碳基芯片一般来说就是以碳基材料制作的碳纳米晶体管芯片。相比于传统的硅材料芯片,碳材料的电子特性似乎更加优越,而且随着硅材料芯片的极限制程即将面临瓶颈,在材料、技术和设计等方面都会出现物理限制,制造微小芯片的工艺难度也会增大,想要更加深入发展和研发芯片,寻找新的材料似乎已经是必需的,这时候特性优越的碳基材料会是一种非常不错的选择。关于碳基芯片的消息也一直广为流传,也被很多人认为以后很可能会取代硅芯片,就让我们拭目以待吧。尽管最近这些年我国的科技发展水平已经得到很大提高,特别是在半导体行业中取得了不少进步和突破,不过距离欧美发达国家仍然有不小差距,特别是在半导体领域,一些关键的核心领先技术依然掌握在欧美国家手中,这对于我们来说,发展半导体技术任重而道远。美国之所以能够对华为的不断打压限制,就是因为他们站在技术高点,这对于我们的科技发展造成了很大的阻碍,想要完成突破和封锁就只能迎难而上。如今我国的半导体制造行业正面临着被“卡脖子”的状况,我国在半导体材料、设计到生产的这一全产业链中缺乏核心技术以及较好的研发能力,很长时间以来都只能购买欧美的芯片。虽然这些年来我们已经很努力地去追赶,但是国内的半导体设计和制造工艺还未能达到先进水平,只能去买别人的东西,而且连最先进的光刻机我们想买都买不到。这样受制于人的情况,长期下去对我们是很不利的,别人一旦封锁和限制,我们就会举步维艰,就会阻碍我国实现现代化进程,提升自研芯片的技术水平势在必行。如今随着我国科学家在碳基芯片领域的不断摸索,已经是取得了一定的进展和突破,而且据说碳基芯片的性能会比硅基芯片性能要更加突出,这对于陷入困难局面的我国芯片行业来说是个好消息,如果能够在碳基领域得到发展和领先,或许可以对欧美半导体技术实现弯道超车,摆脱对于别人的技术依赖。不过想要用碳基芯片取代硅基芯片也还没有那么容易,虽然现在能够在实验室中制造出碳晶体管,但是想要拼接组合形成芯片量产还需要做大量的研制,将碳晶体管排布在晶圆片同样需要高精尖的技术才行,很多技术障碍仍然需要去攻克,因此想要完成商业化量产,还需要更多耐心和努力。不过相信我们的科学家,一定可以在未来完成更多的突破。
前段时间,美哈佛大学出了一份报告,表示我国在多个尖端技术领域已经取得巨大进步。尤其是在5G、人工智能、量子计算等已取得全球领先,并开始占主导地位。
国内有专家说得很好,就是近十年来,我们跟美同时起步的技术,我们都能做到领先。现在某些方面落后的,大都是人家起步早的领域,像现在有差距的半导体方面。
不过,哈佛报告还预测,我国将成为全球成熟技术节点上最大的半导体生产国,并且未来十年我国将在半导体等核心技术上实现领先。果不其然,好消息很快传来。
第一,浙大超导量子芯片取得突破成果。 量子技术是未来 科技 竞争的一大重点,目前各国都在大力投入研发,可以说是已经展开竞赛,都希望在量子领域中占先机。
从之前的相关报道,我们也都可以看到量子计算机的优势已经非常明显,尤其是在计算速度方面更是快到惊人。而要实现稳定的量子计算机,量子芯片是其中的关键。
近日,我国在量子芯片方面又取得了突破,浙江大学发布了两款超导量子芯片。
其中,“莫干1号”采用全连通架构,包含32个超导量子比特,是目前超导量子芯片中比特数目最多的,主要是针对量子态的精确调控,以及多体物理的量子模拟。
“天目1号”芯片面向通用量子计算,采用了较易扩展的近邻连通架构,平均退相干时间为50微秒,处于世界前列。相比于“莫干1号”具备更高的编程灵活度。
浙大公布的两款量子芯片成果,充分证明我国在这方面已处于世界第一梯队水平。
第二,纯国产龙芯服务器芯片研发成功。 一直以来,在CPU上我们主要依赖国外,不管是日常工作生活用的电脑,还是服务器领域,CPU基本被英特尔和AMD垄断。
然而,随着国内对数据保密等方面的要求越来越高,对国产CPU的需求就越来越大。尤其是纯国产CPU更加期待,在这方面做得最好的就是中科院旗下龙芯中科。
在龙芯CPU首席科学家胡伟武的带领下,已推出了自主研发的三代龙芯国产CPU。
前段时间,龙芯3A5000系列通用CPU正式亮相,性能达到国际主流CPU水准。近日,中科院再次公布,面向服务器领域的纯国产CPU龙芯3C5000已经研发成功。
这款芯片有两个重要特点:其一是采用了自主架构LoongArch指令集,从内到外全纯国产设计,不再担心国外架构授权限制,之前都是使用国外X86或ARM架构。
其二是芯片性能很强大,综合性能表现不落后目前市场的主流服务器CPU,内部集成16个高性能的龙芯LA464处理器核。应用后,将大大提高我们数据的安全性。
第三,碳基芯片关键工艺课题通过验收 。 我们现在的芯片是硅基芯片,现在5nm正在量产,3nm预计明年下半年实现量产,接下来再往下发展就是2nm、1nm。
然而,由于硅基芯片技术由于受加工技术、器件物理极限等方面限制,已经接受物理极限,且成本高到已经不合适。因此,就需要寻找更加合适的下一代替代产品。
碳基芯片具有加工温度低、工作速度快、功耗低等优势,最有可能成为后摩尔时代集成电路的颠覆性技术之一。在这方面,我国也早就开始研发,并且还非常领先。
近日,好消息传来,多个部门组成的验收组,对“90 纳米碳基集成电路关键工艺研究”课题进行评审,在听取汇报、查看资料和样品实物后,一致通过了该课题研究。
并且,碳基芯片90 纳米工艺先导线正在建设中。别小看这个90纳米,根据研究成果估算,90纳米碳基芯片性能相当于28纳米硅基芯片,60纳米就相当于10纳米。
重点是,这个碳基芯片可以不用EUV光刻机,国产光刻机就可以。并且该课题开展过程,在 90 纳米材料制备、关键工艺及器件性能、应用 探索 等均取得了可喜成果,并且都处于世界领先水平。这次验收通过,表示碳基芯片距离商用又近了一大步。
以上的三个国产芯片突破,龙芯很快就可以应用,碳基芯片和量子芯片是在为未来打基础,这两种芯片将为我国未来芯片行业领先、不受限制奠定一个坚实的基础。
近日,我国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军,就芯片发展发表意见。
他表示,我国已经成为全球最为完整的芯片产品体系之一,不仅在中低端芯片领域具备较强的竞争力,在高端芯片领域也摆脱了全面依赖国外产品的被动局面。
魏少军所说的高端芯片不再全面依赖国外情况非常振奋人心,不过他主要是侧重设计方面,高端芯片设计的确已经达到全球领先,但在制造方面我们还有不小差距。
不过,从近期国内芯片行业的不断突破来看,我们在进步,问题终究会解决。
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