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闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。另一方面，闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。
闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。
【技术及特点】
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NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。
这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。
前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘(其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性)，它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。
闪存存取比较快速，无噪音，散热小。你买的话其实可以不考虑那么多，同样存储空间买闪存。如果硬盘空间大就买硬盘，也可以满足你应用的需求。
【闪存的分类】
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·目前市场上常见的存储按种类可分：
U盘
CF卡
SM卡
SD/MMC卡
记忆棒
·国内市场常见的品牌有：
金士顿、索尼、晟碟、Kingmax、鹰泰、创见。
【NAND型闪存】
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内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是（512+16）字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到（2048+64）字节。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页，容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。
每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输（512+16）bit信息，8条就是（512+16）×8bit，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存，容量1Gb，基本数据单位是（256+8）×16bit，还是512字节。
寻址时，NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包，每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大，一组8位地址只够寻址256个页，显然是不够的，因此通常一次地址传送需要分若干组，占用若干个时钟周期。NAND的地址信息包括列地址(页面中的起始操作地址)、块地址和相应的页面地址，传送时分别分组，至少需要三次，占用三个周期。随着容量的增大，地址信息会更多，需要占用更多的时钟周期传输，因此NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大，寻址时间越长。而且，由于传送地址周期比其他存储介质长，因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。
决定NAND型闪存的因素有哪些？
1．页数量
前面已经提到，越大容量闪存的页越多、页越大，寻址时间越长。但这个时间的延长不是线性关系，而是一个一个的台阶变化的。譬如128、256Mb的芯片需要3个周期传送地址信号，512Mb、1Gb的需要4个周期，而2、4Gb的需要5个周期。
2．页容量
每一页的容量决定了一次可以传输的数据量，因此大容量的页有更好的性能。前面提到大容量闪存（4Gb）提高了页的容量，从512字节提高到2KB。页容量的提高不但易于提高容量，更可以提高传输性能。我们可以举例子说明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M为例，前者为1Gb，512字节页容量，随机读（稳定）时间12μs，写时间为200μs；后者为4Gb，2KB页容量，随机读(稳定)时间25μs，写时间为300μs。假设它们工作在20MHz。
读取性能：NAND型闪存的读取步骤分为：发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器(随机读稳定时间)→数据传出(每周期8bit，需要传送512+16或2K+64次)。
K9K1G08U0M读一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+12μs+（512+16）×50ns=38.7μs；K9K1G08U0M实际读传输率：512字节÷38.7μs=13.2MB/s；K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+（2K+64）×50ns=131.1μs；K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷131.1μs=15.6MB/s。因此，采用2KB页容量比512字节也容量约提高读性能20%。
写入性能：NAND型闪存的写步骤分为：发送寻址信息→将数据传向页面寄存器→发送命令信息→数据从寄存器写入页面。其中命令周期也是一个，我们下面将其和寻址周期合并，但这两个部分并非连续的。
K9K1G08U0M写一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+（512+16）×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M实际写传输率：512字节÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+（2K+64）×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M实际写传输率：2112字节/405.9μs=5MB/s。因此，采用2KB页容量比512字节页容量提高写性能两倍以上。
3．块容量
块是擦除操作的基本单位，由于每个块的擦除时间几乎相同（擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期的命令和地址信息占用的时间可以忽略不计），块的容量将直接决定擦除性能。大容量NAND型闪存的页容量提高，而每个块的页数量也有所提高，一般4Gb芯片的块容量为2KB×64个页=128KB，1Gb芯片的为512字节×32个页=16KB。可以看出，在相同时间之内，前者的擦速度为后者8倍！
4．I/O位宽
以往NAND型闪存的数据线一般为8条，不过从256Mb产品开始，就有16条数据线的产品出现了。但由于控制器等方面的原因，x16芯片实际应用的相对比较少，但将来数量上还是会呈上升趋势的。虽然x16的芯片在传送数据和地址信息时仍采用8位一组，占用的周期也不变，但传送数据时就以16位为一组，带宽增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16芯片，它每页仍为2KB，但结构为（1K+32）×16bit。
模仿上面的计算，我们得到如下。K9K4G16U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+（1K+32）×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M实际读传输率：2KB字节÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+（1K+32）×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M实际写传输率：2KB字节÷353.1μs=5.8MB/s
可以看到，相同容量的芯片，将数据线增加到16条后，读性能提高近70%，写性能也提高16%。
5．频率
工作频率的影响很容易理解。NAND型闪存的工作频率在20～33MHz，频率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M为例时，我们假设频率为20MHz，如果我们将频率提高一倍，达到40MHz，则K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×25ns+25μs+（2K+64）×25ns=78μs。K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷78μs=26.3MB/s。可以看到，如果K9K4G08U0M的工作频率从20MHz提高到40MHz，读性能可以提高近70%！当然，上面的例子只是为了方便计算而已。在三星实际的产品线中，可工作在较高频率下的应是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的频率目前可达33MHz。
6．制造工艺
制造工艺可以影响晶体管的密度，也对一些操作的时间有影响。譬如前面提到的写稳定和读稳定时间，它们在我们的计算当中占去了时间的重要部分，尤其是写入时。如果能够降低这些时间，就可以进一步提高性能。90nm的制造工艺能够改进性能吗？答案恐怕是否！目前的实际情况是，随着存储密度的提高，需要的读、写稳定时间是呈现上升趋势的。前面的计算所举的例子中就体现了这种趋势，否则4Gb芯片的性能提升更加明显。
综合来看，大容量的NAND型闪存芯片虽然寻址、操作时间会略长，但随着页容量的提高，有效传输率还是会大一些，大容量的芯片符合市场对容量、成本和性能的需求趋势。而增加数据线和提高频率，则是提高性能的最有效途径，但由于命令、地址信息占用操作周期，以及一些固定操作时间（如信号稳定时间等）等工艺、物理因素的影响，它们不会带来同比的性能提升。
1Page=（2K+64）Bytes；1Block=（2K+64）B×64Pages=（128K+4K）Bytes；1Device=（2K+64）B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits
其中：A0～11对页内进行寻址，可以被理解为“列地址”。
A12～29对页进行寻址，可以被理解为“行地址”。为了方便，“列地址”和“行地址”分为两组传输，而不是将它们直接组合起来一个大组。因此每组在最后一个周期会有若干数据线无信息传输。没有利用的数据线保持低电平。NAND型闪存所谓的“行地址”和“列地址”不是我们在DRAM、SRAM中所熟悉的定义，只是一种相对方便的表达方式而已。为了便于理解，我们可以将上面三维的NAND型闪存芯片架构图在垂直方向做一个剖面，在这个剖面中套用二维的“行”、“列”概念就比较直观了。
【应用及前景】
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“优盘”是闪存走进日常生活的最明显写照，其实早在U盘之前，闪存已经出现在许多电子产品之中。传统的存储数据方式是采用RAM的易失存储，电池没电了数据就会丢失。采用闪存的产品，克服了这一毛病，使得数据存储更为可靠。除了闪存盘，闪存还被应用在计算机中的BIOS、PDA、数码相机、录音笔、手机、数字电视、游戏机等电子产品中。
追溯到1998年，优盘进入市场。接口由USB1.0发展到2.0，速度逐渐提高。U盘的盛行还间接促进了USB接口的推广。为什么U盘这么受到人们欢迎呢？
闪存盘可用来在电脑之间交换数据。从容量上讲，闪存盘的容量从16MB到2GB可选，突破了软驱1.44MB的局限性。从读写速度上讲，闪存盘采用USB接口，读写速度比软盘高许多。从稳定性上讲，闪存盘没有机械读写装置，避免了移动硬盘容易碰伤、跌落等原因造成的损坏。部分款式闪存盘具有加密等功能，令用户使用更具个性化。闪存盘外形小巧，更易于携带。且采用支持热插拔的USB接口，使用非常方便。
目前，闪存正朝大容量、低功耗、低成本的方向发展。与传统硬盘相比，闪存的读写速度高、功耗较低，目前市场上已经出现了闪存硬盘。随着制造工艺的提高、成本的降低，闪存将更多地出现在日常生活之中。
【与硬盘区别】
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如果单从储存介质上来说 ，闪存比硬盘好 。但并不是音质上的好，是指数据传输的速度还有抗震度来说（闪存不存在抗震） 。要对比两者之间的优劣并不难， 首先理解什么是数码，知道什么是数码信号之后就该清楚数码信号通常是不受储存介质干扰的。（忽略音频流文件的误码，硬盘和闪存在这个方面可以忽略，光盘不同。） 硬盘和闪存的数据准确性都很高 ，在同样的测试条件下（相同解码相同输出），两者音质肯定是一样的 。对于随身听来说，赞同闪存式。
优点：
1.闪存的随身听小。并不是说闪存的集成度就一定会高。微硬盘做的这么大一块主要原因就是微硬盘不能做的小过闪存，并不代表微硬盘的集成度就不高。再说，集成度高并不能代表音质一定下降。MD就是一个例子。
2.相对于硬盘来说闪存结构不怕震，更抗摔。硬盘最怕的就是强烈震动。虽然我们使用的时候可以很小心，但老虎也有打盹的时候，不怕一万就怕万一。
3.闪存可以提供更快的数据读取速度，硬盘则受到转速的限制 。
4.质量轻。
【闪存发展过程】
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·闪存的发展历史
在1984年，东芝公司的发明人Fujio Masuoka 首先提出了快速闪存存储器(此处简称闪存)的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是非易失性(也就是所存储的数据在主机掉电后不会丢失)，其记录速度也非常快。
Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256K bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。后来，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM(可擦除可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)两项技术，并拥有一个SRAM接口。
第二种闪存称为NAND闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是NOR闪存的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND获得了更好的性能。鉴于NAND出色的表现，它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存储卡上。
·闪存的市场现状分析
目前的闪存市场仍属于群雄争霸的末成熟时期。三星、日立、Spansion和Intel是这个市场的四大生产商。
由于战略上的一些错误，Intel在第一次让出了它的榜首座椅，下落至三星、日立和Spansion之后。
AMD闪存业务部门Spansion同时生产NAND和NOR闪存。它上半年的NOR闪存产量几乎与Intel持平，成为NOR闪存的最大制造商。该公司在上半年赢利为13亿美元，几乎是它整个公司利润额(25亿美元)的一半以上。
总体而言，Intel和AMD在上半年成绩喜人，但三星和日立却遭受挫折。
据市场调研公司iSuppli所做的估计，今年全球的闪存收益将达到166亿美元，比2003年(116.4亿美元)上涨46%。消息者对数码相机、USB sticks和压缩式MP3播放器内存的需求将极大推动闪存的销售。据预测，2005年闪存的销售额将达到175亿美元。不过，iSuppli估计，2005年至2008年闪存的利润增涨将有所回落，最高将达224亿美元。
·新的替代品是否可能？
与许多寿命短小的信息技术相比，闪存以其16年的发展历程，充分显示了其“老前辈”的作风。九十年代初，闪存才初入市场；至2000年，利益额已突破十亿美元。英飞凌科技闪存部门主任，彼得曾说：“就闪存的生命周期而言，我们仍处于一个上升的阶段。”英飞凌相信，闪存的销售仍具有上升空间，并在酝酿加入对该市场的投入。英飞凌在今年初宣布，其位于德累斯顿的200毫米DRAM工厂已经开始生产512Mb NAND兼容闪存芯片。到2004年底，英飞凌公司计划采用170纳米制造工艺，每月制造超过10,000片晶圆。而2007年，该公司更希望在NAND市场成为前三甲。
此外，Intel技术与制造集团副总载Stefan Lai认为，在2008年之前，闪存将不可替代。2006年，Intel将首先采用65纳米技术；到2008年，目前正在研发的新一代45纳米技术将有望投放市场。Stefan Lai觉得，目前的预测仍然比较浅显，或许32纳米、22纳米技术完全有可能实现。但Stefan Lai也承认，2008年至2010年，新的技术可能会取而代之。
尽管对闪存替代品的讨论越来越激励，闪存仍然受到市场的重视。未来的替代品不仅必须是类似闪存一样的非易失性存储器，而且在速度和写周期上略胜一筹。此外，生产成本也应该相对低廉。由于现在制造技术还不成熟，新的替代品不会对闪存构成绝对的威胁。下面就让我们来认识一下几种可能的替代产品：
·Nanocrystals(纳米晶体)
摩托罗拉的半导体部门Freescale正在研制一种增加闪存生命周期的产品。这种产品以硅纳米晶体(Silicon Nanocrystals)为介质，用硅原子栅格代替了半导体内部的固态层。纳米晶体不是一个全新的存储技术。它只是对闪存的一种改进，使它更易扩展。它的生产成本可以比原来低大约10-15%，生产过程更加简单。它的性能与可靠性都能够与目前的闪存相媲美。
摩托罗拉花了十年时间研发这种技术，并打算大规模生产此类产品。去年六月，该公司已经成功地使用此技术推出了一款此类芯片。硅纳米晶体芯片预计会在2006年全面投放市场。
→更多相关内容请参见纳米晶体
·MRAM(Magnetic RAM磁荷随机存储器)
MRAM磁荷随机存储器是由英飞凌与Freescale两家公司研发的一种利用磁荷来储存数据的存介质。MRAM的写次数很高，访问速度也比闪存大大增强。根据计算，写MRAM芯片上1bit的时间要比写闪存的时间短一百万倍。
·磁荷随机存储器
两家公司都认为，MRAM不仅将是闪存的理想替代品，也是DRAM与SRAM的强有力竞争者。今年六月，英飞凌已将自己的第一款产品投放市场。与此同时，Freescale也正在加紧研发，力争在明年推出4M bit芯片。
但是，一些评论者担心MRAM是否能达到闪存存储单元的尺寸。根据英飞凌的报告，目前闪存存储单元的尺寸为0.1µm²，而16M bit MRAM芯片仅达到1.42 µm²。另外，MRAM的生产成本也是个不小的问题。
更多相关内容请参见磁荷随机存储器。
·OUM(Ovonic Unified Memory Ovonyx标准化内存)
OUM是由Intel研发的，利用Ge、Sb与Te等化合物为材料制成的薄膜。OUM。OUM的写、删除和读的功能与CD-RW与DVD-RW相似。但CD/DVD使用激光来加热和改变称为硫系化合物(chalcogenides)的材料；而OUM则通过电晶体控制电源，使其产生相变方式来储存资料。
OUM的擦写次数为10的12次方，100次数据访问时间平均为200纳秒。OUM的速度比闪存要快。尽管OUM比MRAM的数据访问时间要慢，但是低廉的成本却是OUM的致胜法宝。
与MRAM不同，OUM的发展仍处于初期。尽管已制成测试芯片，它们仅仅能用来确认概念而不是说明该技术的可行性。Intel在过去四年一直致力于OUM的研发，并正在努力扩大该市场。
更多相关内容请参见OUM 。
·总结
除了上文提到的MRAM和OUM，其它可替代的产品还有MRAM (FeRAM)、 Polymer memory (PFRAM)、 PCRAM、 Conductive Bridge RAM (CBRAM)、 Organic RAM (ORAM)以及最近的Nanotube RAM (NRAM)。目前替代闪存的产品有许多，但是哪条路能够成功，以及何时成功仍然值得怀疑。
对大多数公司而言，闪存仍是一个理想的投资。不少公司已决定加大对闪存的投资额。此外，据估计，到2004年，闪存总产值将与DRAM并驾齐驱，到2006年将超越DRAM产品。因为，在期待新一代产品的同时，我们也不应该忽视目前已有的市场。
闪存盘通常也被称作闪盘,优盘,U盘.闪存盘是一个通用串行总线USB接口的无需物理驱动器的微型高容量移动存储产品,它采用的存储介质为闪存存储介质(Flash Memory)。闪存盘不需要额外的驱动器，将驱动器及存储介质合二为一，只要接上电脑上的USB接口就可独立地存储读写数据。可用于存储任何格式数据文件和在电脑间方便地交换数据。闪存盘体积很小，重量极轻，约为15克，特别适合随身携带。闪存盘中无任何机械式装置，抗震性能极强。另外，闪存盘还具有防潮防磁，耐高低温(-40°C ~ +70°C)等特性，安全可靠性很好。闪存盘的使用非常简单方便，任何支持Windows 98/ Windows ME / Windows 2000/Mac OS和通用串行总线(USB)的电脑，都可以使用闪存盘，步骤如下：
1)把闪存盘插到电脑的通用串行总线USB接口上；
2)系统将自动识别并产生一个可移动磁盘(Windows 98需装驱动程序)；
3)然后就可以象使用软盘或硬盘一样使用闪存盘了。
闪存盘的特点
闪存盘可用来在电脑之间交换数据。从容量上讲，闪存盘的容量从16M到2GB可选，突破了软驱1.44M的局限性。从读写速度上讲，闪存盘采用USB接口，读写速度较软盘大大提高。从稳定性上讲，闪存盘没有机械读写装置，避免了移动硬盘容易碰伤、跌落等原因造成的损坏。部分款式闪存盘具有加密等功能，令用户使用更具个性化。闪存盘外形小巧，更易于携带。
闪存盘与闪存卡有什么区别？
闪存盘是直接用于电脑的，使用方便；而其它的Flash memory 产品(CompactFlash, SmartMedia, MultiMedia Memory Card, Memory Stick, Secure Digital Card)都需要有驱动器才可以接上电脑。
什么是usb2.0?
usb 2.0是usb技术的新版本。传输速率高达480mbps，是usb1.1的40倍。适合新型高速外设。它继承了usb 1.1的易用性，即插即用、免安装驱动，完全兼容usb1.1标准，您已经购买的usb1.1 设备和连接线仍然可以继续使用。
（注：根据一个新的标准，USB2.0又可分为usb2.0 high speed，usb2.0 full speed，usb2.0 low speed，其中只有usb2.0 high speed是真正原 USB2.0）
USB1.1和USB2.0的闪存盘读写速度分别是多少？
USB1.1的闪存盘读速一般为630KB，写速一般为520KB；
USB2.0的读速一般为1.5MB，写速一般为1.0MB。
能否把usb2.0设备接在usb1.1接口上？
可以，但受usb1.1的速度限制, 发挥不了USB2.0效果
能否同时使用usb2.0和usb1.1设备？
可以，usb2.0的设备可以与usb1.1的设备共存。
能否在os 9.x系统中使用usb2.0设备?
可以，但必须安装驱动程序；但是这些操作系统并不支持usb2.0，该设备在这些系统中只能工作在usb1.1模式
读写闪存盘时，是否可以运行其它应用程序？
可以。
闪存盘可擦写多少次？闪存盘里的数据能保存多久？
闪存盘可擦写1,000,000次，闪存盘里数据可保存10年
一台电脑可同时接几个闪存盘？
理论上一台电脑可同时接127个闪存盘，但由于驱动器英文字母的排序原因, 以及现有的驱动器需占用几个英文字母，故闪存盘最多只可以接23个(除开 A、B、C), 且需要USB HUB的协助。
闪存盘在DOS状态下能否使用
闪存盘支持WINDOWS虚拟DOS方式(启动Windows后在附件中进入)。支持启动功能的优盘在通过闪存盘成功启动电脑的状态下，能够以DOS命令方式操作。
闪存盘支持WINDOWS 95吗?
闪存盘不支持WINDOWS 95操作系统，建议用户升级操作系统至WINDOWS98或以上版本。
WINDOWS NT4.0下闪存盘如何使用?
不能。因为WINDOWS NT4.0操作系统不支持USB设备，而闪存盘是基于USB的设备。
闪存盘可以在什么驱动程序下使用？
A9 Windows98、Windows ME、Windows 2000、Windows XP、MAC OS、Linux。
闪存盘是否需要驱动程序？
在Mac OS 、Windows 2000以上版本上不需要，在Win 98上需要驱动程序
闪存盘可以在Windows 98 / Windows 2000 / Mac OS下被格式化吗?
可以。
闪存盘的内容能否加密？
可以。
闪存盘在局域网里是否可以共享？
可以。
闪存盘可以存储哪些类型的数据？
所有电脑数据都可以存储，包括文件、程序、图象、音乐、多媒体等。
安装闪存盘时是否需要关闭电脑？
不需要，闪存盘是即插即用型产品，可以进行插拔。
闪存盘可以防水吗？
闪存盘是电子类产品，掉入水中后可能会造成闪存盘内部短路而损坏。
插拔闪存盘时，有哪些注意事项
当闪存盘指示灯快闪时，即电脑在读写闪存盘状态下，不要拔下闪存盘当插入闪存盘后，最好不要立即拔出。特别是不要反复快速插拔，因为操作系统需要一定的反应时间，中间的间隔最好在5秒以上。
闪存盘是否会感染病毒？
闪存盘像所有硬盘一样可能感染病毒
闪存盘用于桌面电脑时，并且USB接口在电脑的后面时，有什么办法使之更方便？
通过一条USB转接电缆(具有 A-Type Plug and A-Type Receptacle)与电脑连接
存盘的LED灯显示表示什么含义？
当LED灯亮的时候，它表示闪存盘连接成功暂时没有数据传输。当LED闪烁的时候，它表示闪存盘正在数据传输过程中。
当闪存盘的LED还在闪时，是否可以拔出闪存盘？
不可以。会使闪存盘的数据丢失或使FAT表破坏且出现蓝屏。当操作系统读闪存盘时它会使电脑出现蓝屏。
闪存盘上的文件出现乱码或文件打不开
使用闪存盘专用工具做格式化。
双击闪存盘盘符时，电脑提示闪存盘需格式化
当闪存盘分区表遭到破坏或是闪存盘性能不稳定时，会出现上述现象。出现这种问题，一般可以使用闪存盘专用工具做格式化。
闪存盘写保护不起作用，在写保护关锁状态，数据也能够顺利写入。
切换闪存盘写保护开关，需要在断开与电脑的联接的状态下进行。如果是在与电脑联接状态下切换了写保护开关，需要重新插拔一次闪存盘，才能切实使切换起作用。
当u盘在Windows2000下插入时盘符未见到，或当拔出u盘时盘符未消失的情况下怎么办？
需刷新(Refresh)屏幕, 或按F5，或用鼠标右键点击我的电脑(My Computer)的空白处,在弹出菜单即可看到“刷新(Refresh)”选项
为什么将U盘插入电脑会出现两个盘符？
原因可能有：
1)可能是已将U盘分区
2)主板USB端口供电不稳，电压瞬间过高
3)受高压静电冲击
处理办法：若是第一种情况，请将U盘进行格式化如果是第二、三种情况，请与代理商联系返回厂家维修。
为什么U盘在插上USB口后，电脑不认，没有出现“可移动磁盘”？
原因可能有：
1) USB口接触不好，
处理办法：拔下，等十秒钟再插上USB口，使接触完好；
2) 电脑的USB功能没有打开，
处理办法：启动电脑进去BIOS设定，找到USB功能选项，选“使能”
3) 闪存盘驱动程序没有安装完成(WIN98系统下)，
处理办法：鼠标点“我的电脑”，选择属性找到“通用串行总线”，删除其中的USB MASS STORAGE项，再点击“刷新”，然后按照提示重新安装一次驱动程序。
复制文件到U盘的过程中出现蓝屏错误，导致Windows程序中断？
原因可能是：U盘意外拔下，或有其他错误操作或松动，
处理办法：重启电脑，再检查U盘内容，是否有丢失或错误，如有则重新进行格式化一遍。
文件已复制到U盘中(可以在双击“可移动磁盘”后，看到复制的内容，并且可以打开文件)，但是在转移到另外一台电脑中时却发现可移动磁盘中没有内容
由于操作系统在操作外部磁盘的时候，会开辟一个内存缓存区，许多存取操作实际上是通过这个缓存区完成的，所以有时候在复制文件到“可移动磁盘”后虽然在显示屏上可以看到所复制的文件已经复制到移动磁盘内，并且可以进行任意操作，但是实际上文件并没有真正COPY到磁盘.因此，在COPY完文件后，应该拔下来再次插到电脑里检验一下文件是否真正COPY到闪存盘里。
为什么资料复制到优闪盘后，用其他电脑打开文件时会出现错误？
是由于存入文件后进行的错误操作造成的。
优盘在错误操作后会造成存储文件丢失，操作系统中断，甚至造成优盘损坏，误操作有：
１) 在工作指示灯正常存取的时候进行插拔优盘；
２) 迅速反复插拔优盘，由于主机需要一定的反应时间，在主机还没有反应过来时就进行下一步操作会造成系统死机等各问题；
３) 发现错误时(可能是还没反应过来)，迅速进行了优盘格式化；
４) 正在格式化，在没有完成的情况下拔下优盘；
５) 主机USB接口太松，有时能接触到，有时不能接触到；
６) 主机操作系统有病毒，导致系统不稳定和不能正常反应；
在资源管理器中查看优盘容量时，有些优盘显示容量会比标称值小一点儿。
是正常的。原因有很多：
1）预置应用软件，占用了一定的优盘空间
2）优盘的实际显示容量，跟优盘的称值有一定的误差，优盘的标称值是标明了优盘采用的FLASH的规格，误差的大小跟采用的技术方案有关，不同型号、不同容量的优盘，误差不尽相同
3）优盘采用的是Flash闪存技术，与软盘及硬盘的磁存储技术不一样。Flash芯片直接影响usb设备的容量及品质。芯片厂商在出厂时芯片容量与所示标称值就有一定的误差，也会导致优盘容量不尽相同。
4）操作系统识别与硬件设备生产厂商两者容量计算公式上的不同所致。生产厂商为了计算方便，往往设定1KB=1000Bytes、1MB=1000KB、 1GB=1000MB。而操作系统则为1KB=1024Bytes、1MB=1024KB、1GB=1024MB。这就产生了存储设备标配容量和实际使用容量出现差异的情况。由此也推算可知128MB优盘的实际容量理论上应为125MB，64MB优盘的容量应该为62.5MB，以此类推。
5）闪存芯片在制造时，允许闪存介质有坏块(Bad Block)的存在，这些坏块不能被使用，也不算做有效容量。
6）与硬盘一样，优盘也是采用FAT文件系统，而FAT文件系统包括MBR主引导分区、FAT文件分配表和ROOT目录区等，这些区域也要占用闪存空间，一般需要占用几百KB。
优盘在使用一段时间后，再次格式化，其容量竟然会自动变小了
数据写入的时候，闪存芯片内部需要有至少一个物理块(Block)作为交换块使用。这是因为闪存的写操作很特殊，必须是先擦除，然后才能写入数据，而擦除的最小单位是一个物理块，但写数据的最小单位却是一个页(Page)。
在闪存的存储单位中，一个物理块包含若干个物理页。因此写数据时，需要有一个空的、可以使用的交换块来存放不需要被擦除的数据。由于闪存的充放电特性，使得它的读写次数有物理上的限制。
通常厂商会在闪盘内部做一个读写次数的计数，当闪存芯片的某个物理存储区块达到读写指定的最高次数时，该块区将被设定为不再使用的区域，所以在极度频繁地使用下，闪盘容量有可能越来越小。
市场上的闪存产品包括两类：1. 未预留缓冲空间的；2. 预留有缓冲空间的。
第一种情况下，由于没有预留空间，闪存在读写时交换块的损耗相当大，于是就会出现容量越来越小的情况。
对于第二种情况，厂商在设计时已经预留部分物理块，比如选择1024个物理块中的1000个作为数据存储使用，其余24个物理块(包括坏块)用作缓冲交换块部分。每次上电后，存储单元的逻辑地址和物理地址需要重新对照，交换块并不是固定的某一区块，因而每一个物理块进行读写操作的几率几乎相同，不会出现哪一个物理块过早被损坏的现象。对于预留缓冲空间的闪盘来说，基本不会出现容量越来越小的情况。
不过，目前多数优盘产品已经可以保证擦写百万次以上的使用寿命。
加密优盘，在WINDOWS XP的电脑上安装驱动程序，在即将完成安装时，提示“没有经过WINDOWS徽标测试,无法验证它同WINDOWS XP的兼容性”
微软在WINDOWS XP中添加了对驱动程序的数字签名测试功能，提供安全措施，保证用户设备的驱动程序不会被篡改，并降低用户安装无保护驱动程序的风险。
出现上述提示信息时，可以选择”继续安装”完成驱动程序的安装。如果以后不要求WINDOWS提示类似信息，可以通过以下步骤实现：用鼠标右键单击桌面”我的电脑”=》属性=》硬件=》驱动程序签名=》单选”忽略”，并选择”将这个操作作为系统默认值应用”
电脑USB接口接其它USB设备(如扫描仪、打印机、数码相机)时可以正常用，接优盘时闪存盘指示灯不亮，不能够使用
1、检查优盘与电脑的联接是否正常，并换用其它USB接口测试
2、检查设备管理器，看是否出现”通用总线设备控制器”条目，如果没有，请将电脑主板BIOS中USB接口条目*激活(ENABLE)
3、如果电脑安装过其它类型USB设备，卸载该设备驱动程序，并首先安装优盘驱动程序
4、到其它电脑试用此优盘，确认是否优盘不良
向优盘根目录下拷贝文件，当文件数达到200个左右，远未达到优盘标称容量时，有时就提示”磁盘容量已满”，无法继续保存文件
优盘采用FAT文件系统，根目录存放区域是固定的，根据FAT文件系统标准，根目录按msdos8.3格式，理论上最多可存放510个文件(包括目录的数目)。在windows95以上操作系统，如果存放的文件(包括目录)是8.3格式，理论上最多可存254个文件(包括目录)。如果不是8.3格式，可存量是变化的，最少可存25个以上。对此问题，可用在优盘根目录下建立多个分类子目录，在子目录下保存文件的办法来解决。
为什么启动型优盘在我的电脑上无法实现启动
可能是主板型号不支持
如何判断一块主板是否支持闪存盘启动系统
启动型优盘是采用模拟USB软驱和USB硬盘的方式启动电脑的。只要电脑主板支持USB设备启动，即BIOS的启动选项中有USB-FDD、USB-HDD或是其它类似的选项，就可以使用启动型优盘启动电脑。
第一次在电脑上使用优盘，未出现提示发现新硬件的窗口，驱动程序无法安装
原因可能是：
1、主板usb controller未启用，
解决办法: 在电脑主板BIOS中启用此功能
2、usb controller已经启用但运行不正常，
解决办法: 在设备管理器中删除”通用串行控制器”下的相关设备并刷新。
3、优盘被电脑识别异常，在设备管理器中表现为带有黄色？或！的”其它设备”或”未知设备”，
解决办法: 删除此设备并刷新
大容量的U盘(例如兼具MP3播放器或录音功能的U盘)或移动硬盘在电脑上无法正常使用，虽然系统提示找到了未知的USB设备，但无法正确识别U盘或移动硬盘
原因可能是：
1． USB接口供电不足: 系统为每个USB接口分配了500mA的最大输出电流，一般的U盘只需要100mA的工作电流，因此在使用过程中不会出现什么问题。大多数移动硬盘所使用的是普通的2.5英寸硬盘，其工作电流介于500mA~1000mA之间，此时假如仅仅通过USB接口供电，当系统中并无其他USB设备时，那么还是可以勉强使用的，但如果电压不稳的话，就随时可能出现供电不足的问题。特别是使用支持USB 2.0的移动硬盘时，情况最为严重。另外，如果你的笔记本电脑使用电池供电，那么USB接口所分配的电量就更小了。
2．使用了外接的USB 扩展卡: 在笔记本电脑中使用USB 2.0的U盘或移动硬盘时，如果笔记本电脑不支持USB 2.0技术，一般必须通过PCMCIA卡转USB 2.0的扩展卡来间接实现支持，这些扩展卡基本上都采用NEC公司的D720100AGM USB控制芯片，少则提供两个USB 2.0接口，多则提供五个USB 2.0接口，对一般用户而言足够使用了。由于PCMICA接口提供的电源功率比板载USB接口要小，这样就会由于供电不足而导致移动硬盘工作的出现问题。
解决方案:
1) 它从USB连接线上接移动硬盘的一端引出一根转接线，可以插入电脑背后的PS/2接口取电，这里可以比USB接口提供更大的电流输出。
2) 利用电源补偿线(也称“键盘取电线”)，如果U盘或移动硬盘的包装盒中提供了选配的电源适配器，你就可以直接使用外接电源，这样就可以从根本上避免供电不足的情况发生了
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