SiO2和Si3N4绝缘性能比较

SiO2和Si3N4绝缘性能比较,第1张

sio2是原子晶体,是玻璃的主要成分.二氧化硅不能与水直接化合成为酸,能跟碱性氧化物或者强碱溶液或熔融状态下反应,常与naoh生成硅酸钠。sio2+naoh=na2sio3+h2o

sio2化学性质较为稳定。sio2还能与hf(氢氟酸)反应

sio2+4hf=sif4+2h2o

si3n4及活性炭黑为原料,按照两者质量比为31制成试样。在埋炭条件下,将试样分别在1480

℃、1500

℃、1550

℃和1600

℃保温3

h热处理。利用sem、eds及xrd等检测方法,结合热力学分析,研究了高温状态下β?si3n4在含碳耐火材料中的稳定性以及作为过渡相向碳化硅的转化。结果表明:在该试验条件下,β?si3n4在含碳材料中将作为过渡相向sic转化,明显的转化温度>1500

℃,1600

℃仍存在较多未转化的氮化硅;氮化硅颗粒与炭黑的反应主要从接触面开始,然后向内逐步推进;β?si3n4的粒度对其转化率影响较大。

sio2当达到1873k时熔化也就是1599.85℃

si3n4当达到1000℃时熔化。

这个简单,不破坏样品可以做XRF,但一般的机构很难帮你准确测定,因为标准样品很贵,不是所有机构都有的。还可以用ICP-MS,样品前处理要经过溶解、定容等麻烦的过程,以免产生大的实验误差。如果不是要求很精确的话,可以测定XPS或者做SEM的EDS,缺点是精度不高。如果掺杂有硅,则比较复杂,需要更好的前处理,且要区别硅的价态。如果含有其它成分,如含硅酸钠,硅酸钙等,必须进行更长步骤的前处理。可以找浙大的哲博检测中心,对于未知物分析,成分检测很有经验。他们的前处理很到位。我有一个未知材料做催化剂的,就在他们那里分析出来的。

若某个试样中二氧化硅的含量在98%以上,应用氢氟酸挥发重量差减法(即挥散法)来测定SiO2含量。具体测定步骤如下:

将铂坩埚中测定过烧失量的试样,用少量水润湿,加入4~5滴硫酸及5~7mL氢氟酸,放在电炉上低温加热,挥发至近干时,取下放冷,再加2~3滴硫酸及3~4mL氢氟酸,继续加热挥发至干,然后升高温度,至三氧化硫白烟完全逸尽。将铂坩埚置于高温炉中,于950℃温度下灼烧30分钟,取出放在干燥器中冷至室温,称重。如此反复灼烧,直至恒重。

SiO2=×100

G1——测烧失量时灼烧后试样和坩埚的重量,g;

G2——残渣和坩埚的重量,g;

G——试样的重量,g;

若试样中SiO2含量在98%以下,采用上述方法测定SiO2将引起较大的误差。这种情况下,宜采用重量法或氟硅酸钾容量法来测定。


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