急问氮化铝的制备、性质及用途

中文名称:氮化铝

拼音:danhualv

英文名称：alumin(i)um nitride

分子式:AlN

分子量:40.99

密度:3.235g/cm3

说明:AlN属类金刚石氮化物，最高可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体，介电性能良好，用作电器元件也很有希望。砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入。氮化铝还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂。室温下与水缓慢反应.可由铝粉在氨或氮气氛中800~1000℃合成，产物为白色到灰蓝色粉末。或由Al2O3-C-N2体系在1600~1750℃反应合成，产物为灰白色粉末。或氯化铝与氨经气相反应制得.涂层可由AlCl3-NH3体系通过气相沉积法合成。

1.氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。

2.氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。

工艺路线：氮化铝粉末采用碳热还原氮化法；高导热氮化铝陶瓷基片采用氛常压烧结法。

氮化铝陶瓷具有高热导率、高强度、高电阻率、密度小、低介电常数、无毒、以及与Si相匹配的热膨胀系数等优异性能，将逐步取代传统大功率LED基板材料，成为今后最具发展前途的一种陶瓷基板材料。一般来说，LED发光效率和使用寿命会随结温的增加而下降，当结温达到125℃以上时，LED甚至会出现失效。为使LED结温保持在较低温度下，必须采用高热导率、低热阻的散热基板材料和合理的封装工艺，以降低LED总体的封装热阻。

氮化铝陶瓷综合性能优良，理论热导率为320W/（m），具有优良的热传导性，可靠的电绝缘性，低介电常数和损耗，无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数。

利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好，可替代有毒性的氧化铍瓷在电子工业中广泛应用。

根据量子场论，任何振动物体都会被真空中的虚粒子减速。May 26的《Physical Review Letters》杂志上，物理学家们提出一种方案，通过一端振动的反射腔探测这种效应，光子在反射腔中反弹，并且被超冷原子放大。这个实验是从技术上说可行的、能够直接观察到虚粒子对运动物体作用的方法。量子场论认为，真空中充满了虚光子，这种光子以恒定的速度不断产生和湮灭。虚光子的一种可观测效应是两个间隔纳米距离的物体之间的卡西米尔效应。当一个物体快速振动时，会产生这种很弱的动力学卡西米尔效应：在一个理想界面上没有平行电场和垂直磁场，而在它周围则充满了虚光子产生的电磁场。当这个界面前后运动时，电磁场发生规律性变化，也就是产生了光子。界面的振动能释放出来，振动受到阻力。

美国达特茅斯学院和意大利帕多瓦大学的Roberto Onofrio说，这个效应产生的光子数量非常少，所以唯一能够探测到光子的方法是使用共振腔，把光子聚集到一起放大。Onofrio和同事们通过振动共振腔一端的膜把光子束缚在腔内，就像是鼓一样。研究人员们首先需要找到一种机械设备来放大光子。他们能够找到的氮化铝薄膜能够使光子频率最大放大到3吉赫兹。因为振动过程中产生的都是能量相同的光子对，所以每个光子的频率为1.5吉赫兹，处于微波波段。虽然光子的数量少、能量低，很难被观察到，但是研究人员们通过原子的超冷态（玻色-爱因斯坦凝聚态）可以放大光子能量。1.5吉赫兹的能量正好是钠原子中两条能级间的能量差。为了放大卡西米尔光子的能量，钠的玻色-爱因斯坦态首先被激光激发到较高能级，然后利用卡西米尔光子轰击它，玻色-爱因斯坦态整体退激发到较低能级，放出大量光子。这个效应称为超辐射，在其它过程中也观察到过，它可以把卡西米尔光子信号放大十亿倍。Old Dominion大学的Charles Sukenik说：“如果这个实验成功的话，它将证明量子力学真空不仅仅只是一个为了理论方便而构造的概念。”

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