SEM背散射电子下，原子系数越大是越亮还是越暗，二次电子下是不是相反的。

背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的，所以原子序数大的原子越大，弹性碰撞的概率越大，所以原子序数大的背散射电子强度的大；二次电子是从样品表面发射的电子，跟原子序数没关系，跟样品的表面形态有关，因为撞击角度90度是二次电子基本么有，倾斜装机的二次电子产率就很高了，所以二次电子像是跟样品观察角度有关的。

In lens是一个镜筒内光轴上的二次电子探头。

__eam Booster开启的前提下工作，主要用于成高分辨的二次电子像；SE1是镜筒外的二次电子探头，用于成常规二次电子像。

_SE是镜筒内光轴上的背散射电子探头，同样在Beam Booster开启的前提下工作，用于成样品表面背散射电子像。

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