二次电子像和背散射电子像的区别

二次电子像和背散射电子像的区别,第1张

1、性质不同:二次电子像是以入射方向逸出样品的电子。背散射电子像是在扫描电子显微镜中,通过电子枪产生的电子,经过加速磁场、偏转磁场后,照射到待检测的样品表面,待检测样品会反射一部分的电子。

2、特点不同:在扫描电子显微镜的工作镜腔里的背散射电子探头就会检测到这些被反射的电子,进而在检测器上所成的像。二次电子的产额强烈依赖于入射束与试样表面法线间的夹角a ,a大的面发射的二次电子多。

3、特征不同:二次电子像主要是反映样品表面10nm左右的形貌特征,像的衬度是形貌衬度,衬度的形成主要取于样品表面相对于入射电子束的倾角。电子照射到待测样品的过程中,样品能发射一部分电子,背散射电子探头就会检测到这些电子,从而产生相应的电信号。

扩展资料:

注意事项:

二次电子主要显示形貌衬度,背散射同时还可以表现成分衬度,但形貌衬度表现的不如二次电子,背向电子源的不能被接收,所以分辨能力稍差。

能量相同的电子束轰击样品形貌不同的区域,产生的二次电子的深度一样。但是二次电子产生后,最终要能逃出样品表面才能被接收到。设α 为入射电子束与试样表面法线的夹角,对光滑试样表面,二次电子的产额 δ∝1/cosα。α越大,入射电子越靠近试样表面层。

参考资料来源:百度百科-背散射电子像

参考资料来源:百度百科-二次电子像

1、分辨率不同

二次电子的分辨率高,因而可以得到层次清晰,细节清楚的图像,被散射电子是在一个较大的作用体积内被入射电子激发出来的,成像单元较大,因而分辨率较二次电子像低。

2、运动轨迹不同

(1)被散射电子以直线逸出,因而样品背部的电子无法被检测到,成一片阴影,衬度较大,无法分析细节,但可以用来显示原子序数衬度,进行定性成分分析 。二次电子对试样表面状态非常敏感,能有效地显示试样表面的微观形貌。

(2)利用二次电子作形貌分析时,可以利用在检测器收集光栅上加上正电压来吸收较低能量的二次电子,使样品背部及凹坑等处逸出的电子以弧线状运动轨迹被吸收,因而使图像层次增加,细节清晰。

3、能量不同

(1)二次电子是指当入射电子和样品中原子的价电子发生非弹性散射作用时会损失其部分能量  (约 30~50 电子伏特),这部分能量激发核外电子脱离原子,能量大于材料逸出功的价电子可从样品表面逸出,变成真空中的自由电子。

(2)被散射电子是指被固体样品原子反射回来的一部分入射电子。既包括与样品中原子核作用而形成的弹性背散射电子,又包括与样品中核外电子作用而形成的非弹性散射电子,所以被散射电子能量较高。

扩展资料:

应用范围

⑴生物:种子、花粉、细菌等

⑵医学:血球、病毒等

⑶动物:大肠、绒毛、细胞、纤维等

⑷材料:陶瓷、高分子、粉末、金属、金属夹杂物、环氧树脂等

⑸化学、物理、地质、冶金、矿物、污泥(杆菌) 、机械、电机及导电性样品,如半导体(IC、线宽量测、断面、结构观察……)电子材料等。

参考资料来源:百度百科--扫描电子显微镜


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