二次电子是怎样产生的？其特征是？二次电子的像衬度取决于什么因素

仅供参考

背散射电子像的衬度要比二次电子像的衬度大,二次电子一般用于形貌分析,背散射电子一般用于区别不同的相.

二次电子像：

1）凸出的尖棱,小粒子以及比较陡的斜面处二次电子产额较多,在荧光屏上这部分的亮度较大.

2）平面上的二次电子产额较小,亮度较低.

3）在深的凹槽底部尽管能产生较多二次电子,使其不易被控制到,因此相应衬度也较暗.

背散射电子像：

1）用背散射电子进行形貌分析时,其分辨率远比二次电子像低.

2）背散射电子能量高,以直线轨迹逸出样品表面,对于背向检测器的样品表面,因检测器无法收集到背散射电子而变成一片阴影,因此,其图象衬度很强,衬度太大会失去细节的层次,不利于分析.因此,背散射电子形貌分析效果远不及二次电子,故一般不用背散射电子信号.

二次电子信号来自于样品表面层5～l0nm,电子与样品原子的核外电子作用，一部分能量转移到原子，导致原子中的一个电子被逐出而产生二次电子。二次电子信号强弱与样品表面粗糙度有关，可利用二次电子成像的模式-SEI模式观察样品表面形貌。

电子与样品原子的原子核发生弹性碰撞，电子方向发生改变，但无能量损失，这样的电子叫背散射电子。背散射电子信号强弱与样品原子的原子量有关，可利用背散射电子成像的模式-BSE模式观察样品表面元素分布情况。

---