二次电子是怎样产生的？其特征是？二次电子的像衬度取决于什么因素

仅供参考

背散射电子像的衬度要比二次电子像的衬度大,二次电子一般用于形貌分析,背散射电子一般用于区别不同的相.

二次电子像：

1）凸出的尖棱,小粒子以及比较陡的斜面处二次电子产额较多,在荧光屏上这部分的亮度较大.

2）平面上的二次电子产额较小,亮度较低.

3）在深的凹槽底部尽管能产生较多二次电子,使其不易被控制到,因此相应衬度也较暗.

背散射电子像：

1）用背散射电子进行形貌分析时,其分辨率远比二次电子像低.

2）背散射电子能量高,以直线轨迹逸出样品表面,对于背向检测器的样品表面,因检测器无法收集到背散射电子而变成一片阴影,因此,其图象衬度很强,衬度太大会失去细节的层次,不利于分析.因此,背散射电子形貌分析效果远不及二次电子,故一般不用背散射电子信号.

10nm非常小了，一般情况下FE-SEM不会用来观测10nm左右纳米颗粒的微观结构的~还有，SEM是二次电子成像，由于二次电子的产额随原子数的变化不大，所以得到的SEM图像中Contrast不怎么明显。所以我觉得你应该用TEM来表征你做的这个样品，在TEM图像中，Ni的颜色比Al2O3的暗，如果条件允许的话，做HRTEM或者EDX就更能准备表征你样品中的黑色纳米颗粒是Ni了~~~

金相观察是依赖可见光的反射,其原理是被腐蚀的晶界处发生漫反射,在照片上是暗的未被腐蚀的晶粒内部发生的是镜面反射,在照片上是亮的.SEM分二次电子像和背散射电子像:二次电子像必须腐蚀样品,不腐蚀的话什么都看不到.照完金相的样品可以直接照二次电子,但照片的情况有所不同,<1000倍时,二次电子像观察到的晶界是亮的,因为晶界被腐蚀掉,样品在晶界出现棱角,二次电子的产额大,因此是量的,晶界内部反而暗.如果倍数放到足够大,能够看清晶界处的腐蚀程度和凹凸情况背散射电子像是分析样品的成分分布,最好不要腐蚀样品,因为腐蚀样品会把第二相腐蚀掉.

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