本文利用HBr/Cl/He-O2反应气体对多晶硅进行反应离子蚀刻后,利用X射线光电子能谱(XPS)和电子显微镜(SEM)对表面形成的杯状流层进行了研究,为了查明蚀刻残留物的形成机制,从原来的混合气体成分中分别排除一种成分的反应气体,观察了其效果。同时,为了消除使用HBr/CI/He-O2混合气体冷却后形成的残留层,引入了湿法和干式工艺进行了比较。
SE指的是化学元素。
硒是一种非金属元素,化学符号是Se,在化学元素周期表中位于第四周期VI A族(第34号元素)。可以用作光敏材料、电解锰行业催化剂、动物体必需的营养元素和植物有益的营养元素等。
硒在自然界的存在方式分为两种:无机硒和植物活性硒。无机硒一般指亚硒酸钠和硒酸钠,从金属矿藏的副产品中获得;后者是硒通过生物转化与氨基酸结合而成,一般以硒代蛋氨酸的形式存在。
硒的化学性质:
硒在空气中燃烧发出蓝色火焰,生成二氧化硒(SeO2)。与氢、卤素直接作用,与金属能直接化合,生成硒化物。不能与非氧化性的酸作用,但它溶于浓硫酸、硝酸和强碱中。
硒经氧化作用得到二氧化硒。溶于水的硒化氢能使许多重金属离子沉淀成为微粒的硒化物。硒与氧化态为+1的金属可生成两种硒化物,即正硒化物(M2Se)和酸式硒化物(MHSe)。
正的碱金属和碱土金属硒化物的水溶液会使元素硒溶解,生成多硒化合物(M2(Se)n),和硫能形成多硫化物相似。
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