半导体和绝缘体禁带宽度范围

绝缘体的禁带宽度：绝缘体的禁带宽度比较大（6~7ev），而半导体的禁带宽度通常在1ev左右，例如300K下，Si的Eg 1.12ev，Ge 0.67ev，GaAs 1.43ev,当外界条件变化的时候，里面的电子会获得能量，获得能量之后，满带中少量电子，跃迁到上一个空带的底部附近，所以满带中的电子和原先空带中的少量电子都参与导电，所以常温下具有一定的导电能力，通常把满带中，少量电子跃迁后，剩余的大量电子对电流的贡献，用少量的带正电的准粒子加以等效描述，称为空穴。

这里要区分清楚两个问题：一是能带结构（直接带隙或者间接带隙），二是复合机理（直接复合或者间接复合）。

GaAs是直接带隙半导体，复合机理主要是直接复合，则少数载流子寿命很短。直接复合的几率与禁带宽度有关，则禁带宽度越小的半导体，少数载流子寿命就越短。

Si和Ge是间接带隙半导体，主要是依靠复合中心的间接复合机理，则寿命决定于复合中心的浓度和性质，与禁带宽度基本上无关。一般，间接复合的寿命都较长。所以，Si和Ge的载流子寿命比GaAs的长，虽然GaAs的禁带宽度较大。

详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的“纠正误解[1]——微电子概念”

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