碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅)。碳化硅晶体一个晶胞内有4个碳原子和4个Si原子。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。
碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,用以制成的高级耐火材料,耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好。低品级碳化硅(含SiC约85%)是极好的脱氧剂,用它可加快炼钢速度,并便于控制化学成分,提高钢的质量。
扩展资料:
碳化硅的应用领域包括:功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。
1、可作为磨料,可用来做磨具,如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。
2、可作为冶金脱氧剂和耐高温材料。
3、作为高纯度的单晶,可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。
参考资料来源:百度百科-碳化硅
碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学稳定性、抗辐射的性能,具有与氮化镓(GaN)相近的晶格常数和热膨胀系数,不仅是制作高亮度发光二极管(HB-LED)的理想衬底材料,也是制作高温、高频、高功率以及抗辐射电子器件的理想材料。碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性,在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。
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