你好，红色led的禁带宽度要看他的材料是什么，如果材料是锗的话禁带宽度为0.66ev；硅的禁带宽度为1.12ev；砷化镓的禁带宽度为1.46ev。补充资料：禁带宽度(Band gap)是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的

我学固体物理和非线性光学已经是几年前的事了。用一点残存的印象说两句供你参考。禁带宽度反映的是物体本身的物质属性。引用一段他人的描述如下，“禁带宽度是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续

禁带宽度越高，不是介电常数越大。根据相关公开资料查询了解到，禁带宽度越高，介电常数越小。宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小的特点。绝缘体的禁带宽度较大,价带顶的电子难以跃迁到导带底成为自

1、概念不同：能带宽度：为价带和导带的宽度，即电子能量分裂的一个个密集能级组成的宽度。 禁带宽度：为导带和价带的间距。能带宽度就是通电的能力，禁带宽度就是组电的能力。2、所含电子不同：能带：是用量子力学的方法研究固体内部电子运动的理论

禁带宽度是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带。要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带（能导电）。被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个

1、概念不同：能带宽度：为价带和导带的宽度，即电子能量分裂的一个个密集能级组成的宽度。 禁带宽度：为导带和价带的间距。能带宽度就是通电的能力，禁带宽度就是组电的能力。2、所含电子不同：能带：是用量子力学的方法研究固体内部电子运动的理论

G极是在绝缘层上覆盖一层金属并引出的电极就是栅极源极S和漏极D区分，只是个人分析找极法：一般有NMOS增强型是在栅极G，源极S上加上的正极，用万能表可以测得，剩下的就是漏极D了，NMOS耗尽型应该也是！N型不管是增强还是耗尽正极一般为漏极D

溴氧化铋是n型还是p型半导体解释如下：1、纯净的叫本征半导体（一般用i表示）n型p型是掺杂之后的，掺杂之后，如果是电子导电就是n，空穴导电就是p。“半导体”一词已经与在20世纪下半叶迅速改变人类生活的尖端电子技术联系在一起。但是，就其本身而

溴氧化铋是n型还是p型半导体解释如下：1、纯净的叫本征半导体（一般用i表示）n型p型是掺杂之后的，掺杂之后，如果是电子导电就是n，空穴导电就是p。“半导体”一词已经与在20世纪下半叶迅速改变人类生活的尖端电子技术联系在一起。但是，就其本身而