半导体禁带宽度是光学带隙值

半导体禁带宽度是指半导体材料的能带宽度，也就是半导体材料中电子和空穴的能带宽度。它是由半导体材料的光学带隙值决定的，即半导体材料的能带宽度等于其光学带隙值。一般来说，半导体材料的能带宽度最小为200meV，最大可达500meV。因此，半导体禁带宽度的最小值是200meV，最大值是500meV。

禁带宽度（Band gap）

符号为Eg导带的最低能级和价带的最高能级之间的能。固体物理学的量。SI单位:J(焦〔耳〕)。并用的非SI单位:eV(电子伏)。1 eV = (1.602 177 33±0.000 000 49)×10-19J。

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