这是EDAX公司制造的EDS 采集SEM图像做能谱分析时候的信息，具体如下：KV 加速电压 ：15千伏特Mag（magnification） 放大倍数：1700倍TILT 样品台倾斜角度：0°MicronsPerPixY 样品上编制的每个像

这是EDAX公司制造的EDS 采集SEM图像做能谱分析时候的信息，具体如下：KV 加速电压 ：15千伏特Mag（magnification） 放大倍数：1700倍TILT 样品台倾斜角度：0°MicronsPerPixY 样品上编制的每个像

碳化硅和硅单质的稳定性具体区别如下。碳化硅，与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性：①耐高压：击穿电场强度大，是硅的 10 倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。②耐高温：半导体器件在较高

绝缘体的禁带宽度：绝缘体的禁带宽度比较大（6~7ev），而半导体的禁带宽度通常在1ev左右，例如300K下，Si的Eg 1.12ev，Ge 0.67ev，GaAs 1.43ev,当外界条件变化的时候，里面的电子会获得能量，获得能量之后，满带