聚焦离子束扫描电镜双束系统（FIB-SEM）是在SEM的基础上增加了聚焦离子束镜筒的双束系统，同时具备微纳加工和成像的功能，广泛应用于科学研究和半导体芯片研发等多个领域。本文记录一下FIB-SEM在材料研究中的应用。以目前实验室配有

中国的光刻机现在达到22纳米。在上海微电子技术突破之前，我国国产光刻机还停留在只制造90nm芯片的阶段。这一次中国从90nm突破到22nm，意味着光刻机制造的一些关键核心领域实现了国产化。掌握核心技术的重要性不言而喻。突破关键区域后，高阶光

光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶

8英寸晶圆表示生产芯片的晶圆为8英寸半径的圆形材料。晶圆，多指单晶硅圆片，由普通硅沙拉制提炼而成，是最常用的半导体材料。按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至更大规格。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就多。

E5200 (2M Cache, 2.50 GHz,) 45nm制程G540  (2M Cache, 2.50 GHz)   32nm制程E5200是08年的产品，G540是11年的产品，从参数看，二者性能相近，但是G540是32nm制程

截至3月30日，德国的1&amp1 Internet拥有的服务器数量为5.5万台，为拥有服务器数量最多的公司。其次是美国圣安东尼奥的Rackspace，拥有服务器5.0038万台。此外，The Planet、数据公司Akamai T

光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶

8英寸晶圆表示生产芯片的晶圆为8英寸半径的圆形材料。晶圆，多指单晶硅圆片，由普通硅沙拉制提炼而成，是最常用的半导体材料。按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至更大规格。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就多。

将一级物资供应商拆分成：物资和一级供应商。就是一级供应商供应的是物资。何谓一级供应商：一级供应商供应商是你的直接供应商（也叫一级供应商或者一次供应商），但他可能也要从别处采购原料或者半成品，加工或组装后卖给你，那供应他原料的就是你的二级供应

生产原料钛铬合物引起的。SU8SU8是一种环氧型光刻胶，su8胶变红是生产原料钛铬合物引起的。胶联后是一种环氧型光刻胶，胶联后很难去除。在去胶液中只能发生很难去除。在去胶液中只能发生“溶胀溶胀”而不能溶解。溶于。SU-8光刻胶UV曝光的目的

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因为中兴通讯被美国商务部禁售，这种只有行业人士才知道的高端设备也被大众所知晓，这就是光刻机，它是生产芯片最为关键的设备之一。最高端的光刻机一台能卖一亿美元，并且还得排队购买，即便了下单一般21个月后才能供货。 全球高端光刻机来自荷兰A

前些天，我国本土半导体设备传来好消息，中微半导体设备（上海）有限公司自主研制的5nm等离子体刻蚀机经台积电验证，性能优良，将用于全球首条5nm制程生产线。刻蚀机是芯片制造的关键装备之一，中微突破关键核心技术，让“中国制造”跻身刻蚀机

电阻式触摸屏中经常使用的原材料，主要用于荧光屏、玻璃、陶瓷、化学试剂等。另外，广泛应用于有色玻璃、陶瓷、碱锰电池代汞缓蚀刘、化学试剂等传统领域。近年来大量应用于光电行业等高新技术领域和军事领域，特别适用于加工为铟锡氧化物(ITO)靶材，制造

维修经验表示不可以。参考下面经历过的人的原文：“修好了，那块芯片型号是SEM3040。上一位师傅怎么可以用FAN7530直接代换真是弄不懂他了，害我找遍了网络，才发现只有SEM3040和实物图相近，果断网购了几片今天到货装上通电再没有嗒嗒声

所谓真空镀膜就是置待镀材料和被镀基板于真空室内，采用一定方法加热待镀材料，使之蒸发或升华，并飞行溅射到被镀基板表面凝聚成膜的工艺。一、镀膜的方法及分类在真空条件下成膜有很多优点：可减少蒸发材料的原子、分子在飞向基板过程中于分子的碰撞，减少气

sem和光刻机区别二者之间结构差异主要体现在样品在电子束光路中的位置不同。透射电镜（TEM）的样品在电子束中间，电子源在样品上方发射电子，经过聚光镜，然后穿透样品后，有后续的电磁透镜继续放大电子光束，最后投影在荧光屏幕上扫描电镜（SEM）的

楼下误导。75NF75是 ST的 75V,75A 场效应管，理论上说75NF75更好。不过75NF75只适用于48V或者36V控制器，用于60V以上的控制器则不够用，容易击穿。如果你要做60V或者72V控制器，建议你要用100V,100

sem和光刻机区别二者之间结构差异主要体现在样品在电子束光路中的位置不同。透射电镜（TEM）的样品在电子束中间，电子源在样品上方发射电子，经过聚光镜，然后穿透样品后，有后续的电磁透镜继续放大电子光束，最后投影在荧光屏幕上扫描电镜（SEM）的