面反射率的变化情况从金字塔的成核、生长过程的角度分析了各工艺参数影响绒面质量的机理总结
出了适宜大规模生产的工艺参数。
关键词 单晶硅 绒面 各向异性
Abstract:Anisotropic etching process of(100)oriented crystalline siliconin alkaline solution containing sodium hydroxide and ethanol was investigated,which is the common formulaoftexturing solution in Chinesemass production ofmono-silicon solar cells This paper shows the different surface morphology and reflectance as the concentrations ofNaOH orethanol,as well as etching time changed The roles ofNaOH and ethanolin the texturing solution are expressed fromthe view point ofnucleation and growth ofpyramid The processing parameters are optimized to meet the requirement for mass production
Key words:crystalline silicon,texturization,anisotropic etching
1引言 在较短的时间内形成质量较好的金字塔绒
为了提高单晶硅太阳电池的光电转换 面。
效率 工业生产中通常采用碱与醇的混合溶 目前已经有许多的研究小组对单晶硅液对 100晶向的单晶硅片进行各向异性 片的各向异2性3腐4蚀5]过程进行了细致深入的腐蚀在表面形成类“金字塔”状的绒面 研究[1 各自给出了制备金字塔绒面 pyramidal texture 有效的增强了硅片对 的优化工艺条件。在国外的研究和生产中入射太阳光的吸收从而提高光生电流密 大部分的制绒液是碱 NaOH KOH 度。对于既可获得低的表面反射率 又有利 Na 2CO3 (CH 3 )4NOH 与异丙醇的混合溶液。于太阳电池的后续制作工艺的绒面 应该是 在中国考虑到生产成本太阳电池制造商金字塔大小均匀单体尺寸在 2~10微米之 大多使用价格相对较低的乙醇来替代异丙间相邻金字塔之间没有空隙 即覆盖率达 醇与氢氧化钠的水溶液混合而成制绒液。到100%。理想质量绒面的形成受到了诸 目前针对单晶硅片在氢氧化钠 +乙醇的多因素的影响 例如硅片被腐蚀前的表面状 混合体系中形成金字塔绒面的过程 尚未见态、制绒液的组成、各组分的含量、温度、 详细的研究报道。
反应时间等。而在工业生产中 对这一工艺 我们在参考已经报道的实验数据的基过程的影响因素更加复杂 例如加工硅片的 础上经过大量的实验总结出了氢氧化聚数量制、绒醇液类中的各挥组发分、的变反化应产等物在溶液中为的了积维持生 钠+乙醇的混合体系对单晶硅片进行制绒
要求我们比较透彻的了解金字塔绒面的形 然而当我们将实、验室的条件下得到参数应。成机理控制对制绒过程影响较大的因素 用在生产线上时往往在开始的几个批次
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可以加工出较理想的绒面 但随着产量的增 无水乙醇的混合水溶液 反应温度维持在 85加绒面质量急剧变差 我们称之为制绒液 ±02 ℃。反应釜用一块玻璃板密封 以减的“失效” 。这种失效是由于制绒液中的主 少乙醇在高温下的挥发。 由于我们的生产用要成分—NaOH和乙醇的含量与最初的设 反应槽中没有搅拌装置 所以制绒过程均不置值已相去甚远。另外 在绒面质量开始变 加机械搅拌。最后在 10wt%的HF中浸差的时候 如果延长反应时间 可以加以改 泡去除硅片表面自然氧化层后 用去离子水善。因而 我们仔细观察了随着 NaOH的浓 冲洗干净。 硅片表面的反射率是使用配带积度、 乙醇的浓度和反应时间的变化 绒面的 分球的分光光度计测量 表面形貌借助日立微观形貌和硅片表面反射率的变化情况。 从 S-570 型扫描电子显微镜 SEM进行观本质上来讲绒面形成的过程 就是金字塔 察。
质的量成核的和影生响长的究过其程根本就是一影切响表了观金参字数塔对的绒面 3实验结果及讨论
成核或者生长。 本文从这个角度详细分析了 一 在单晶硅片的绒面制备过程中 温度是氢氧化钠和乙醇在制绒过程中各自扮演的 个比较容易控制的参数 所以我们参考了角色。 已有的工艺参数把制绒液的温度确定为
85℃。 在实验室的条件下温度的波动可以2实验原理和实验过程 控制在±02℃而在生产线的大型清洗机
2.1实验原理 中温差范围可达到± 2℃。经过大量的生
在高温下硅与碱发生如下的化学反 产以监对测绒面质我们量认造成为这显种著程的度影温响度变化不足应 。
Si+2OH+因而通常用热的碱溶液来腐蚀硅片。 对于晶 vol%的乙醇温度 85℃单晶硅片经 1分体硅 由于各个晶面的原子密度不同 与碱 钟、 5分钟、 10分钟、 30分钟腐蚀后 表面进行反应的速度差别很大 有文献将晶体硅 的微观形貌见图 1 反射谱见图 2 由于10的 100面与 1 1 1 面的被腐蚀的速率之 分钟和30分钟的反射谱非常接近所以省商定义为“各向异[性1]因子” Anisotropic 略了后者。
Factor AF 。通过改变碱溶液的浓度、
温度等参数可以有效的调节 AF 。当AF= 塔的成由核图 1生可长以的看过出程在适宜经的热条的件浓下碱去除损 金字
上被小金字塔覆盖 少数已开始长大。我们
2.2实验过程 称绒面形成初期的这种变化为金字塔“成
实验和生产所使用的硅片是国产的 核” 。如果在整个硅表面成核均匀密度比 100晶向的直拉单晶硅片 电阻率05~2 较大 那么最终构成绒面的金字塔就会大小Ω ・ cm大小为 103mm× 103mm。首先 均匀 平均体积较小这样的绒面单晶硅片将硅片放入60℃的清洗剂中进行超声清洗 不仅反射率低 而且有利于后续的扩散和丝清除在硅片加工过程中表面黏附的油污。 接 网印刷制造出的太阳电池的性能也更好。着用浓度为 10 wt%的NaOH水溶液在 很多相关的研究工[1作就3 是5]着力于增大金字90℃的温度下去除硅片表面的机械损伤 塔的成核密度 。
层每面去除约 10微米的厚度。然后在 从图 1 的c可以看出 10分钟后 金字不同的条件下 在硅片表面腐蚀形成金字塔 塔密布的绒面已经形成只是大小不均匀绒面。我们选用的制绒液是分析纯 NaOH和
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反射率也降到了比较低的水平。 随着时间的 延长金字塔向外扩张兼并 体积逐渐膨胀
d 30 min 当溶液中不含乙醇时 反应进行的速
度比较快硅片经 30分钟制绒处理后图1单晶硅经不同时间制绒腐蚀后 表面的SEM照片 两面共被腐蚀减薄了 40微米。表面只有Fig 1 Surface morphology ofcrystalline siliconbeing 一些稀疏的金字塔体积比较小。 由于金textured in dilute NaOH solution for different durations 字塔的覆盖率很低硅片对光的反射最强ofti me 烈。我们向溶液中加入了少许乙醇 3
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vol% 这种情况就大有改观反应速度减 微米 而金字塔分布错落有致 反射率几乎缓经过相同时间的腐蚀硅片只减薄 25 降到了最低。只是在制绒过程中可以观察
的腐蚀强度 增图3单晶硅经不同乙醇含量的制绒液腐蚀后 强了腐蚀的各向异性 有利于金字塔的成形
表面的SEM照片 和生长。而当乙醇的含量过高时碱溶液对Fig 3 Surface morphology ofcrystalline siliconbeing 硅的腐蚀能力变的很弱 各个晶面都好像坚textured in dilute NaOH solution with different 不可摧的铜墙铁壁 各向异性因子又趋向于concentrations ofethanol 1 。至于乙醇减弱 NaOH溶液腐蚀强度的机
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理 尚待深入研究。 从绒面的表面可以看出 经过相同时间
3.3 NaO H的含量对绒面的影响
这一组实验 是维持制绒液中乙醇的含 密度近似 不受NaOH浓度的影响。 而制绒量为10 vol%温度85 ℃时间30分钟 液的腐蚀性随NaOH浓度的变化比较显著NaOH的浓度从5克/升到55克/升之间变 浓度高的 NaOH溶液与硅进行化学反应的化。 图5、 图6分别是不同浓度NaOH溶液 速度加快 反应相同时间后金字塔的体积腐蚀形成绒面的微观形貌与对 400至1000 更大。当NaOH的浓度超过了一定的界限纳米之间的光波的平均反射率。 溶液的腐蚀力度过强各向异性因子变小
(b) 15g/l 4结论
NaOH与乙醇的混合溶液对晶体硅进行
(c)55g/l 匀、反射率低的金字塔绒面。 NaOH含量的
变化会改变溶液的腐蚀强度 适宜生产的浓图5单晶硅经不同浓度 NaOH溶液腐蚀后 度范围比较狭窄。 乙醇不仅可以加速反应产
表面SEM照片 生的氢气泡从硅片表面的逃逸更重要的Fig 5 Surface morphology ofcrystalline silicon 是减弱了NaOH的腐蚀强度 获得良好的being textured in dilute NaOH solution with 各向异性因子。 乙醇的允许范围较 NaOH宽different concentrations 泛许多在工业生产中容易控制。制绒反应
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的时间延长金字塔的体积膨胀大小趋于 2 P K Singh, R Kumar, M Lal et al,均匀反射率略有降低。在大规模生产中 Effectiveness ofAnisotropicEtching ofSilicon 我们应考虑到生产效率、 反射率、后续加工 inAqueous Alkaline Solution, Sol Energy 过程等多方面的因素 选择适宜的制绒工艺 Mater Sol Cells**(****) ***
条件。 * Y Nishimoto, K Namba, Investigation of
Texturization for Crystalline Silicon Solar Cells with SodiumCarbonate Solutions,Sol Energy
参考文献 Mater Sol Cells** (****)***
1 E Vazsonyi,K De Clercq,R Einhaus et al , 4 崔容强 秦蕙兰 绒面硅太阳电池的研究 太
Improved Anisotropic Etching Process for 阳能学报 1980 1 2 189 -196
IndustrialTexturingofSilicon SolarCells,Sol 5 席珍强 杨德仁等 单晶硅太阳电池的表面织
Energy Mater Sol Cells**(****) *** 构化太阳能学报 2002 23 3 285-289
有可能是空气中有静电的原因,所以到处有那毛毛或一些老是擦不完的灰尘。。。你可以用洗毛衣的柔软剂搓洗抹布,不要拧得太干,只要不滴水就行。。在用清水擦一次后再用这柔软剂洗过的毛巾再擦一次家具什么的,就没那么容易沾灰了。
黑毛藻是一种顽固性藻类.影响美观.繁殖速度快.个人认为其主要原因在于水质酸碱度.(也就是HP值)的动荡过大.
如果你缸内有黑毛藻.以我个人经验.你的草缸可能是一直开CO2(二氧化碳)的.由于水草在进行光合作用后会产生氧气.所以导致草缸内含氧量.在开光等后有严重落差.水质动荡极大导致.我做过几个草缸的实验.(一个缸一直开这二氧化碳.)(一个缸CO2设备加装电磁阀随灯开关.)两者在保持定期换水.修剪和维护后.后者没有长过黑毛藻.你可以试试.
解决办法:
1:如果有CO2的话.加装电磁阀.手动清除已被寄生的植物叶子.取出被寄生的石头.沉木.或者缸内设备.“52戊二醛”溶液浸泡清除设备上的黑毛藻.另外可以购买.黑线飞狐或小猴飞狐.控制蔓延.
2:没有CO2设备.检查底泥是否有效改善水质.是不是假货.清洗过滤器另增加过滤面积.手动清除已被寄生的植物叶子.取出被寄生的石头.沉木.或者缸内设备.“52戊二醛”溶液浸泡清除设备上的黑毛藻.另外可以购买.黑线飞狐或小猴飞狐.控制蔓延.
3:至于药物治理的办法不是不可行.只是你的缸内环境如果不变.在当你的缸内没有药物控制时.黑毛藻会很快卷土从来.望三思...
4:最无奈的做法就是.........反缸..放弃底泥植物.从做造景.清除缸内所有东西.把原缸内设备.和鱼缸整体用高浓度高锰酸钾溶液浸泡15-30分钟.清洗掉设备上的黑毛藻.
(!!!如果你缸内的黑毛藻过多.上述做法会起到抑制作用.如果长的太多覆盖面子过大.建议你反缸从做造景!!)
本人不建议用药物.因为对底泥和缸内生物均有害处.
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