yp11113场效应管参数

参数为下：

1、IDSS，饱和漏源电流，是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。

2、UP，夹断电压，是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT，开启电压，是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM，跨导，是表示栅源电压UGS对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS漏源击穿电压，是指栅源电压UGS定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压，这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM最大耗散功率，也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率，使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM最大漏源电流，是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流，场效应管的工作电流不应超过IDSM。

三极管13001是小功率电子镇流器，是节能灯里最常用的三极管。特点是高频高耐压。

13001三极管的主要参数包括如下所示：

Vcbo=500V；Vceo=400V；Vebo=9V；Icm=1.5A；Pcm=900mW

拓展资料：

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

参考资料：百度百科——三极管

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