SEM背散射电子下，原子系数越大是越亮还是越暗，二次电子下是不是相反的。

背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的，所以原子序数大的原子越大，弹性碰撞的概率越大，所以原子序数大的背散射电子强度的大；二次电子是从样品表面发射的电子，跟原子序数没关系，跟样品的表面形态有关，因为撞击角度90度是二次电子基本么有，倾斜装机的二次电子产率就很高了，所以二次电子像是跟样品观察角度有关的。

由原子大小决定吧，SEM用的是隧穿效应，我做SEM扫描金属表面实验的时候读出来的数据都是电压，钨针尖上还要自己加偏压。金属混合物的微观结构是面心立方点阵结构（代表有铝、金、银、铜）和六方最密堆积结构（代表有镁、铍、锌、镉等）的混合，都是填隙六方结构，所以应该是金属原子浸没在电子海洋中的密堆积结构，由于充分混合后的对称性，原子间距只和整个体系的结合能有关，和是什么原子无关，所以原子位置早就定下来了。然后SEM扫到的距离只和表面原子半径大小的有关（前提光滑表面）。

第一、扫描电镜照片是灰度图像，分为二次电子像和背散射电子像，主要用于表面微观形貌观察或者表面元素分布观察。

一般二次电子像主要反映样品表面微观形貌，基本和自然光反映的形貌一致，特殊情况需要对比分析。

背散射电子像主要反映样品表面元素分布情况，越亮的区域，原子序数越高。

第二、看表面形貌，电子成像，亮的区域高，暗的区域低

非常薄的薄膜，背散射电子会造成假像。导电性差时，电子积聚也会造成假像。

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