补充资料:禁带宽度(Band gap)是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带。要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带(能导电)。被束缚的电子要成为自由电子,就必须获得足够能量从而跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度。锗的禁带宽度为0.66ev;硅的禁带宽度为1.12ev;砷化镓的禁带宽度为1.46ev。禁带非常窄就成为金属了,反之则成为绝缘体。半导体的反向耐压,正向压降都和禁带宽度有关。
一种现象的外在表现都有内在机理。锗二极管的温度性能和死区电压之间
其实内在是有很大关联的,原因是因为锗和硅禁带宽度不同。锗的禁带宽度低,所以相对不耐温,但是死区小(死区大小在数值上等于禁带宽度对应电压值加绝对温度与温度系数(负的)的乘积)。因为锗禁带宽度小,所以电子更活跃,受温度的影响更大,外在表现就是温度稳定性差。
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