2020.02.03小刘科研笔记之材料的表征方法

2020.02.03小刘科研笔记之材料的表征方法,第1张

形貌、成分和结构的表征是材料的生长、鉴别、加工、研究和应用等过程中很重要的一个步骤。材料的表征方法按照实验数据类型可以分为图像类和谱图类两类,其中图像类有SEM、FIB-SEM、AFM和TEM等;谱图类有XPS、XRD、Raman、FT-IR、UV-vis、NMR、XAS以及配合电镜使用的EELS和EDS等。

SEM、FIB-SEM和AFM主要用来表征材料的形貌特征,TEM、EELS、EDS 、XPS、XRD、Raman、FT-IR、UV-vis、NMR和XAS主要用来表征材料的晶体结构、成分和化学键信息。

1.SEM

SEM是最广泛使用的材料表征方法之一。它具备较大的景深、较宽的放大范围和纳米级甚至亚纳米级高分辨率的成像能力,可以对复杂的、粗糙的表面形貌进行成像和尺寸测量,配合背散射电子探头可以分析一些材料的成分分布。另外,结合截面样品的制备,SEM还可以对样品的截面形貌进行表征和尺寸测量。图1是将硅衬底上生长的SiNX层刻蚀为周期性光栅结构,由其截面SEM图可以测量出,光栅开口为302.3nm,刻蚀深度为414.7nm,陡直度为90.7°,光刻胶残余为49.0nm。

2.FIB-SEM

FIB-SEM是在SEM的基础上增加了聚焦离子束镜筒的双束系统,同时具备微纳加工和成像的功能,在材料的表征分析中具有重要的作用。首先,FIB-SEM可以准确定点制备材料的截面样品,并对其进行形貌表征和尺寸测量,广泛应用于芯片失效分析和材料研究;另外FIB-SEM可以对材料进行切片式的形貌和成分三维重构,揭示材料的内部三维结构。图2是页岩内部5×8×7微米范围的三维重构结果,其分辩率可达纳米级,展示了页岩中孔隙、有机质、黄铁矿等的三维空间分布,并可以计算出孔隙的半径大小、体积及比例。FIB-SEM还有很多其他的强大功能,例如复杂微纳结构加工、TEM制样、三维原子探针制样和芯片线路修改等。

3.AFM

AFM是另一种用来表征材料形貌的常用技术。和SEM相比,AFM的优势是可以对空气和液体中的材料进行成像,另外它测量材料表面粗糙度和二维材料及准二维材料厚度的精度非常高。图3是在石墨炔的边缘得到的AFM图,可以得出石墨炔的厚度约为2.23nm,大约是6层石墨炔原子层。

4.TEM透射电镜

TEM以及它的附件(电子衍射、EDS、EELS、各种样品杆)是用来表征材料的形貌、晶格结构和成分最有效的方法之一。比较经常用到的基于TEM的技术有以下几种。

4.1 LMTEM

LMTEM(低倍TEM)可以用来观察材料的整体形貌和尺寸,辨别材料的不同形态。与扫描电镜相比,LMTEM分辨率更高一些,制样复杂一些,是三维结构的二维投影。图4a和b分别是石墨炔纳米线和薄膜的LMTEM图,可以很明显的揭示出石墨炔的不同形态。LMTEM图也可以分别展示出石墨炔纳米线和薄膜的直径和面积等尺寸信息。

4.2 SAED

SAED(选区电子衍射)经常用来表征材料的晶体结构、结晶性,以及辅助样品杆转正带轴,得到高质量HRTEM像。图5是一个利用SAED判断ZnO/Ga2O3异质结微米线优先生长晶向的例子。首先沿如图5a插图所示微米线的长轴方向提取薄片制成TEM样品(图5a),然后在ZnO处做选区电子衍射(图5b),并标定出沿微米线长轴方向的衍射斑间距,算出其对应的晶面间距为0.26nm;最后与ZnO的标准PDF卡片对比,得出微米线优先生长的晶向为[001],即c轴。

4.3 HRTEM

HRTEM是一种比SAED更快、更直观的表征材料晶面间距和结晶程度的技术。图6a是GDY(石墨炔)/CuO复合物的HRTEM像。从图中测量出的0.365nm和0.252nm分别与GDY层间距和CuO的(-111)晶面间距的理论值一致,从而确定该复合物是GDY和CuO的复合物。另外,从GDY和CuO界面处的HRTEM可以很直观的看出GDY和CuO之间有很好的结合。

4.4 EDS

EDS做为TEM和SEM的附件,可以用来分析材料的成分的组成和分布。而对于TEM,需要在其STEM成像模式下,才可以进行EDS mapping,揭示材料的成分分布。GDY/CuO复合物的STEM像和对应的EDS 元素mapping如图7所示。EDS mapping图表明该材料由C、Cu、O三种元素组成,还可以直观的看出复合物中的CuO被GDY成功的包裹在里面。

4.5 EELS

EELS(电子能量损失谱)是另一种类似于EDS的用于分析材料的成分组成和分布的技术。EELS和EDS之间的区别有:EELS和EDS分别更适用于轻和重元素;EELS还可以分析材料中元素的成键态;

另外,EELS还可以用来测量材料的厚度,其简单原理是收集记录样品的具有zero-loss peak的EELS谱,然后将zero-loss peak的面积积分I0与整个光谱的面积积分It比较,即可得出样品的厚度t=ln(It/I0)* λ,其中λ是所有非弹性散射电子的总平均自由程{参考文献6}。

参考文献

[1] 马勇,钟宁宁*,黄小艳,郭州平,姚立鹏.聚集离子束扫描电镜( FIB-SEM) 在页岩纳米级孔隙结构研究中的应用[J]. 电子显微学报,2014,33(3) : 251-256.

[2] Chao Li, Xiuli Lu, Yingying Han, Shangfeng Tang, Yi Ding, Ruirui Liu, Haihong Bao, Yuliang Li, Jun Luo*, Tongbu Lu*. Direct Imaging and Determination of The Crystal Structure of Six-layered Graphdiyne. Nano Res. 2018, 11, 1714−1721.

[3] Haihong Bao, Lei Wang, Chao Li*, and Jun Luo*. Structural Characterization and Identification of Graphdiyne and Graphdiyne-Based Materials. ACS Appl. Mater. Interfaces. DOI: 10.1021/acsami.8b05051

[4] M. Chen, B. Zhao, G. Hu, X. Fang,* H. Wang,* L. Wang, J. Luo, X. Han, X. Wang, C. Pan,* and Z. L. Wang*,Piezo-Phototronic Effect Modulated Deep UV Photodetector Based on ZnO-Ga2O3 Heterojuction Microwire,  Adv. Funct. Mater. 2018, 28, 1706379.

[5] Gao, X.Ren, H. Y.Zhou, J. Y.Du, R.Yin, C.Liu, R.Peng, H. L.Tong, L. M.Liu, Z. F.Zhang, J. Synthesis of Hierarchical Graphdiyne-Based Architecture for Efficient Solar Steam Generation. Chem. Mater. 2017, 29, 5777−5781.

[6] Egerton, R. F. Electron Energy-Loss Spectroscopy in the Electron MicroscopeSpringer: New York, 1995.

生物传感器作为一种新型的检测技术具有体积小,成本低,准确、灵敏、易操作,又不会或很少损伤样品或造成污染,可现场检测等优点,因此国内外对生物传感器展开了广泛深入的研究,且纳米材料在生物传感器中的应用也已经进入新的研究阶段。这是因为纳米材料的量子尺寸效应和表面效应可以有效地提高生物传感器的响应性能。

将α-ZrP层状材料进行剥离,剥离的α-ZrP比表面积大、表面活性中心多.以其作为插层主体,将葡萄糖氧化酶(GOx)引入到α-ZrP层间,制成了电化学葡萄糖传感器并将其应用于葡萄糖的检测中。由于α-ZrP层状材料具有良好的导电性,从而提高了生物传感器的灵敏度、稳定性及抗干扰能力。

一、实验部分

1、仪器和试剂

α-ZrP(from绵竹耀隆化工)、B-D-葡萄糖、葡萄糖氧化酶(GOx,196000unit/g)、四丁基氢氧化铵(TBAOH)、壳聚糖和二茂铁甲酸(FcCOOH)。配制三种不同的磷酸盐缓冲溶液(二茂铁甲酸):

(1)10 mmol/L PBS,pH7.0;

(2)10 mmol/L PBS,pH7.0, 1mmollL Ca2+);

(3)10 mm01/L PBS,pH7.0,1 mmol/L

实验中所用的其它试剂均为分析纯。所用水均为二次蒸馏水。所有实验均在室温下进行。

循环伏安法、差示脉冲伏安法和计时电流法均在CHI 760B型电化学工作站上室温下进行。计时电流法时,支持电解质的体积为10 mL。电化学实验采用三电极体系,修饰的玻碳(GCE,直径4 mm)电极为工作电极,Ag/AgCl电极为参比电极,铂电极为对电极。利用DOmax 2500 X—ray粉末衍射仪对样品的结构进行分析。利用JSM一5600LV显微镜进行扫描电子显微镜(SEM)分析。

2、α-ZrP的剥离和葡萄糖氧化酶的固定

首先配置2%α-ZrP的悬浊液。即将0.2g α-ZrP溶解在10 mL的二次蒸馏水中,然后加入适量的TBAOH。这样得到的悬浊液在室温下搅拌12h使α-ZrP剥离,再置于超声仪中超声40min,从而加快α-ZrP的剥离并使其能充分分散,将制得的2%α-ZrP的悬浊液和2.3 mg/mL COx溶液按照3:1的体积比进行混合.在室温下放置1 h使其达到平衡状态。反应完毕后反应液在10 000 r/min的转速下离心10 min。使游离的葡萄糖氧化酶与已经同定的葡萄糖氧化酶分离。再用二次蒸馏水进行清洗。最后将所制备的GOx/α-ZrP冻干。干燥之后可以发现。没有和GOx发生反应前,α-ZrP的粉末是白色的。当进行完以上反应过程后。得到的GOx/α-ZrP粉末变成了黄色,证明了GOx/α-ZrP的成功合成。

3、葡萄糖传感器的制备

在使用玻碳电极前,分别用1和0.05um的铝粉打磨电极,直到获得光滑的玻碳电极镜面为止。然后冲洗干净,再分别用二次蒸馏水、乙醇溶液和二次蒸馏水超声1 min。将由上面过程制得的干燥的GOx/α-ZrP粉末取1 mg溶解分散到0.5 mL二次蒸馏水中,然后取6uL的混合液滴在经过预处理的玻碳电极的表面,干燥后,再滴6uL 0.3%的壳聚糖溶液.再置于4℃冰箱中过夜自然干燥即可得到所需的生物传感器界面。在不使用时,将修饰有GOx/α-ZrP的电极置于4℃冰箱中干燥保存。

二、结果与讨论

1、α-ZrP和Gox/α-ZrP的表征

XRD作为研究晶体结构的一种重要手段。被广泛用来表征无机纳米材料。图1是GOx/α-ZrP的XRD衍射图。GOx/α-ZrP层间距的测量按Bragg定律进行计算。根据Bragg定律(从00l反射(Z=1,2, etc.))由此可以算出d=11.6 nm,即葡萄糖氧化酶的介入,使α-ZrP的层间距增大,同时可以表明葡萄糖氧化酶已经进入到α-ZrP的夹层当中。

图2是制备的GOx/α-ZrP层状材料的扫描电镜图。图2(a)为制备GOx/α-ZrP的低倍扫描电镜图。从图中可以看到制备的GOx/α-ZrP的大致形态。其薄膜表面致密并且比较均匀,这表明了GOx/α-ZrP膜的形成及其形成的层层组装的方式比较一致。图2(b)为GOr/α-ZrP的高倍扫描电镜图,从图中可以看到,层片状的GOx/α-ZrP,较均匀的排列,粒径较小,分层形成小的聚合体。

2、GOx/α-ZrP修饰电极的电化学行为

图3中曲线a是在0.1 mol/L磷酸盐缓冲溶液中(pH7.0)GOx/α-ZrP修饰电极的循环伏安曲线图。从图中可以看出GOx/α-ZrP修饰电极的循环伏安曲线没有明显的氧化还原峰,当往磷酸盐缓冲液中加入1 mmol/L二茂铁甲酸后出现一对很明显的氧化还原峰(曲线b),但当继续加入1mmol/L葡萄糖时。其循环伏安曲线发生了明显的变化(曲线C),氧化峰电流明显增大,而还原峰电流减小。这说明葡萄糖在GOx的催化作用下,发生氧化反应.使氧化还原曲线发生显著的变化。在该过程中。二茂铁甲酸只是媒介体,起着传导电子的作用.其氧化还原反应的反应机理:

在没有加人葡萄糖(曲线b)的情况下,加入二茂铁甲酸,只会发生(3)反应,(1)和(2)不发生,所以得到的是可逆的循环伏安曲线;但当在GOx存在.同时二茂铁甲酸也存在的条件下。加入葡萄糖(图3曲线c),(1)和(2)反应与(3)同时发生,由于(1)和(2)反应中发生的是得电子的过程,这与(3)中FcCOOH(ox)→FcCOOH(red)的半反应的得电子过程相竞争,使得还原峰电流减小;同时在整个反应中生成的FcCOOH red)增多,从而使得(3)的FcCOOH (red)→FcCOOH(ox)的半反应失电子增多,氧化峰电流增大。因此便得到了图3中的曲线C的氧化还原曲线图。

在固定葡萄糖的浓度为2 mmol/L的情况下,考察了不同浓度的二茂铁甲酸对GOx/α-ZrP膜修饰电极电化学行为的影响。图4是GOx/α-ZrP膜修饰的玻碳电极在10 mmol/L磷酸盐缓冲溶液(pH7.0)中加入不同浓度的二茂铁甲(浓度范围0.1~50 umol/L)的差示脉冲伏安响应曲线。从图4可以看出。随着二茂铁甲酸浓度的增大,其电流响应也随之增大,且峰位置保持不变。由此可以得出.二茂铁甲酸的浓度对GOx/α-ZrP膜修饰电极对葡萄糖的响应值有很大的影响。二茂铁甲酸的浓度越高。其响应值也就越大。由此可见,二茂铁甲酸的浓度影响了GOx/α-ZrP膜修饰电极的信号强度,同时也直接影响了传感器的检测下限.另外二茂铁甲酸的浓度与电流响应值之间存在正比例关系。综合以上结论可以得出高浓度的二茂铁甲酸对该实验是有利的。但由于二茂铁甲酸在中性条件下溶解度不高.整个实验过程采用二茂铁甲酸的浓度为1 mmol/L。

3、生物传感器的响应特性及葡萄糖的检测

图5是GO/α-ZrP膜修饰的玻碳电极对葡萄糖催化的循环伏安曲线图。从图中可以看到,当加入不同浓度的葡萄糖时。其氧化峰电流随葡萄糖浓度的增大而增大。而还原峰电流则随葡萄糖浓度的增加而不断减小氧化峰。并且氧化峰和还原峰的峰位置都不变,这是典型的电催化峰形特性。这表明了GO/α-ZrP膜修饰的玻碳电极在二茂铁甲酸存在的条件下对葡萄糖有很高的电催化活性。

图6A是GO/α-ZrP膜修饰的电极对葡萄糖响应的计时电流图,图6 B为葡萄糖传感器的标准曲线。从图中可以看到.该传感器对葡萄糖有灵敏快速的响应。在0.0l~20 mmol/L范同传感器呈良好的线性关系,相关系数为0.996,根据S/N=3的原则.可以得出检测下限为0.01mmol/L。由于传感器的线性范围覆盖了4个数量级.这表明了有大量的酶分子固定到电极表面。另外传感器对葡萄糖的灵敏度为4.74 uA/(mmol/L)。

三、结论

将α-ZrP进行剥离,通过α-ZrP与葡萄糖氧化酶的自组装,在α-ZrP层间成功地插入了葡萄糖氧化酶,再将该复合物同定到玻碳电极的表面,这样制得了的电化学葡萄糖传感器在用二茂铁甲酸作电子媒介体时对葡萄糖响应迅速,并有较宽的线性范围和较高的灵敏度。


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