SEM和EPMA实验可以直接得到哪些信息?

SEM是

扫描电子显微镜

，主要用于电子显微成像，接配电子显微分析附件，可做相应的特征分析，

最常用的是聚焦

电子束

和样品相互作用区发射出的元素特征

X-射线

，可用EDS或者WDS进行探测分析，获得微区（作用区）元素成分信息，而EDS或者WDS这类电子显微分析附件却来源于EPMA。

SEM就是一个电子显微分析平台，分析附件可根据用户需要来选配，有需要这个的，有需要那个的，因此

扫描电镜

结构种类具有多样性，从tiny、small、little

style，to

middle、large、huge

style.

就EDS或WDS分析技术来讲，在SEM上使用，基本上使用无

标样

分析，获得很粗糙的

半定量

结果。

而EPMA在SEM商品化10年前，就已经开始实用了，其主要目的，就是要精确获得微米尺度晶粒或颗粒的成分信息.

主要分析手段是WDS，一般配置4个WDS，基于此，EPMA结构比较单一，各品牌型号结构差距不大。EMPA追求电子显微分析结果精准，因此

电子光学

设计不追求高分辨，电子显微分析对汇聚束的要求相匹配即可。

早期EPMA成像手段主要采用同轴

光学显微镜

，然后移动样品台或移动汇聚电子束，找到感兴趣区，当前依然保留同轴光镜，用来校准WD。EMPA对电子光学系统工作条件的稳定性要求超过SEM很多很多，控制系统增加了一些

负反馈

机制，确保分析条件和标样分析保持很小的误差。

SEM：材料的表面形貌，形貌特征。配合EDX可以获得材料的元素组成信息

TEM：材料的表面形貌，结晶性。配合EDX可以获得材料的元素组成

FTIR：主要用于测试高分子有机材料，确定不同高分子键的存在，确定材料的结构。如单键，双键等等

Raman：通过测定转动能及和振动能及，用来测定材料的结构。

CV：CV曲线可以测试得到很多信息，比如所需电沉积电压，电流，以及半导体行业可以得到直流偏压

EIS：EIS就是电化学交流阻抗谱测试可以得到电极电位，阻抗信息，从而模拟出系统内在串联电阻，并联电阻和电容相关信息

BET：主要是测试材料比表面积的，可以得到材料的比表面积信息。

XRD：主要是测试材料的物性，晶型的。高级的XRD还可以测试材料不同晶型的组分。

质谱：主要用于鉴定材料的化学成分，包括液相质谱，气象质谱

XRD可以做定性，定量分析。即可以分析合金里面的相成分和含量,可以测定晶格参数,可以测定结构方向、含量，可以测定材料的内应力，材料晶体的大小等等。一般主要是用来分析合金里面的相成分和含量。

样品制备：

通常定量分析的样品细度应在1微米左右，即应过320目筛。

SEM是利用电子和物质的相互作用，可以获取被测样品本身的各种物理、化学性质的信息，如形貌、组成、晶体结构、电子结构和内部电场或磁场等等。主要是利用二次电子信号成像来观察样品的表面形态，即用极狭窄的电子束去扫描样品，通过电子束与样品的相互作用产生各种效应，其中主要是样品的二次电子发射。

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