一般二次电子像主要反映样品表面微观形貌,基本和自然光反映的形貌一致,特殊情况需要对比分析。
背散射电子像主要反映样品表面元素分布情况,越亮的区域,原子序数越高。
第二、看表面形貌,电子成像,亮的区域高,暗的区域低。非常薄的薄膜,背散射电子会造成假像。导电性差时,电子积聚也会造成假像。
20KV 加速电压放大5万倍
工作距离 11mm
ETD : E-T型二次电子探测器
Spot,束斑大小控制参数
成像模式:二次电子像
2μm 比例尺 scale
FEI 是公司名称 后边是sem型号
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