能)
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