扫描电镜图片如何分析

第一、扫描电镜照片是灰度图像，分为二次电子像和背散射电子像，主要用于表面微观形貌观察或者表面元素分布观察。

一般二次电子像主要反映样品表面微观形貌，基本和自然光反映的形貌一致，特殊情况需要对比分析。

背散射电子像主要反映样品表面元素分布情况，越亮的区域，原子序数越高。

第二、看表面形貌，电子成像，亮的区域高，暗的区域低。非常薄的薄膜，背散射电子会造成假像。导电性差时，电子积聚也会造成假像。

有。

硅片一般分正面和背面，正面印正银，背面印背银和背铝，烘干烧结后可以使用并测试。光伏用的硅片表面不能有线痕，这种工艺在切割时就定型，用途太阳能发电。而半导体硅片在切割时，硅片两面都有线痕，经抛光研磨后成晶圆，再上光刻胶。

很多纳米管、线等都是在类似的基体上生长，然后直接SEM观察。换句话说，只有纳米材料才会考虑用抛光硅片做样品载台。微米亚微米级别的，浪费，直接双面导电胶带粘即可。抛光是研磨后进一步平整漆面，除去研磨残余条纹，抛光剂使漆面光泽度自然呈现。抛光有很多种，有机械抛光、化学抛光、电解抛光、超声波抛光、流体抛光、磁研磨抛光。

薄膜样品做XRD、SEM和AFM测试没有固定的先后顺序。在这三个测试中原子力显微镜更具有优势。想了解更详细的信息，推荐咨询Park原子力显微镜。Park原子力显微镜的Park NX-Hivac。在高真空条件下执行扫描扩散电阻显微镜测量可减少所需的针尖-样本相互作用力，从而大幅度降低对样本和针尖的损伤。如此可延长各针尖的使用寿命，使扫描更加低成本和便捷，并通过提高空间分辨率和信噪比得到更为精确的结果。因此，利用NX-Hivac进行的高真空扫描扩散电阻显微术测量可谓是故障分析工程师增加其吞吐量、减少成本和提高准确性的明智选择。

XRD、 SEM、AFD三者的区别：

1、 XRD（X-ray diffraction）是用来获得材料的成分、材料内部原子或分子的结构。

2、 SEM（扫描电子显微镜）是一种微观性貌观察手段，可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。

3、 AFM （原子力显微镜）是一种表面观测仪器，与扫描隧道显微镜相比，能观测非导电样品。

XRD通常薄膜厚度不够的话，需要剥离研磨制成粉末样品。SEM和AFM根据样品的特性选择一个测试就可以。测试时通常是选择同批次，同条件的几个样品分别去测形貌和组分。按照预约测试时间来安排测试顺序。

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