晶圆的边缘为什么要“铺满”电路？

晶圆边缘的检测 随着特征尺寸的缩小，晶圆表面任何一部分都不允许闲置不用，器件越发地靠近边缘。

当在器件结构上线宽持续变窄后，我们不能够再忽视晶圆的边缘了。

这背后的原动力是对于降低日益恶化的表面污染的需求，粗糙的、坑洼或者断裂的边缘会引起表面污染，同时也要防止灾难性的污染 -晶圆在工艺腔体里的爆裂。

此外，如果不做边缘检查，那么晶圆表面积的5-7%就没有了，这是需要重视晶圆边缘的技术原动力。

因此对于晶圆的检查不能再忽视边缘。

1、主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这 九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。

2、晶圆切割成芯片后，100%的目检（VI/VC），操作者要使用放大 30 倍数的显微镜下进行目 测。

3、接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分 类。

4、最后对 LED 芯片进行检查（VC）和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上最多有 5000 粒芯片， 但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于 1000 粒，芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在 标签上，附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做最后的目检测试与第一次目检标准相同，确保芯片排列整 齐和质量合格。这样就制成 LED 芯片（目前市场上统称方片）。

硅片一般分正面和背面，正面印正银，背面印背银和背铝，烘干烧结后可以使用并测试。光伏用的硅片表面不能有线痕，这种工艺在切割时就定型，用途太阳能发电。而半导体硅片在切割时，硅片两面都有线痕，经抛光研磨后成晶圆，再上光刻胶。

很多纳米管、线等都是在类似的基体上生长，然后直接SEM观察。换句话说，只有纳米材料才会考虑用抛光硅片做样品载台。微米亚微米级别的，浪费，直接双面导电胶带粘即可。抛光是研磨后进一步平整漆面，除去研磨残余条纹，抛光剂使漆面光泽度自然呈现。抛光有很多种，有机械抛光、化学抛光、电解抛光、超声波抛光、流体抛光、磁研磨抛光。