ocd光学线宽测量和cd-sem的区别

SEM作为显微镜，可以放大微观物体形态，一般允许误差在放大倍数±5%。在相同工作条件下，放大倍数一般不会漂移，精度可靠。但随着温湿度变化，随着电磁环境变化，可能会有漂移。因为SEM放大和光学显微镜放大完全不同，完全靠扫描线圈和电器元件控制，电器元件的老化，可能会引起放大倍数漂移，因此过两年需要校准放大倍数。另外SEM图像尺寸测量精度问题，这个情况和方舟子质疑韩2身高有些类似，许多人用图像测量得出的结果误差很大。但相同的测量方法精度很高！还有SEM作为材料分析平台，做化学成分分析，晶体结构分析。偏差可以保证2%以内。最后总结：精度靠方法和条件保证！前提是方法一致，条件不要变化！！

就定量来说，SEM点分析比线分析和面分析更准确，扫描的方式不同，线分析和面分析只能定性的分析观察视场的元素分布情况（线分析是沿着某个界面的元素分布起伏，而面分析是看整个视场的元素分布情况），点分析可以基本定量分析元素。

SEM/EDS是扫描电子显微镜和X-射线能量色散谱仪的简称，两者组合使用，功能非常强大，既能观察微区的形貌又能对微区进行成分分析，在各类分析工作中被广泛运用。

EDS mapping时间就长的多了，尤其是如果想得到比较确定的数据的话，一个线扫就可以耗费半个小时。EDS mapping的分辨率不仅取决于束斑尺寸，由于收集时间比较长，样品漂移的影响更大，所以比eels mapping 差不少。

想准确测定厚度还是很麻烦的，关键就在于制样，关于镀层或者薄膜厚度的测定有相关标准的，标准名称我不太记得了，改天给你发过来也行（如果需要），大概意思是说在要测的镀层外面再镀一层镍，然后把材料固化在树脂中，再做截面，或者抛光，然后再测定，关键是不要破坏镀层.关于SiO2不导电的问题，喷金或者喷碳就可以解决.

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