从书上查了一些内容，书的年代比较久远，可能买不到...有兴趣的话，尝试着去图书馆借一下吧。SEM工作时，电子枪发射的入射电子束打在试样表面上，向内部穿透一定的深度，由于弹性和非弹性散射形成一个呈梨状的电子作用体积。电子与试样作用产生的物理信

背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的，所以原子序数大的原子越大，弹性碰撞的概率越大，所以原子序数大的背散射电子强度的大；二次电子是从样品表面发射的电子，跟原子序数没关系，跟样品的表面形态有关，因为撞击角度90度是二次电子基本么有，倾斜

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你这属于逆光拍摄，由于背景过亮，照相机会认为光线太强而减少曝光量，就很容易导致人物曝光不足而发黑。解决的方法就是增加曝光量，逆光拍摄时要表现人物的话要视情况进行曝光补偿二至三档（一般相机都有曝光补偿功能）。对于已经拍好的照片，可以使用pho

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从书上查了一些内容，书的年代比较久远，可能买不到...有兴趣的话，尝试着去图书馆借一下吧。SEM工作时，电子枪发射的入射电子束打在试样表面上，向内部穿透一定的深度，由于弹性和非弹性散射形成一个呈梨状的电子作用体积。电子与试样作用产生的物理信

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第一、扫描电镜照片是灰度图像，分为二次电子像和背散射电子像，主要用于表面微观形貌观察或者表面元素分布观察。一般二次电子像主要反映样品表面微观形貌，基本和自然光反映的形貌一致，特殊情况需要对比分析。背散射电子像主要反映样品表面

这是EDAX公司制造的EDS 采集SEM图像做能谱分析时候的信息，具体如下：KV 加速电压 ：15千伏特Mag（magnification） 放大倍数：1700倍TILT 样品台倾斜角度：0°MicronsPerPixY 样品上编制的每个像

背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的，所以原子序数大的原子越大，弹性碰撞的概率越大，所以原子序数大的背散射电子强度的大；二次电子是从样品表面发射的电子，跟原子序数没关系，跟样品的表面形态有关，因为撞击角度90度是二次电子基本么有，倾斜

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扫描电镜中的WD参数是工作距离，样品成像表面到物镜的距离。介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观形貌观察手段，可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。扫描电镜的优点是：①有较高的放大倍数，2-20万倍之间连续可调；②有很大的景

你这属于逆光拍摄，由于背景过亮，照相机会认为光线太强而减少曝光量，就很容易导致人物曝光不足而发黑。解决的方法就是增加曝光量，逆光拍摄时要表现人物的话要视情况进行曝光补偿二至三档（一般相机都有曝光补偿功能）。对于已经拍好的照片，可以使用pho

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对日开发中ブリッジシステムエンジニア(BSE)英语是:bridgesystemengineer他是指能够和日本人直接交流,并且常驻日本,从而起到一个窗口和桥梁的作用的SE,在日本那边把程序发注到中国来开发,有问题时,可以由他直接和日本那边交

扫描电镜中的WD参数是工作距离，样品成像表面到物镜的距离。介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观形貌观察手段，可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。扫描电镜的优点是：①有较高的放大倍数，2-20万倍之间连续可调；②有很大的景

从书上查了一些内容，书的年代比较久远，可能买不到...有兴趣的话，尝试着去图书馆借一下吧。SEM工作时，电子枪发射的入射电子束打在试样表面上，向内部穿透一定的深度，由于弹性和非弹性散射形成一个呈梨状的电子作用体积。电子与试样作用产生的物理信