SEM用硅片含有氧元素吗

为了阐明蚀刻残留物的形成机理，研究了氯/氦-氧、溴化氢/氦-氧和溴化氢/氯等不同气体混合物的影响，我们发现，在氧的存在下，蚀刻残留物形成良好，这表明蚀刻残留物是由氧和非挥发性卤化硅化合物的反应引起的，湿法清洗和干法蚀刻清洗工艺被用于去除多晶硅蚀刻残留物，这可能影响电特性和进一步的器件工艺。XPS结果表明，湿法清洗适用于蚀刻残留物的去除。

本文利用HBr/Cl/He-O2反应气体对多晶硅进行反应离子蚀刻后，利用X射线光电子能谱(XPS)和电子显微镜(SEM)对表面形成的杯状流层进行了研究，为了查明蚀刻残留物的形成机制，从原来的混合气体成分中分别排除一种成分的反应气体，观察了其效果。同时，为了消除使用HBr/CI/He-O2混合气体冷却后形成的残留层，引入了湿法和干式工艺进行了比较。

测什么百度一下吧，应该都有详细的测试原理及项目。

区别应该是 SEM和TEM和AFM，越来越高级，放大倍数越来越高。XRD和红外光谱这两个是没什么关系的，xrd是测试晶体结构的，可以测试晶体结构的，对于可以看出你的材料是什么。红外是靠红外吸收峰的位置与强度反映了分子结构上的特点，可以用来鉴别未知液态水的红外光谱物的结构组成或确定其化学基团；而吸收谱带的吸收强度与化学基团的含量有关，可用于进行定量分析和纯度鉴定。l红外主要用于有机化合物的结构鉴定在有机化学、生物化学、药物学、环境科学等许多领域。

SEM说俗了 就是用高速的电子打击标本 捕获打回来的电子 然后电脑分析 得到的图象就是物体表面的照片 和普通黑白照片没区别 只不过是很小很小的物体 在纳米级别上的迷你照片~

电子探针就不一样了 全名为电子探针X射线显微分析仪 又名微区X射线谱分析仪 听着听深奥 实际上就是把高速的电子打在物体上 这点和SEM一样 但是它捕获的不是电子 它要的是物体受到电子攻击产生的X线``（如果你大学物理学的好没挂科的话你应该记得一个叫做特征X线 它要的就是这个玩意） 因为这个X线含有标本的化学成分信息``所以它长用来分析物体里有什么 这样我们就知道标本里面有多少氢多少氧等等`

总结就是：都把高速的电子打到了标本上 SEM捕获了反弹回来的电子 从而知道了物体表面长什么样子 电子探针捕获了物体激发出来的X光 从而知道了物体里面有什么成分

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