导读：本文总结了二维材料宽禁带材料异质结构的制备方法和能带对齐理论；介绍了铁电极化场和压电应力效应在二维铁电异质结构中的应用；列举了二维宽禁带半导体异质结构在探测器、场效应晶体管、光催化和气体传感器领域的研究进展；最后，总结了二维

禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；比如氮化镓禁带宽度很大，即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带，这样就能继续发挥半导体作用，同理因为跃迁能量较大，所以GaN更难被击穿，因此常

绝缘体的禁带宽度：绝缘体的禁带宽度比较大（6~7ev），而半导体的禁带宽度通常在1ev左右，例如300K下，Si的Eg 1.12ev，Ge 0.67ev，GaAs 1.43ev,当外界条件变化的时候，里面的电子会获得能量，获得能量之后，满带

如果你想在一所国际排名的靠前的大学学习会计和金融，QS世界大学学科排名值得关注，因为它的排名中有200个世界顶级大学，跟着出国留学网来看看前十名的大学是哪些学校吧，欢迎阅读。第一名：日本一桥大学日本的一桥大学是一所位于东京的国立大学，专注于

本文探讨了紫外辐照对生长在蓝宝石衬底上的非有意掺杂 n 型氮化镓 (GaN) 层的湿法化学刻蚀的影响。实验过程中，我们发现氮化镓的蚀刻发生在 pH 值分别为 2-1 和 11-15 的磷酸水溶液和氢氧化钾溶液中。在稀释的磷酸和氢氧化钾溶液中