钻石净度si是什么意思

钻石净度SI表示专业人士在10倍放大条件下容易观察到明显瑕疵。钻石净度SI是钻石净度参数中的级别参数，SI包含SI1和SI2两个级别参数：

SI1净度

SI1：小瑕疵1级——专业人士在10倍放大条件下容易观察到明显瑕疵。

SI2净度

SI2：小瑕疵2级——专业人士在10倍放大条件下容易观察到数个明显瑕疵。

钻石净度分为FL\IF\VVS1\VVS2\VS1\VS2\SI1\SI2\I1\I2\I3，净度依次降低，具体如下：

1.FL净度

FL：完美无瑕——专业人士在10倍放大条件下观察，内外无任何瑕疵，在所有净度等级中，这种钻石最稀有。

2.IF净度

IF：内部无暇——专业人士在10倍放大条件下观察，内部无瑕疵，但是在钻石表面有很微小的瑕疵。

3.VVS1净度

VVS1：极微瑕1级——专业人士在10倍放大条件下观察到只有单个极微小的瑕疵。

4.VVS2净度

VVS2：极微瑕2级——专业人士在10倍放大条件下观察到个别极微小瑕疵。

5.VS1净度

VS1：微瑕1级——专业人士在10倍放大条件下可见单个微小瑕疵。

6.VS2净度

VS2：微瑕2级——专业人士在10倍放大条件下可见数个微小瑕疵。

7.SI1净度

SI1：小瑕疵1级——专业人士在10倍放大条件下容易观察到明显瑕疵。

8.SI2净度

SI2：小瑕疵2级——专业人士在10倍放大条件下容易观察到数个明显瑕疵。

9.I1/I2/I3净度

I1/I2/I3：明显瑕疵——不用放大镜都可以很容易看到明显的瑕疵。

S参数的全称为Scatter 参数，即散射参数。S参数描述了传输通道的频域特性，在进行串行链路SI分析的时候，获得通道的准确S参数是一个很重要的环节，通过S参数，我们能看到传输通道的几乎全部特性。信号完整性关注的大部分问题，例如信号的反射，串扰，损耗，都可以从S参数中找到有用的信息。网上有很多介绍S参数基本概念的资料，我在这里就不多浪费笔墨了，这篇文章我只是从实际应用的角度来讨论下S参数。

问题1：怎样从S参数中看出通道的阻抗匹配程度？

这里的匹配指的是端口阻抗与传输线阻抗之间的匹配，因为常规单根线的阻抗一般控50ohm，差分线的阻抗控制为100ohm，所以我们在提取通道S参数的时候，习惯将端口阻抗设置为单根50ohm，差分100ohm。

由S参数的定义，回波损耗S11或者S22表示能量的反射情况，下面我们来看看，当端口阻抗被定义为50ohm，传输线阻抗变化时，回波损耗的变化。如下图：

由上图我们可以看出，传输线阻抗与端口阻抗越接近，回波损耗越小，当传输线阻抗完全等于端口阻抗的时候，几乎没有能量反射。以上仅仅是理想的传输线，通常的传输链路中会包含过孔，连接器等阻抗不连续的因素，这些阻抗不连续程度都会反映在S参数的回损曲线中。

问题2：S参数中的插入损耗怎么理解？

S参数是频域参数，在插损曲线中，横坐标表示的是正弦波的频率，纵坐标表示的是正弦波穿过通道后的电压幅值与发送端电压幅值的比值并取对数。

如上图所示，这条插损曲线是普通FR4板材下，10inch传输线的插损曲线。可以看出在5G的时候，接收与输入的比值为-8.35dB，10G的时候是-15.455dB，换算成幅度，分别是0.382和0.167，也就是说如果输入端正弦波的幅值为1V，则接收端5G正弦波的幅值为382mV，10G正弦波的幅值为167mV，我们来验证下，5GHz正弦波的输入与输出波形对比如下：

10GHz的正弦波输入与输出的波形对比如下：

感兴趣的朋友们可以根据上图中的数据自己计算下，实际仿真出的正弦波幅度与插损曲线中对应频率下的幅度基本是一致的，有一点点误差，原因是通道阻抗没有做到完全匹配。

我们可以看到，随着频率的提高，正弦信号的幅值损失越来越严重。但是我们通常关注的是数字信号，那么可以直接从插损曲线中看出数字信号幅度的损失吗？当然是不可以的。前面的文章也多次提到了通道对数字信号的影响主要是使波形的上升沿变缓，注意这里是上升沿变缓！并不是像正弦波一样，直接表现出幅值的损失。而且常规的数字信号也不会像正弦波信号那样整齐，所以通道对数字信号的影响要比对正弦信号的影响复杂得多，后期的文章会和大家一起讨论这方面的问题。

有无定形硅和晶体硅两种同素异形体。晶体硅为灰黑色，无定形硅为黑色， 密度2.32-2.34克/立方厘米，熔点1410℃，沸点2355℃，晶体硅属于原子晶体。不溶于水、硝酸和盐酸，溶于氢氟酸和碱液。硬而有金属光泽。 元素分区p区 密度2328.3 kg/m³常见化合价+4,硬度6.5,弹性模190GPa（有些文献中为这个值）,

密度2.33g/cm3（18℃）熔点687K（1414℃）[10]

沸点3173K（2900℃）[10]

原子核外电子排布：1s2 2s22p6 3s23p2；

晶胞类型：立方金刚石型；[11]

晶胞参数：20℃下测得其晶胞参数a=0.543087nm；

颜色和外表： 深灰色、带蓝色调；

采用纳米压入法测得单晶硅（100）的E为140～150GPa；

电导率：硅的电导率与其温度有很大关系，随着温度升高，电导率增大，在1480℃左右达到最大，而温度超过1600℃后又随温度的升高而减小。

电负性1.90（鲍林标度）[10]

热导率148 W/（m·K）[10]

2.有三种天然的稳定同位素Si（92.2%）、Si（4.7%）和Si（3.1%），还有质量数为25、26、27、31和32的人工放射性同位素。[2]

3.硅（原子质量单位： 28.0855，共有23种同位素，其中有3种同位素是稳定的。

化学性质

Si的热力学数据（来源于JANAF表格）[12]

硅有明显的非金属特性，可以溶于碱金属氢氧化物溶液中，产生（偏）硅酸盐和氢气。[13]

硅原子位于元素周期表第IV主族，它的原子序数为Z=14，核外有14个电子。电子在原子核外，按能级由低硅原子到高，由里到外，层层环绕，这称为电子的壳层结构。硅原子的核外电子第一层有2个电子，第二层有8个电子，达到稳定态。最外层有4个电子即为价电子，它对硅原子的导电性等方面起着主导作用。

正因为硅原子有如此结构，所以有其一些特殊的性质：最外层的4个价电子让硅原子处于亚稳定结构，这些价电子使硅原子相互之间以共价键结合，由于共价键比较结实，硅具有较高的熔点和密度；化学性质比较稳定，常温下很难与其他物质（除氟化氢和碱液以外）发生反应；硅晶体中没有明显的自由电子，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。[9]

加热下能同单质的卤素、氮、碳等非金属作用，也能同某些金属如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶于一般无机酸中，可溶于碱溶液中，并有氢气放出，形成相应的碱金属硅酸盐溶液，于赤热温度下，与水蒸气能发生作用。[10]

分类：纯净物、单质、非金属单质。

（1）与单质反应：

Si + O₂ == SiO₂，条件：加热

Si + 2F₂ == SiF₄

Si + 2Cl₂ == SiCl₄，条件：高温

（2）高温真空条件下可以与某些氧化物反应：

2MgO + Si=高温真空 =Mg(g)+SiO₂（硅热还原法炼镁）

（3）与酸反应：

只与氢氟酸反应：Si + 4HF == SiF₄↑ + 2H₂↑

（4）与碱反应：Si + 2OH-+ H₂O == SiO₃2-+ 2H₂↑（如NaOH，KOH）

---