36氪首发｜瀚博半导体获16亿B1、B2轮融资，主攻高端算力芯片

近日，36氪获悉，芯片设计独角兽企业「瀚博半导体」获16亿人民币的B-1和B-2轮融资，由阿里巴巴集团、人保资本、经纬创投和五源资本联合领投，国寿科创基金、Mirae Asset (未来资产)、基石资本、慕华科创基金（清华产业背景），以及老股东红点中国、耀途资本和元木资本跟投。

在这轮融资中，瀚博半导体引入了继快手之后的第二家互联网战略投资人——阿里巴巴。此次融资后，公司将持续完善产品矩阵，包括SV100系列产品线（云边AI推理和视频产品线）在国内外市场的大规模落地，加大图形GPU产品线的研发投入，并开始布局其他智能产品线。

瀚博半导体成立于2018年12月，公司位于上海，瀚博半导体创始人&CEO钱军提到，瀚博要做的是为像素世界提供算力的高端芯片。

根据Gartner的预测数据，全球人工智能芯片市场规模将在未来五年内呈现飙升， 从2018年的42.7亿美元成长至343亿美元，增长超过7倍。

AI芯片在2021年掀起融资热潮，国外市场有SambaNova Systems、Cerebras Systems、英国AI芯片独角兽Graphcore、Groq、以色列的AI芯片独角兽Hailo Technologies等AI芯片独角兽，国内也有着寒武纪、地平线等企业。

五源资本合伙人刘凯表示：“作为AI技术的底层驱动，全球的AI芯片领域都在经历爆发性的增长。我们观察到，在美国，自2016年前后诞生了几十家AI芯片的初创公司，经历了近5年的发展，这一领域在美国已经成长出众多独角兽级别的创业企业。在业务进展层面，不同的AI芯片企业围绕DSA架构，纷纷快速迭代产品、形成差异化竞争能力，且大部分企业已经进入行业落地阶段，未来数年将进入大规模量产出货阶段。”

瀚博半导体的产品矩阵共有三块，一是AI推理+视频加速卡，2021年7月，瀚博半导体世界人工智能大会上发布了公司首款服务器级别AI推理芯片SV102及通用加速卡VA1，该芯片即将量产上市；二是图形GPU，主要用于云 游戏 、云桌面、云渲染相关的一些图形产品；三是其它智能产品。

据悉，瀚博半导体的首款云端推理AI芯片SV102已在和战略合作伙伴合作，即将量产上市。

瀚博在团队优势上，一是，创始团队主要出自AMD第一颗7nm GPU团队，有着丰富的芯片设计、量产经验，整个团队曾有上百颗GPU流片的经验；

二是，瀚博首先选择了AI+视频的赛道。钱军总曾在发布会上表示，计算机视觉任务占据了AI市场的大部分，视频流占据数据流的 70%，而且比例持续攀升，市场空间大，且有落地应用场景。

瀚博半导体创始人&CEO钱军表示：“在即将过去的2021年，我们亲眼见证了芯片核心技术在各类新兴应用领域焕发的勃勃生机，这是半导体从业者最好的时代。伴随着互联网视频直播、短视频、计算机视觉、自然语言处理、云 游戏 、云桌面、云渲染、元宇宙等现象级应用的极速发展，数据中心算力需求的不断增加，下游客户对芯片、硬件、软件等各个方面都有了更高的期待。瀚博将继续延展各条产品线，进一步扩大行业领先优势。”

在创始团队上，公司创始人兼CEO钱军有25年以上高端芯片设计经验，离职前在AMD任高级总监，全面负责GPU（图像处理器）和AI服务器芯片设计和生产，现在市场上绝大多数的AMD Radeon图像处理器和AI服务器芯片都是由其带队开发。

创始人兼CTO张磊是前AMD Fellow，有23年以上芯片和IP架构设计的丰富经验，负责AI、深度学习，视频编解码和视频处理领域。

公司目前拥有超300名研发工程师，分布于上海、北京、深圳、西安、成都和加拿大多伦多。

人保股权公司投资部负责人舒琬婷表示：“瀚博首款芯片聚焦AI加速和视频处理，可大幅降低互联网公司数据中心TCO，能有效解决互联网在线视频厂商的痛点，具有广阔的市场空间。公司创始人及核心团队具备世界顶级的算法、芯片设计及量产能力，在芯片设计、AI和视频处理领域积累深厚。异构计算加速卡将在互联网视频直播、短视频、云 游戏 、云桌面、云渲染等场景中发挥关键作用，公司的产品发展潜力巨大。”

经纬创投合伙人王华东表示：“视频类产品已经成为现在用户端使用的第一大应用类别，行业需要更高实时性、更强算力的视频处理技术及对应的集成电路产品。瀚博具有稀缺的高性能AI+视频集成电路研发能力，同时在核心IP沉淀的积累也能扩展新的集成电路类别。”

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产。

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产1

据国外媒体报道，周二，韩国芯片制造商SK海力士宣布，它已开发出238层NAND闪存芯片。

该公司表示，这款芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度与上一代芯片相比提升50%，读取数据消耗的能量降低21%，将用于PC存储设备、智能手机和服务器，计划在2023年上半年开始批量生产。

去年12月30日，SK海力士宣布完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务的第一阶段。在第一阶段的交易中，英特尔向SK海力士出售SSD业务（包括转让NAND SSD相关的知识产权及员工）和大连的NAND闪存制造工厂，SK海力士则向英特尔支付70亿美元。

这笔收购交易的第二阶段预计将在2025年3月及之后进行，届时SK海力士将向英特尔支付余下的20亿美元。据悉，英特尔出售给SK海力士的相关资产交由后者新设立的子公司Solidigm管理。

由于全球经济的不确定性正在抑制消费者对电子产品的购买力，SK海力士在7月下旬宣布，将无限期推迟投资33亿美元新建存储芯片工厂的扩张计划。

据悉，SK海力士决定推迟扩建的工厂是该公司此前决定在清州园区建设的M17存储芯片工厂，该工厂原本计划于2023年晚些时候开工建设，预计最早于2025年完工。

外媒报道称，该公司之所以决定推迟扩建计划，可能是由于成本上升以及市场对芯片的需求放缓等问题。

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产2

SK 海力士官宣全球首发 238 层 512Gb TLC 4D NAND 闪存，将于明年上半年投入量产。现在，SK 海力士官方发文对其最新技术进行了介绍。

据介绍，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。

SK 海力士在 2018 年研发的 96 层 NAND 闪存就超越了传统的 3D 方式，并导入了 4D 方式。为成功研发 4D 架构的芯片，公司采用了电荷捕获型技术 (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC (Peri. Under Cell) 技术。相比 3D 方式，4D 架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。

官方称，新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比 176 层 NAND 闪存其生产效率也提高了 34%。

此外，238 层 NAND 闪存的数据传输速度为 2.4Gbps，相比前一代产品提高了 50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了 21%。

SK 海力士计划先为 cSSD 供应 238 层 NAND 闪存，随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器 SSD 等。SK 海力士还将于明年发布 1Tb 密度的全新 238 层 NAND 闪存产品。

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产3

7月26日，美国美光科技表示将开始出货其最先进的NAND闪存芯片，也是首家正式宣布将NAND芯片扩展到超过200层的企业；本周三，韩国的SK海力士也宣布开发出一款超过200层的闪存芯片。

美光的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的芯片快50%，且封装尺寸比前几代产品还要小28%。该芯片将主要瞄准人工智能和机器学习等以数据为中心的领域，满足其低延迟和高吞吐量的需求。

韩国SK海力士公司今日也宣布，开发出超200层的.NAND闪存芯片。该款芯片由238层存储单元组成，比美光的最新芯片还要多装6层。

据SK海力士称，238层芯片是其尺寸最小的NAND闪存芯片，数据传输速度和功率比上一代提高了50%，读取数据消耗的能量也减少了21%。

SK海力士这款最新芯片将在2023年上半年开始量产；而美光则表示将于2022年底开始量产232层NAND。

层数越高越好

NAND闪存几乎应用与所有主要的电子终端之中，智能手机、电脑、USB驱动器等都有它的存在。闪存受不受市场欢迎的两个重要因素，一是成本，二就是存储密度。

而自2013年三星设计出垂直堆叠单元技术后，芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点。

与CPU和GPU仍在竞争增大晶体管密度、用更精细的技术大幅提高芯片性能不同，在NAND市场，目前，想要大幅提高存储密度，增加层数就是关键。因此，NAND闪存从最初的24层一路上升，发展到现在的200多层。

不过也有专家表示，在闪存芯片领域，各个厂家都有各自的技术架构和演进路线图，并不完全一致，各家都有各家的技术工艺特色。在低层级的时候，3D堆叠确实能够显著提升闪存的性能，但是随着层数的增加，性能提升也会遭遇瓶颈，需要在技术、成本和性能之间寻找一个平衡。总体而言，层数的领先并不能代表闪存技术上的绝对领先，还是综合成本和性能来看。

美光232层NAND使用了与三星第七代闪存相似的“双堆栈”技术。将232层分为两部分，每部分116层，从一个深窄的孔开始堆叠。通过导体和绝缘体的交替层蚀刻，用材料填充孔，并加工形成比特存储部分，从而制造出成品芯片。

而蚀刻和填充穿过所有堆叠层的孔，就成为了NAND闪存层数增加的技术关卡。

200层的野心

目前，大多数的闪存芯片仍在生产100+层数的芯片，但众多生产企业对200层的生产工艺都是跃跃欲试。

早在2019年，SK海力士就做出过大胆假设，在2025年推出500层堆叠产品，并在2032年实现800层以上。

今年稍早，美国西部数据与合作伙伴日本铠侠称，将很快推出超过200层的BiCS+内存芯片，预定在2024年正式面世。

参与层数竞争的三星电子也被曝将在今年底推出200层以上的第八代NAND闪存，业界猜测可达224层，传输速度和生产效率将提高30%。

现在全球的闪存格局，三星电子虽是技术的奠基者并在过去一直领导市场发展，但在200层以上的竞争上，略落后于美光与SK海力士。这两家公司入局虽晚，但技术演进势头很猛，在技术上可能保持领先优势。

而未来，据欧洲知名半导体研究机构IMEC认为，1000层的NAND闪存也不是很远，或在10年内就会出现。层数之争依旧是NAND闪存的主旋律，就看能否有人弯道超车了。

截止2022年9月26日还没有量产。海飞科（Hexaflake）是一家成立于2019 年的高科技初创企业，致力于GPU（通用并行处理器）芯片研发，并建立通用并行计算的软件开发生态，截止2022年9月26日还没有量产。海飞科以为人工智能和大数据处理提供高性能并行处理器为使命，汇集了一批行业内的顶级专家，研发自主创新的并行计算架构，GPU 芯片、板卡和全栈软件平台，并支持服务器厂商提供软硬件解决方案，使产品在算力的通用可编程性、有效利用率、密度和规模等主要指标具备核心竞争力，推动和引领并行处理器的发展。

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