SEMEDX在测表面元素的时候测得多深?拜托了各位 谢谢

SEMEDX在测表面元素的时候测得多深?拜托了各位 谢谢,第1张

二次电子扫描象的分辨本领最高,约等于入射电子束直径,一般为6-10nm深,主要用于测试表面形貌;背散射电子为50-200 nm深,可以测表面形貌,也可以得到表面成分衬度;吸收电子和X射线为100-1000nm深,这些信号主要用来得到表面元素。 查看原帖>>

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应该是景深吧``

焦深计算公式

L= ±[(r/M)-d]/2α 其中:

L: 焦深

r: 显像管最小分辨距离

M:放大倍数

d:入射电子束直径

2α:物镜孔径角。

从上面的式子可以看出影响焦深的因素,其中隐含了工作距离w。物镜孔径角与工作距离和入射电子束直径有关。由于r(显像管的分辨率)和2α都是未知数,实际上不能计算。焦深也只是个人的视觉感受,还是直观的测量一下为好。

又查了资料``显像管最小分辨距离为0.22mm-0.3mm, 孔径角的典型数值为10-2—10-3rad.利用公式L= ±[(r/M)-d]/2α可以计算出在有效放大倍率下的焦深数据。设d=3纳米,孔径角2α=10-2 rad,r=0.3mm。计算焦深如下:

1000倍下为59.4微米。5000倍下为11.4微米。10000倍下为5.4微米。超过100000倍已经超过了有效放大倍率。不能计算。

EDX:Energy Dispersive Spectrometry(能量分析光谱仪)能量色散型X射线荧光光谱仪 EDX是借助于分析试样发出的元素特征X射线波长和强度实现的, 根据波长测定试样所含的元素,根据强度测定元素的相对含量。

编辑本段能量色散X荧光光谱仪应用

常用的EDX探测器是硅渗锂探测器。当特征X射线光子进入硅渗锂探测器后便将硅原子电离,产生若干电子-空穴对,其数量与光子的能量成正比。利用偏压收集这些电子空穴对,经过一系列转换器以后变成电压脉冲供给多脉冲高度分析器,并计数能谱中每个能带的脉冲数。

个人觉得EDX测试元素的含量只能够测试含不含有,确定含有的数值,准确性并不是很高。

根据2002/95/EC RoHS规定的一般是6项:

铅;0.1%(1000ppm)

镉:0.01%(100ppm)

汞:0.1%

六价铬0.1%

多溴联苯0.1%

多溴联苯醚 0.1%

然后根据2006/66/EC的电池指令规定

镉<0.002%

汞<0.0005% 纽扣电池Hg<2%cells

铅<0.4%

铅可超标, 但必须按照93/86/EC的要求进行标示。

根据94/62/EC 的包装指令

限制包装物种的金属4项,即:

铅+镉+汞+六价铬<100ppm

主要是针对包装的回收进行要求。


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