intel下一代服务器cpu平台

如果按照Intel过往的命名方式，下一代服务器平台可能会命名为Ice Lake-X、Ice Lake-SP，也就是Ice Lake架构的高性能平台及可扩展服务器平台。

但是目前Intel并没有发布这样的产品，所以实际情况还得上市才能确定。

--

下面是新一代10纳米Intel处理器的介绍：

如上路线图显示，Intel在12月12日在美国举行了架构日，透露了未来几年的处理器发展方向。

2019年的新架构是“Sunny Cove”(阳光海湾)，重点变化包括：单线程性能提升、降低功耗、加入降低延迟的新算法、改进扩展性、可并行执行更多操作、增大关键缓冲区和缓存，优化以数据为中心的工作负载、可加速AI、加密等专用计算任务的新功能、针对特定用例和算法的架构扩展，比如提升加密性能的新指令、矢量AES/SHA-NI、压缩/解压等。

将采用10nm工艺制造，集成第11代核显，对应的处理器代号就是之前已经公布的“Ice Lake”。Intel表示，Sunny Cove能够减少延迟、提高吞吐量、提升并行计算能力，改善游戏、多媒体、数据等相关应用体验，会成为下一代酷睿、至强处理器的基础架构，将在明年晚些时候登场。

2020年的新架构是“Willow Cove”(柳树海湾)，重新设计缓存，对晶体管进行新的优化(，并有新的安全特性(猜测可能为硬件上基本免疫熔断/幽灵漏洞)。

2021年的新架构是“Golden Cove”(金色海湾)，继续提升单线程性能，并强化AI、5G、网络、性能，继续强化安全性。

很难想象：如果这个世界上没有了英特尔，那会变成什么样？

再直观一点，想象一下没有CPU的世界将是什么样？ 如果没有CPU，可以说几乎一切都无法正常运转了。所以，除非没有人用半导体，除非我们不用电脑和手机了，否则Intel不会消失。

Intel处理器进化史

Intel大事记

1968年，戈登·摩尔和罗伯特·诺伊斯在硅谷创办了英特尔公司。

1969年，凭借首批106名员工，英特尔公司在加利福尼亚州山景城的米德菲尔德路365号开始运营。

1971年，英特尔开发出第一个商用处理器Intel 4004，片内集成了2250个晶体管，晶体管之间的距离是10微米，能够处理4bit的数据，每秒运算6万次，频率为108KHZ，前端总线为0.74MHz（4bit）。微处理所带来的计算机和互联网革命，改变了整个世界。 Intel 第一个CPU.jpg Intel第一个CPU,已有40年历史

1978年，英特尔生产出了著名的16位8086处理器，是所有IBM PC处理器的祖宗。

1981年，IBM生产的第一台电脑使用英特尔的8086芯片，因此，英特尔一举成名。 

 1982年，英特尔推出和8086完全兼容的第二代PC处理器80286，用在IBM PC/AT上。

 1985年，康柏制造出世界上第一台IBM PC兼容机，兼容机厂商们像雨后春笋一样涌现出来，但是为了和IBM PC兼容，处理器都是使用英特尔公司的。

1985年，英特尔继摩托罗拉之后，第二个研制出32位的微处理器80386。英特尔靠80386完成了对IBM PC兼容机市场的一统江湖的地位。同年，英特尔进入中国。 80386是80x86系列中第一个32位微处理器

1987年，安迪格鲁夫正式担任CEO，英特尔开始了快速发展的10年，并且成为全球最大的半导体公司。

1989年，英特尔推出了从80386到奔腾处理器的过渡产品80486，其实就是80386加一个浮点处理器80387缓存。依靠80486，英特尔一举超过所有日本半导体公司，坐上了半导体行业的头把交椅。

20世纪80年代，英特尔果断停掉传统的内存业务，从此专心做处理器。

1993年，英特尔推出奔腾处理器Pentium，从此英特尔不再以数字命名处理器了。但是工业界和学术界，仍然习惯称呼英特尔处理器为X86系列（比如Pentium就被称为586）。 英特尔奔腾处理器采用了0.60微米工艺技术制造，核心由320万个晶体管组成。支持计算机更轻松的集成“现实世界”数据，如语音、声音、手写体和图片等。 Pentium是x86系列一大革新。其中晶体管数大幅提高、增强了浮点运算功能、并把十年未变的工作电压降至3.3V。 奔腾处理器的诞生，让英特尔公司甩掉了只会做低性能处理器的帽子，其运行速度达到工作站处理器的水平。随后十年里，英特尔推出了很多代的奔腾处理器。

1999年的时候英特尔公司市值最高突破了5000亿美元，最高峰为5090亿美元，

 2000年，英特尔的手机处理器XScale问世。

2001年，英特尔的64位服务器处理器Itanium问世，英特尔在服务器市场彻底超越RISC处理器的代表太阳公司。

2005年，苹果开始使用英特尔处理器，摩托罗拉彻底退出个人电脑处理器市场。 2006年，英特尔和AMD主要产品都采用65纳米的半导体技术，但是英特尔在最新45纳米技术上明显领先于AMD，并且已经开始研发集成度更高的32纳米的芯片。从那时起直到今天，英特尔对AMD一直保持绝对优势。

2006年，双核处理器问世。

 2008年11月17日，英特尔发布四核core i7处理器。

2009年，四核处理器问世。英特尔继续在服务器处理器市场占优势。

2012年，英特尔宣布重返移动终端市场，但是效果不佳。

2014年2月19日，英特尔推出处理器至强E7 v2系列采用了多达15个处理器核心，成为英特尔核心数最多的处理器。 2014年3月5日，Intel收购智能手表Basis Health Tracker Watch的制造商Basis Science，这一收购交易显然是英特尔进军可穿戴设备市场努力的一部分。英特尔把Basis品牌整合进其NDG(新设备集团)，目标是大踏步进军新兴的可穿戴设备市场，同时打压高通。

2015年1月8日，英特尔发布世界上最小Windows电脑Compute Stick，大小仅如一枚U盘，可连接任何电视机或显示器以组成一台完整PC。 2015年6月，英特尔收购了头显设备厂商Recon。 2015年12月斥资167亿美元收购了Altera公司，这是英特尔有史以来金额最大的一次收购，意味着英特尔要考虑CPU之外的新技术应用，在PC市场不断萎缩且移动市场迟迟难以打开的背景下，英特尔希望实现CPU和FPGA硬件规格深层次结合，布局物联网市场。

2016年11月30日，据国外媒体报道，英特尔正在组建一个专门的事业部来从事自动驾驶解决方案的研发，它的名字就叫做Automated Driving Group（自动驾驶事业部，简称ADG）。

 2017年3月，英特尔收购Mobileye，“算法+芯片"整合成AI制胜关键。 2017年6月7日，2017年《财富》美国500强排行榜发布，英特尔公司排名第47位。

2018年4月，英特尔宣布2019年大规模交付10nm芯片。 2018年7月13日，英特尔宣布收购芯片制造商eASIC，加速FPGA，降低对CPU的依赖。

一直以来，制程节点都是衡量工艺演进的重要数字。一串看似无规律的数字，实际上背后隐含的是摩尔定律所划分的晶体管栅极最小线宽。

但摩尔定律每两年翻一番速度之下，早在1997年栅极长度和半截距就不再与这种节点名称匹配。更何况行业已逼近1nm的极限，行业需要更加科学和更加精密的表述形式。

日前，英特尔CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）重磅宣布公司有史以来最为详细的制程技术路线图，不仅宣布在2024年进入埃米（Ångstrom）时代，还宣布了将以更加科学先进的方式度量制程节点。除此之外，与之相关的突破性架构和技术以及未来的规划逐一被披露。

在制程节点方面，帕特·基辛格宣布将会以每瓦性能作为关键指标来衡量工艺节点的演进，这是因为对于半导体产品来说，PPA（performance,power and area，性能、功耗、面积）是非常重要的指标。

按照目前的进度来说，英特尔在去年架构日正式宣布10nm SuperFin，并在后续新品中使用。展望后续，将会以全新的方式命名。

Intel 10nm SuperFin： 这项技术是在2020年架构日正式宣布的，同年7月在Tiger Lake中使用；后续2021年至强Ice Lake和Agilex FPGA新产品中也已开始使用。

彼时英特尔宣布的SuperFin技术，是一项媲美制程节点转换的技术。SuperFin其实是两种技术的叠加，即Super MIM（Metal-Insulator-Metal）电容器+增强型FinFET晶体。从参数上来看，增强型FinFET拥有M0和M1处关键层0.51倍的密度缩放、单元更小晶体密度更高、通孔电阻降低2倍、最低的两个金属层提高5-10倍电迁移。

Intel 7： 英特尔此前称之为10nm Enhanced SuperFin，即对SuperFin技术继续打磨。Intel 7将会亮相的产品包括2021年面向客户端的Alder Lake以及 2022年第一季度面向数据中心的Sapphire Rapids。

据介绍，通过对FinFET晶体管优化，每瓦性能对比此前发布的10nm SuperFin提升约10% - 15%。优化方面包括更高应变性能、更低电阻的材料、新型高密度蚀刻技术、流线型结构，以及更高的金属堆栈实现布线优化。而在本次宣布中英特尔彻底删除掉“nm”，改为综合PPA评定的每瓦性能。

Intel 4： 英特尔此前称之为Intel 7nm。Intel 4将于2022年下半年投产，2023年出货，产品包括面向客户端的Meteor Lake和面向数据中心的Granite Rapids。

需要注意的是，Intel 4是首个完全采用EUV光刻技术的英特尔FinFET节点，EUV采用高度复杂的透镜和反射镜光学系统，将13.5nm波长的光对焦，从而在硅片上刻印极微小的图样。相较于之前使用波长为193nm的光源（DUV）的技术，这是巨大的进步。与Intel 7相比Intel 4的每瓦性能提高了约20%。

Intel 3： Intel 3继续受益于FinFET技术，Intel 3将于2023年下半年开始生产相关产品。

这是一个比通常的标准全节点改进水平更高的晶体管性能提升。Intel 3将实现更高密度、更高性能的库；提高了内在驱动电流；通过减少通孔电阻，优化了互连金属堆栈；与Intel 4相比，Intel 3在更多工序中增加了EUV的使用。较之Intel 4，Intel 3将在每瓦性能上实现约18%的提升。

Intel 20A： PowerVia和RibbonFET这两项突破性技术正式开启了埃米时代，Intel 20A预计将在2024年推出。所谓Intel 20A中的“A”代指埃米，1埃米Angstrom =10^-10，1纳米=10埃米。

根据介绍，PowerVia是英特尔独有、业界首个背面电能传输网络，它消除晶圆正面的供电布线需求，优化信号布线，同时减少下垂和降低干扰。RibbonFET是英特尔对于GAA晶体管的实现，是公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构，提供更快的晶体管开关速度，同时以更小的占用空间实现与多鳍结构相同的驱动电流。

Intel 18A： 这仅仅是一种前瞻性说法，未来英特尔将会继续提升RibbonFET，Intel 18A是面向2025年及更远的未来的。此时，行业将继续向更小的埃米提升。

需要特别注意的是，英特尔还将会定义、构建和部署下一代High-NA EUV，并有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。英特尔正与ASML密切合作，确保这一行业突破性技术取得成功，超越当前一代EUV。

通过观察路线图，实际上Intel制定的发展路线是围绕晶体管结构进行转变的。在步入埃米时代Intel 20A之前，FinFET（Field-effect transistor）工艺仍然拥有极大的优化空间，在步入埃米时代后直接转向GAA（Gate-All-Around）的RibbonFET。此前台积电也曾表示，决定仍让3nm制程维持FinFET架构。

根据公开资料显示，时下先进制程技术方面，使用的均为FinFET（Field-effect transistor）技术，7nm是FinFET的物理极限，但得益于深紫外（DUV）和极紫外（EUV），制程得以突破7nm、5nm。因此，不难看出Intel的想法与行业是一致的，在Intel 4时候完全引入EUV光刻技术，继续让FinFET结构发扬光大。

当然，英特尔的FinFET与行业不同之处在于叠加了Super MIM（Metal-Insulator-Metal）电容器，变为SuperFin技术。该技术由一类新型的“高K”（ Hi-K）电介质材料实现，该材料可以堆叠在厚度仅为几埃厚的超薄层中，从而形成重复的“超晶格”结构。 这是一项行业内领先的技术，领先于其他芯片制造商的现有能力。

通过这样的叠加和对FinFET结构的继续优化，可以支撑制程节点转换到等效2nm节点。但FinFET毕竟有极限，在制程到达埃米级别之时，英特尔选择的也是GAA结构。学术界普遍认为GAA是3nm/2nm之后晶体管的路，厂商也有类似GAAFET的发布。

英特尔将自己实现的GAA称之为RibbonFET，这是一种将栅极包裹在源极和漏极的工艺。而从此时开始，Intel也将会引入更高精度的EUV技术，称之为High-NA EUV，帮助实现埃米级别的提升。值得一提的是，High NA EUV光刻机可谓是炙手可热的产品，其目标是将制程推进到1nm以下，而传言中该光刻机成本甚至超过一架飞机，大约3亿美元。

为什么英特尔执意要把数字放到埃米级别？从英特尔CEO的话中我们可以窥探一二，帕特·基辛格说：“摩尔定律仍在持续生效。对于未来十年走向超越‘1nm’节点的创新，英特尔有着一条清晰的路径。我想说，在穷尽元素周期表之前，摩尔定律都不会失效，英特尔将持续利用硅的神奇力量不断推进创新。”

英特尔既是摩尔定律的发源地，也是忠实的执行者。按照摩尔定律原本的划分方式2nm到1nm之间实质上还是拥有很大的发掘空间，而到1nm之后行业也需要一种全新的划分方式来定义制程节点。此前，行业一直在广泛讨论硅极限的1nm之后的世界，英特尔则直接给出答案——埃米。

英特尔将制程节点变为每瓦性能的测量方式实际上也是有过先例的。在笔者看来，这种度量方式更加客观，更能让行业进行客观的性能对比。

另外，笔者认为，这种转变也是为了此前帕特·基辛格宣布的IDM 2.0的推进做准备。IDM 2.0中，英特尔不仅要开放代工业务，也将引入外部代工，以全新的制程节点测量方式能够方便客户进行横向对比。

资料显示，2017年英特尔引入了晶体管每平方毫米以及SRAM单元尺寸作为客观的对比指标，台积电7nm为90 MTr/mm2，而英特尔的10nm为100 MTr/mm2，这也就能解释为什么业界一直传言英特尔的10nm和7nm性能相当。

此前，笔者也曾撰文评论过行业存在的“纳米数字 游戏 ”现象。虽然制程节点在发明之初，代指的还是栅极长度，但其实从1997年开始，栅极长度和半节距与过程节点名称不再相匹配，之后的制程节点实际意义上不再与之相关。

代工厂在晶体管密度增加很少情况下，仍然会为自己制程工艺命名新名，但实际上并没有位于摩尔定律曲线的正确位置。

台积电营销负责人Godfrey Cheng其实曾经也亲口承认，从0.35微米开始，工艺数字代表的就不再是物理尺度，而7nm/N7只是一种行业标准化的属于而已，此后还会有N5等说法。同时，他表示也确实需要寻找一种新的语言来对工艺节点进行描述。

笔者认为，英特尔在率先使用这种度量方式之后，能够有效敦促行业形成标准规范。诚然，英特尔并没有强制要求行业进行统一度量，但英特尔仍然是以开放的态度愿意将这种规则分享于外界，让摩尔定律得以在正确的道路上发展。

当然，不容忽视的是，封装技术正在成为摩尔定律的新拐点。一直以来，英特尔都将制程和封装放在一起，此次也有全新的封装技术被披露。

2.5D封装方面，英特尔宣布下一代Sapphire Rapids服务器 CPU将成为采用EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）批量出货的首个英特尔 至强 数据中心产品。根据解释，这是业界首次通过EMIB将两个光罩尺寸的器件连接在一起，最终让器件性能和单片处理器是一样的。另外，英特尔还宣告了下一代EMIB的凸点间距将从55微米缩短至45微米。

3D封装方面，Foveros将会开创下一代Foveros Omni技术以及对Foveros Omni的补充技术Foveros Direct。Foveros Omni之前名为ODI（Omni-Directional Interconnect），Foveros Direct之前名为Hybrid Bonding技术。当然本次宣布并不只是名字的统一，相关技术也将会持续推进。

从技术角度来看，Foveros Omni允许裸片分解，将基于不同晶圆制程节点的多个顶片与多个基片混合搭配，通过高性能3D堆叠技术为裸片到裸片的互连和模块化设计提供了无限制的灵活性。Foveros Direct则实现了向直接铜对铜键合的转变，可以实现低电阻互连，并使得从晶圆制成到封装开始，两者之间的界限不再那么截然。

封装虽然和摩尔定律没有直接关联，但却又影响着摩尔定律的发展。这是因为封装能够减少芯片间的凸点间距，增大凸点密度。整体的密度越大，实际上也代表着单位面积上晶体管数量越密。英特尔一直洞察到这种关系，所以在此前宣布的六大支柱中是“制程&封装”这种合并的关系。

除了技术上的宣发，英特尔宣布了两个重磅的合作消息：AWS将成为首个采用英特尔代工服务（IFS）先进封装解决方案的客户，高通将成为采用Intel 20A先进制程工艺的客户。

远望未来，制程和封装技术将继续飞扬。在穷尽元素周期表之前，摩尔定律都不会失效， 探索 之路依然长路漫漫。

---