三星128GB单条 DDR4内存开始量产是3D的

2014年8月底，三星电子宣布量产全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的'DDR4内存条，单条容量高达64GB。一年多后，三星将这一容量翻了一番，开始量产128GB TSV DDR4内存条。

新内存依然是面向企业级服务器市场的RDIMM类型条子，使用了多达144颗DDR4内芯片，每一颗容量8Gb(1GB)，然后每四颗芯片利用TSV技术紧密封装在一起，总计36个组，分布在内存条两侧。

制造工艺是三星最先进的20nm，起步频率2400MHz，接下来将逐步提升到2667MHz、3200MHz。

另外，三星还会把TSV硅穿孔技术应用到HBM高带宽内存中。

三星最近开始对其32 Gb容量的DDR4内存芯片进行出样，提升存储密度后的新产品将有助于DRAM封装厂更容易进行高容量存储器模块的生产。 三星的32 Gb A-die DDR4-2666芯片由两个堆叠的16 Gb DDR4裸片组成，采用该公司的10纳米级工艺技术生产。

三星提供两种版本的32 Gb DDR4封装：一种采用2G x8结构，另一种采用1G x16结构。前者被存储器控制器视为两个DRAM存储器设备，而后者被视为一个设备。 DDP（双芯片封装）采用标准78或96球FBGA外形尺寸，使用1.2V的工业标准电压。

JEDEC的DDR4规范仅描述了4 Gb，8 Gb和16 Gb内存设备。因此，DRAM制造商必须使用更先进的封装技术为服务器或工作站的高容量存储器模块构建芯片。 DDP不是特别新的东西，但32 Gb DDR4-2666 DDP是三星独有的。

32 Gb DDR4内存芯片将使模块和PC制造商能够使用更少的DRAM芯片，为需要高内存密度或小外形尺寸的应用构建高容量解决方案。显然，双列内存模块仍然需要内存控制器的支持，但至少使用这些芯片构建高容量内存子系统会更容易。

三星没有透露其32 Gb DDR4-2666 DDP的定价，但很明显它们将以比较高的价格出售，因为它们只能从三星获得，而且它们比SDP更难建造。

三星ddr43200内存条时序默认为DDR4，2133，1.2V。ddr43200内存时序参数调为3200(16)8Gx16，CL16-16-161.35V为好。加载XMP可直接提升频率为DDR4-3200-16-16-16-362T，高频下的电压为1.35V。ddr4-3200内存条不动第一时序，应调整第二时序入手，放大tRFC、tREF可获得更高的预率：ddr4内存与ddr4、ddr42内存不同，第一时序中的CR对内存频率和性能影响不大，ddr4第二时序中的tRTP、tRTW和tWTR对性能影响不大，可适当放宽以提高超频后的稳定性，tRRD对性能的影响则比较大。

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