先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正

纳米晶是光阳极材料。根据查询相关公开资料信息显示，纳米晶作为光阳极材料和电子传输层的敏化，钙钛矿电池以其出色的光电特性引起研究者重视。以染料敏化TIO2纳米晶作光阳极的新型高效太阳能电池，开创了太阳能电池的新世纪。注：这个也是我的绿色材料的

SEM全称是扫描电子显微镜。一般常用微观形貌观测模式。电流大小是由电流密度和镀件面积决定的，电流密度是由各电镀工艺决定的。那么，知道了这几个条件怎样计算镀层厚度或者时间呢？首先要了解电化当量的概念，所谓电化当量，就是单位电流和单位时间内能够

1、 一个热阴极，它被加热以通过热离子发射产生电子流；2、 产生电场以聚焦电子束的电极（例如Wehnelt 圆柱体）；3、 一个或多个阳极加速并进一步聚焦光束的电极。阴极和阳极之间的大电压差使电子加速远离阴极。放置在电极之间的排斥环将

关于氧化亚铜的电化学制备的目的和意义相关资料如下氧化亚铜是一种性能优异的p型半导体材料,其带隙宽度与可见光波长范围相对应,适合被太阳光直接激发而具有光催化和光电特性,非常具有应用潜力。但是氧化亚铜基光催化和光电器件并没有得到普遍应用,原因是

可以观察。需要你将你的样品进行抛光，最好再做一个横断面的抛光试样，这样在表面和横断面都可以观察。放大倍数需要样品进入SEM后具体观察，放大倍数不是问题。估计只需要很小的放大倍数，1000倍左右没什么问题镀层厚度因应用在不同的场合、不同的用途

可以观察。需要你将你的样品进行抛光，最好再做一个横断面的抛光试样，这样在表面和横断面都可以观察。放大倍数需要样品进入SEM后具体观察，放大倍数不是问题。估计只需要很小的放大倍数，1000倍左右没什么问题镀层厚度因应用在不同的场合、不同的用途

1.通用工艺流程：铝工件→上挂具→脱脂→水洗→碱蚀→水洗→出光→水洗→阳极氧化→水洗→去离子水洗→染色或电解着色→水洗→去离子水洗→封闭→水洗→下挂具2.高光亮度的铝制品工艺流程：铝工件→机械抛光→脱脂→水洗→中和→水洗→化学或电化学

会。印制电路有机助焊膜层色差明显的原因是微蚀不均匀所至，微蚀的目的在于增加铜表面的粗糙度，清除前工序遗留残渣，保持铜面新鲜。解决方法是严格控制微蚀液的浓度和处理时间。释义：为粗化铜面而设计的一种铜面处理工艺；可以应用于HDI板干湿膜前处理

完全不可行！对于做腐蚀的来说，一般用SEM看腐蚀形貌，能谱看腐蚀产物成分、含量，并不是所有的腐蚀产物都会附着在试样表面，有的已经扩散到腐蚀介质中去了。你这样是把一个简单的问题复杂化，直接用失重法嘛，或者用电化学的方法原理：当金属被放置在水

完全不可行！对于做腐蚀的来说，一般用SEM看腐蚀形貌，能谱看腐蚀产物成分、含量，并不是所有的腐蚀产物都会附着在试样表面，有的已经扩散到腐蚀介质中去了。你这样是把一个简单的问题复杂化，直接用失重法嘛，或者用电化学的方法原理：当金属被放置在水

膨胀石墨具有四级孔粒结构：一级孔为表面V型开方孔，十几微米到几百微米。二级孔亚片层间柳叶形，横向相互连通，几微米到十几微米。三级孔石墨为亚片层间内多边形孔，1微米到0.1微米量级。四级孔在纳米级，极少。青岛华泰石墨膨胀后生成石墨蠕虫，蠕虫的

关于氧化亚铜的电化学制备的目的和意义相关资料如下氧化亚铜是一种性能优异的p型半导体材料,其带隙宽度与可见光波长范围相对应,适合被太阳光直接激发而具有光催化和光电特性,非常具有应用潜力。但是氧化亚铜基光催化和光电器件并没有得到普遍应用,原因是

关于氧化亚铜的电化学制备的目的和意义相关资料如下氧化亚铜是一种性能优异的p型半导体材料,其带隙宽度与可见光波长范围相对应,适合被太阳光直接激发而具有光催化和光电特性,非常具有应用潜力。但是氧化亚铜基光催化和光电器件并没有得到普遍应用,原因是

拿电视机显像管来说吧 显像管管径处装有电子枪电子枪由灯丝、阴极、控制栅极、加速阳极、聚焦阳极、高压阳极组成.阴极呈圆筒状 其上涂覆有能发射电子的氧化层筒内装有灯丝灯丝点亮后加热阴极顶部的氧化层使其发射电子控制栅极能够改变

拿电视机显像管来说吧 显像管管径处装有电子枪电子枪由灯丝、阴极、控制栅极、加速阳极、聚焦阳极、高压阳极组成.阴极呈圆筒状 其上涂覆有能发射电子的氧化层筒内装有灯丝灯丝点亮后加热阴极顶部的氧化层使其发射电子控制栅极能够改变

要判断可能有3个方面: 1.显卡问题 (重新插,清洁金手指,风扇是否正常. 更新驱动,可以下载驱动精灵. 再不行的话保修期间要求免费换) 2.连接线问题(重新插,检查vga或者dvi接口) 3.显示器问题(检查电插座是否通电.方便的话,接在

一般用Keller试剂腐蚀，更常用的是阳极覆膜。个人感觉用电解抛光制样，比较容易腐蚀出晶界。铝合金要看晶粒度一般需要电解抛光和阳极制膜，然后偏振光显微镜下观察。或用SEM的EBSD进行观察。PS:Keller's浸蚀剂：95m

一般用Keller试剂腐蚀，更常用的是阳极覆膜。个人感觉用电解抛光制样，比较容易腐蚀出晶界。铝合金要看晶粒度一般需要电解抛光和阳极制膜，然后偏振光显微镜下观察。或用SEM的EBSD进行观察。PS:Keller's浸蚀剂：95m