图 2 .对称应力图和修改淀积反应器后由此产生的对称应力分布.外围不对称温度3°C
图 3 . 反应器修改前后随300毫米晶片辐向位置变化的厚度和温度偏差.
图 4 .随金刚石薄膜厚度变化的典型的300毫米晶片弓.
图 5 . 随不同生长温度的金刚石膜厚度变化的100毫米晶片弓.
图 6 . 随厚度变化的独立金刚石薄膜应力.
图 1 . 阐释(a)GD40和(b) GD60微观构造组织的显微照片.
图 2 .在扫描电子显微镜下倾斜45°看到的金刚石涂敷氮化硅工具的边缘的一般情况:(a)在微波等离子体化学气相沉积生长后,(b)在锐化后.
图 3 . 随距离在切削速度为30米/分钟-1时,切削深度为0.2毫米和进料0.15毫米rev-1 在(a)GD50和(b)GD60 的加工中切削力的演变.
MPCVD : microwave plasma chemical vapor deposition 微波等离子体化学气相沉积
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