1、结构差异。主要体现在不同样品在电子束光路中的位置不同;
2、焦深不同。电子束在穿过样品时,会和样品中的原子发生散射,样品上某一点同时穿过的电子方向不同。
烧结试样的 SEM 分析采用日本日立公司生产的 S-520 扫描电子显微镜完成。首先将试样的新鲜断裂面在 IB-3 离子溅射渡膜仪中喷渡厚度约为 10 ~20 nm 的金,对结构致密的部分试样断裂面采用 40%浓度的氢氟酸 ( HF) 侵蚀 20min 后进行镀金,然后放入 SEM样品室内进行观察,电子枪电压采用 20kV,电子束流为 150 mA,并用照相方式记录样品的二次电子图像 ( 或称之为形貌像) 。
欢迎分享,转载请注明来源:夏雨云
评论列表(0条)