单晶硅是硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。扩展资

禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；比如氮化镓禁带宽度很大，即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带，这样就能继续发挥半导体作用，同理因为跃迁能量较大，所以GaN更难被击穿，因此常

三代半导体——氮化镓氮化镓（GaN），是由氮和镓组成的一种半导体材料，因为其禁带宽度大于2.2eV,又被称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。氮化镓和其他半导体材料对比上图中我们可以看到，氮化镓比硅禁带宽度大3倍，击穿场强高1

三代半导体——氮化镓氮化镓（GaN），是由氮和镓组成的一种半导体材料，因为其禁带宽度大于2.2eV,又被称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。氮化镓和其他半导体材料对比上图中我们可以看到，氮化镓比硅禁带宽度大3倍，击穿场强高1

统计显示，我国云计算的市场规模在2010年就已达到350亿元，2013年更是达到900亿元，2014年超过1000亿元，年均发展增速达到37%。业内人士预计，“十三五”期间，我国网络建设投资规模预计将在1.75万亿元左右；其中，大数据、云计