二次电子像和背散射电子像的区别

1、性质不同：二次电子像是以入射方向逸出样品的电子。背散射电子像是在扫描电子显微镜中，通过电子枪产生的电子，经过加速磁场、偏转磁场后，照射到待检测的样品表面，待检测样品会反射一部分的电子。

2、特点不同：在扫描电子显微镜的工作镜腔里的背散射电子探头就会检测到这些被反射的电子，进而在检测器上所成的像。二次电子的产额强烈依赖于入射束与试样表面法线间的夹角a ，a大的面发射的二次电子多。

3、特征不同：二次电子像主要是反映样品表面10nm左右的形貌特征，像的衬度是形貌衬度，衬度的形成主要取于样品表面相对于入射电子束的倾角。电子照射到待测样品的过程中，样品能发射一部分电子，背散射电子探头就会检测到这些电子，从而产生相应的电信号。

扩展资料：

注意事项：

二次电子主要显示形貌衬度，背散射同时还可以表现成分衬度，但形貌衬度表现的不如二次电子，背向电子源的不能被接收，所以分辨能力稍差。

能量相同的电子束轰击样品形貌不同的区域，产生的二次电子的深度一样。但是二次电子产生后，最终要能逃出样品表面才能被接收到。设α 为入射电子束与试样表面法线的夹角，对光滑试样表面，二次电子的产额 δ∝1/cosα。α越大，入射电子越靠近试样表面层。

参考资料来源：百度百科-背散射电子像

参考资料来源：百度百科-二次电子像

背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的，所以原子序数大的原子越大，弹性碰撞的概率越大，所以原子序数大的背散射电子强度的大；二次电子是从样品表面发射的电子，跟原子序数没关系，跟样品的表面形态有关，因为撞击角度90度是二次电子基本么有，倾斜装机的二次电子产率就很高了，所以二次电子像是跟样品观察角度有关的。

---