SEM工作时,电子枪发射的入射电子束打在试样表面上,向内部穿透一定的深度,由于弹性和非弹性散射形成一个呈梨状的电子作用体积。电子与试样作用产生的物理信息,均由体积内产生。
二次电子是入射电子在试样内部穿透和散射过程中,将原子的电子轰击出原子系统而射出试样表面的电子,其中大部分属于价子激发,所以能量很小,一般小于50eV。因此二次电子探测体积较小。二次电子发射区的直径仅比束斑直径稍大一些,因而可获得较高的分辨率。
二次电子像的衬度取决于试样上某一点发射出来的二次电子数量。电子发射区越接近表面,发射出的二次电子就越多,这与入射电子束与试样表面法线的夹角有关。试样的棱边、尖峰等处产生的二次电子较多,相应的二次电子像较亮;而平台、凹坑处射出的二次电子较少,相应的二次电子像较暗。根据二次电子像的明暗衬度,即可知道试样表面凹凸不平的状况,二次电子像是试样表面的形貌放大像。
SEM内在试样的斜上方放置有探测器来接受这些电子。接受二次电子的装置简称为检测器,它是由聚焦极、加速极、闪烁体、光导管和光电倍增管组成。在闪烁体前面装一筒装电极,称为聚焦极,又称收集极。在其前端加一栅网,在聚焦极上加250-300V的正电压。二次电子被此电压吸引,然后又被带有10kV正电压的加速极加速,穿过网眼打在加速极的闪烁体上,产生光信号,经光导管输送到光电倍增管,光信号转变为电子信号。最后输送到显示系统,显示出二次电子像。
一、含义不同
mean表示都是平均数。
SEM是standard error of mean是平均数的抽样误差,反应平均数的抽样准确性。
SD全称standard deviation标准差,又常称均方差,是离均差平方的算术平均数的平方根,用σ表示。
二、用法不同
SEM计估计值的准确性无法度量,但可以用统计方法来测量。
测试的误差来源包括系统误差和采样误差,这些误差很容易克服,采样误差是由许多无法控制的内部和外部因素引起的,这些因素都是偶然的,即使在测试中非常小心也很难消除,但可以通过增加重复次数来减少。
小样本(n≤30)取平均值±标准差,大样本(n>30)取平均值±标准差。
三、类型不同
标准差是方差的算术平方根。标准差可以反映数据集的离散程度。如果平均值相同,则标准差可能不相同。
标准误差是用样品的标准偏差除以样品容量的平方根来计算的,标准误差受样本量影响较大,样本量越大,标准误差越小,抽样误差越小,说明样本能够更好地代表种群。
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