二次电子像和背散射电子像的区别

1、性质不同：二次电子像是以入射方向逸出样品的电子。背散射电子像是在扫描电子显微镜中，通过电子枪产生的电子，经过加速磁场、偏转磁场后，照射到待检测的样品表面，待检测样品会反射一部分的电子。

2、特点不同：在扫描电子显微镜的工作镜腔里的背散射电子探头就会检测到这些被反射的电子，进而在检测器上所成的像。二次电子的产额强烈依赖于入射束与试样表面法线间的夹角a ，a大的面发射的二次电子多。

3、特征不同：二次电子像主要是反映样品表面10nm左右的形貌特征，像的衬度是形貌衬度，衬度的形成主要取于样品表面相对于入射电子束的倾角。电子照射到待测样品的过程中，样品能发射一部分电子，背散射电子探头就会检测到这些电子，从而产生相应的电信号。

扩展资料：

注意事项：

二次电子主要显示形貌衬度，背散射同时还可以表现成分衬度，但形貌衬度表现的不如二次电子，背向电子源的不能被接收，所以分辨能力稍差。

能量相同的电子束轰击样品形貌不同的区域，产生的二次电子的深度一样。但是二次电子产生后，最终要能逃出样品表面才能被接收到。设α 为入射电子束与试样表面法线的夹角，对光滑试样表面，二次电子的产额 δ∝1/cosα。α越大，入射电子越靠近试样表面层。

参考资料来源：百度百科-背散射电子像

参考资料来源：百度百科-二次电子像

第一、扫描电镜照片是灰度图像，分为二次电子像和背散射电子像，主要用于表面微观形貌观察或者表面元素分布观察。

一般二次电子像主要反映样品表面微观形貌，基本和自然光反映的形貌一致，特殊情况需要对比分析。

背散射电子像主要反映样品表面元素分布情况，越亮的区域，原子序数越高。

第二、看表面形貌，电子成像，亮的区域高，暗的区域低

非常薄的薄膜，背散射电子会造成假像。导电性差时，电子积聚也会造成假像。

从书上查了一些内容，书的年代比较久远，可能买不到...有兴趣的话，尝试着去图书馆借一下吧。

SEM工作时，电子枪发射的入射电子束打在试样表面上，向内部穿透一定的深度，由于弹性和非弹性散射形成一个呈梨状的电子作用体积。电子与试样作用产生的物理信息，均由体积内产生。

二次电子是入射电子在试样内部穿透和散射过程中，将原子的电子轰击出原子系统而射出试样表面的电子，其中大部分属于价子激发，所以能量很小，一般小于50eV。因此二次电子探测体积较小。二次电子发射区的直径仅比束斑直径稍大一些，因而可获得较高的分辨率。

二次电子像的衬度取决于试样上某一点发射出来的二次电子数量。电子发射区越接近表面，发射出的二次电子就越多，这与入射电子束与试样表面法线的夹角有关。试样的棱边、尖峰等处产生的二次电子较多，相应的二次电子像较亮；而平台、凹坑处射出的二次电子较少，相应的二次电子像较暗。根据二次电子像的明暗衬度，即可知道试样表面凹凸不平的状况，二次电子像是试样表面的形貌放大像。

SEM内在试样的斜上方放置有探测器来接受这些电子。接受二次电子的装置简称为检测器，它是由聚焦极、加速极、闪烁体、光导管和光电倍增管组成。在闪烁体前面装一筒装电极，称为聚焦极，又称收集极。在其前端加一栅网，在聚焦极上加250-300V的正电压。二次电子被此电压吸引，然后又被带有10kV正电压的加速极加速，穿过网眼打在加速极的闪烁体上，产生光信号，经光导管输送到光电倍增管，光信号转变为电子信号。最后输送到显示系统，显示出二次电子像。

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